Semiconductor Group 1 1998-07-13
LC 3 mm (T1) LED, Diffused
Low Cu rrent LED
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Streuung der Lichterstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0.
Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0.
Typ
Type Emissionsfarbe
Color of
Emission
Gehäusefarbe
Color of
Package
Lichtstärke
Luminous
Intensity
IF = 2 mA
IV (mcd)
Bestellnummer
Ordering Code
LS 3369-EH
LS 3369-G
LS 3369-H
LS 3369-GK
super-red red diffused 0.63 … 5.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.60 … 12.5
Q62703-Q1748
Q62703-Q2068
Q62703-Q3820
Q62703-Q3821
LY 3369-EH
LY 3369-F
LY 3369-G
LY 3369-H
LY 3369-FJ
yellow yellow diffused 0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
2.50 … 5.0
1.00 … 8.0
Q62703-Q1749
Q62703-Q2030
Q62703-Q2029
Q62703-Q1906
Q62703-Q3822
LG 3369-EH
LG 3369-F
LG 3369-G
LG 3369-FJ
green green diffused 0.63 … 5.0
1.00 … 2.0
1.60 … 3.2
1.00 … 8.0
Q62703-Q1750
Q62703-Q2069
Q62703-Q2070
Q62703-Q3823
VEX06710
Besondere Merkmale
●eingefärbtes, diffuses Gehäuse
●als optischer Indikator einsetzbar
●hohe Lichtstärke bei kleinen Strömen (typ. 2 mA)
●Lötspieße mit Aufsetzebene
●gegurtet lieferbar
●Störimpulsfest nach DIN 40839
Features
●colored, diffused package
●for use as optical indicator
●high luminous intensity at low currents (typ. 2 mA)
●solder leads with stand-off
●available taped on reel
●load dump resistant acc. to DIN 40839
Semiconductor Group 2 1998-07-13
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
Betriebstemperatur
Operating temperature range Top – 55 … + 100 °C
Lagertemperatur
Storage temperature range Tstg – 55 … + 100 °C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature Tj+ 100 °C
Durchlaßstrom
Forward current IF7.5 mA
Stoßstrom
Surge current
t ≤ 10 µs, D = 0.005
IFM 0.15 A
Sperrspannung
Re verse voltage VR5V
Verlustleistung
Power dissipation
TA ≤ 25 °C
Ptot 20 mW
Wärmewiderstand
Thermal resistance
Sperrschicht / Luft
Junction / air
Rth JA 500 K/W
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Semiconductor Group 3 1998-07-13
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
LS LY LG
Wellenlänge des emittierten Lichtes(typ.)
Wavelength at peak emission(typ.)
IF = 7.5 mA
λpeak 635 586 565 nm
Dominantwellenlänge(typ.)
Dominant wavelength(typ.)
IF = 7.5 mA
λdom 628 590 570 nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % Irel max (typ.)
Spectral bandwidth at 50 % Irel max(typ.)
IF = 7.5 mA
∆λ 45 45 25 nm
Abstrahlwinkel bei 50 % IV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % IV
2ϕ60 60 60 Grad
deg.
Durchlaßspannung(typ.)
Forward voltage(max.)
IF = 2 mA
VF
VF
1.8
2.6 2.0
2.7 1.9
2.6 V
V
Sperrstrom(typ.)
Reverse current(max.)
VR = 5 V
IR
IR
0.01
10 0.01
10 0.01
10 µA
µA
Kapazität(typ.)
Capacitance
VR = 0 V, ƒ = 1 MHz
C03315pF
Schaltzeiten:
Switching times:
IV from 10 % to 90 %(typ.)
IV from 90 % to 10 %(typ.)
IF = 100 mA, tP = 10 µs, RL = 50 Ω
tr
tf
200
150 200
150 450
200 ns
ns
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Semiconductor Group 4 1998-07-13
Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 7.5 mA
Relative spectral emission
V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit
Standard eye response curve
Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ)
Radiation characteristic
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Semiconductor Group 5 1998-07-13
Durchlaßstrom IF = f (VF)
Forward current
TA = 25 °C
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tP)
Permissible pulse handling capability
Duty cycle D = parameter, TA = 25 °C
Relative Lichtstärke IV/IV(2 mA) = f (IF)
Relative luminous intensity
TA = 25 °C
Maximal zulässiger Durchlaßstrom
Max. permissible forward current
IF = f (TA)
10
-1
V
5
OHL01208
Ι
F
F
V
0
10
1
10
2
10
5
mA
1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 3.0 3.4
yellow
green
super-red
OHL01278
s10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
t
D
Ι
TT
P
F
t
P
=
D
=0.005
0.01
0.02
0.05
0.2
0.5
DC
10
0
5
Ι
F
t
1
10
2
10
3
10
5
mA
0.1
p
V
V
(2mA)
10
-1 0
10 10
12
10
mA
10
-3
5
OHL01207
F
Ι
5
-2
10
5
-1
10
0
10
1
10
ΙΙ
55
green
super-red
yellow
0
OHL01193
Ι
F
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
1
2
3
4
5
6
mA
8
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Semiconductor Group 6 1998-07-13
Wellenlänge der Strahlung λpeak = f (TA)
Wavelength at peak emission
IF = 7.5 mA
Durchlaßspannung VF = f (TA)
Forward voltage
IF = 2 mA
Dominantwellenlänge λdom = f (TA)
Dominant wavelength
IF = 7.5 mA
Relative Lichtstärke IV/IV(25 °C) = f (TA)
Relative luminous intensity
IF = 2 mA
green
yellow
super-red
550
OHL01672
λ
peak
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
570
590
610
630
650
nm
690
yellow
green
super-red
1.4
OHL01750
V
F
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
1.6
1.8
2.0
2.2
V
2.4
yellow
green
super-red
550
OHL01673
λdom
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
570
590
610
630
650
nm
690
yellow
green
super-red
0.0
OHL01675
˚C
A
T
0 20 40 60 80 100
V
V
(25 ˚C)
ΙΙ
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
LS 3369, LY 3369, LG 3369
Semiconductor Group 7 1998-07-13
Maßzeichnung (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben)
Package Outlines (Dimensions in mm, unless otherwise specified)
Kathodenkennzeichnung: Kür zer er Lötsp ieß
Cathode mark: Short solder lead
0.4
0.6
3.1
3.4
Area not flat
5.7
6.1
ø2.7
ø2.9
4.8
4.4
3.7
3.5
27.0
29.0
spacing
2.54 mm
0.8
0.4
0.4
0.7
0.4
0.6
1.2
1.8
GEX06710
0.9
1.1
Collector/
2.1
2.7
Chip position
Cathode
LS 3369, LY 3369, LG 3369
