FET DUAL TRANSISTORS, N CHANNEL Viaryess | 'oss | 'oss Yais Vosoft | C11ss |C12ss Matching max Appariement Types Application Case [Y21s/'pss | YGsi-VGs2 |AVGs/AT min (nA) jmi i ii max | max (v} (pA}"| (mA} (mS) vy (PF) | (PF) | (5) | (%) (mv) (av7ecy ESM 25 | AF/RF general | 30 0,1 | 05-10 | . 1-5 0,7-4,5 6 2 | 20 | 20 25 80 : FSM 25A | purpose ~30 0,1 | 05-10 | 1-5 0,7-4,5 6 2 | 20 | 20 25 50, o 2N 5198 | Usage gnral | 30 |25 *10,7-7 | 1-0,7 | 0,7-4 6 2/5] 5 10 20 - 1071 2N 5199 BF/HF 30 [25 *}0,7-7 | 1-0,7 | 0,7-4 6 2,5] 5 10 40 (CB-124) 3 GS Ce o CNES qualified product. G Ss SCHOTTKY SMALL SIGNAL DIODES Types VeRRM Ig tpt) / Va pets sole Cc Vp, Dynamic parameters Case lo max mex mox Poromtres dynomiques (v) (ma) (uA) (v) (v) (mA) (pF) (V) UHF and ultra fast switching Tamb = 25C BAR 19 4 30 0,25 3 0.4 10 1 1 F=6dB / 1GHz BAT 29 5 30 0,05 1 0,55 10 1 0 Q,<3pC MOmA BAT 19 10 30 0,1 5 0,4 1 1,2 0 T<100ps /20mA BAT 45 5 30 0,1 6 0,5 10 1 1 ter <I ns i 3mA BAR 10 20 35 0,1 15 0,41 1 1,2 T<100ps /5mA BAR It 5 20 0,1 8 0,41 1 1,2 0 T<100ps / 5mA IN 5712 20 35 0,15 16 0,55 1 1,2 0 T<100ps / 5mA DO 35 BAR 28 70 15 02 50 | 041 1 2 0 T<100ps / 5mA sass IN 5711 70 15 0,2 50 0,41 1 2 0 T<WOps / 5mA (CB-102} TN 6263 60 15 0,2 50 0,41 1 2,2 0 T<WWOps / 5mA F : Mixer noise figure. Q, : Stored chorge (B-line).- tT : Minority carrier life time (Krakaver method). (1) Pulse test tp <300 ys 8 <2%. N: New product. - THOMSON SEMICONDUCTEURS 849