汕头华汕电子器件有限公司
N
P N S I L I C O N T R A N S I S T O R
H8550 对应国外型号
S8550
█ 芯片简介 █ 芯片图
芯片尺寸：4英寸（100mm）
芯片代码：A063AJ-00-XXX
芯片厚度：240±20µm
管芯尺寸：600×600µm 2
焊位尺寸：B极130×150µm；E极140×130µm
电极金属：铝
背面金属：金
封装形式：TO-92
█ 极限值（Ta=25℃）
█ 电参数（Ta=25℃）
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温……………………………………………150℃
PC——集电极耗散功率…………………………………1
W
VCBO——集电极—基极电压………………………………-40
V
VCEO——集电极—发射极电压……………………………-25V
VEBO——发射极—基极电压………………………………-6V
IC——集电极电流………………………………………-1.5A
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
ICBO
IEBO
HFE
VBE（ON）
VCE(sat）
VBE(sat)
BVCBO
BVCEO
BVEBO
fT
集电极—基极截止电流
发射极—基极截止电流
直流电流增益
基极—发射极导通电压
集电极—发射极饱和电压
基极—发射极饱和电压
集电极—基极击穿电压
集电极—发射极击穿电压
发射极—基极击穿电压
特征频率
85
40
40
25
6
100
-0.1
-0.1
500
-1.0
-0.5
-1.2
μA
μA
V
V
V
V
V
V
MHz
VCB=-35V, IE=0
VEB=-6V, IC=0
VCE=-1V, IC=-100mA
VCE=-1V, IC=-800mA
VCE=-1V, IC=-10mA
IC=-800mA, IB=-80mA
IC=-800mA， IB=-80mA
IC=-100μA，IE=0
IC=-2mA，IB=0
IE=-100μA，IC=0
VCE=-10V, IC=-50mA
