Каталог. Апрель 2005 г.
78
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
MITSUBISHI
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
H
D
T
Отличительные характеристики серии F:
— благодаря новейшей канавочной технологии (TRENCH) IGBT
достигнуто чрезвычайно низкое напряжение
насыщения Vce (sat):
1,2 В для 250&вольтовых приборов
1,6 В для 600&вольтовых приборов
1,8 В для 1200&вольтовых приборов;
— собственная индуктивность почти вдвое ниже,
чем у стандартных модулей предыдущего поколения;
— введены дополнительные цепи (RTC) для улучшения работы
схемы защиты IGBT ключей от короткого замыкания
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM450HA&5F 250 450 H
CM600HA&5F 250 600 H
CM600HN&5F 250 600 H
CM600HU&12F 600 600 H
CM400HU&24F 1200 400 H
CM600HU&24F 1200 600 H
CM350DU&5F 250 350 D
CM400DU&5F 250 400 D
CM600DU&5F 250 600 D
CM75DU&12F 600 75 D
CM100DU&12F 600 100 D
CM150DU&12F 600 150 D
CM200DU&12F 600 200 D
CM300DU&12F 600 300 D
CM400DU&12F 600 400 D
CM50DU&24F 1200 50 D
CM75DU&24F 1200 75 D
CM100DU&24F 1200 100 D
CM150DU&24F 1200 150 D
CM200DU&24F 1200 200 D
CM300DU&24F 1200 300 D
CM400DU&24F 1200 400 D
CM600DU&24F 1200 600 D
CM900DU&24NF 1200 900 D
CM1400DU&24NF 1200 1400 D
CM200TU&5F 250 200 T
CM75TU&12F 600 75 T
CM100TU&12F 600 100 T
CM100TJ&12F 600 100 T
CM150TU&12F 600 150 T
CM150TJ&12F 600 150 T
CM200TU&12F 600 200 T
CM50TU&24F 1200 50 T
CM50TJ&24F 1200 50 T
CM75TU&24F 1200 75 T
CM75TJ&24F 1200 75 T
CM100TU&24F 1200 100 T
CM100TJ&24F 1200 100 T
CM450TJ&24NF 1200 450 T
CM100E3U&12F 600 100 E3
CM150E3U&12F 600 150 E3
CM75E3U&24F 1200 75 E3
CM100E3U&24F 1200 100 E3
CM150E3U&24F 1200 150 E3
CM200E3U&24F 1200 200 E3
IGBT модули серии F
IGBT модули серии А/NF/NFH
Применение:
— силовые приводы электродвигателей постоянного и переменного тока;
— преобразователи электроэнергии и электрогенераторы;
— источники бесперебойного питания;
— электросварочное оборудование;
— индукционные печи;
— бытовая техника;
— твердотельные реле
Особенности:
— технология TRENCH 2&го(!) поколения;
— возможно использование стандартных драйверов управления;
— лучшие показатели ∆T (j&f) в своем классе;
— в 10 раз улучшена устойчивость на термоцикличность;
— А&серия — существенно снижена цена приборов;
— NF&серия — полное соответствие корпусов Н&серии
Обозначения:
Vces — напряжение питания
Iс— ток нагрузки
Iout — выходной ток модуля (с учетом 3&фазной ШИМ)
Рo— рекомендуемая мощность 3&фазного электродвигателя
Рt— мощность, отдаваемая в нагрузку
*** — значение по запросу
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM400HA&24A 1200 400 H
CM600HA&24A 1200 600 H
CM600HB&24A 1200 600 H
CM100DY&24A 1200 100 D
CM150DY&24A 1200 150 D
CM200DY&24A 1200 200 D
CM300DY&24A 1200 300 D
CM400DY&24A 1200 400 D
CM600DY&24A 1200 600 D
CM150DY&12NF 600 150 D
CM200DY&12NF 600 200 D
CM300DY&12NF 600 300 D
CM400DY&12NF 600 400 D
CM600DY&12NF 600 600 D
CM100DY&24NF 1200 100 D
CM150DY&24NF 1200 150 D
CM200DY&24NF 1200 200 D
CM300DY&24NF 1200 300 D
CM400DY&24NF 1200 400 D
CM600DY&24NF 1200 600 D
CM900DU&24NF 1200 900 D
CM1400DU&24NF 1200 1400 D
CM1000DU&34NF 1700 1000 D
CM300TJ&24NF 1200 300 T
CM450TJ&24NF 1200 400 T
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM100DUS&12F 600 100 D
CM150DUS&12F 600 150 D
CM200DU&12NFH 600 200 D
CM300DU&12NFH 600 300 D
CM400DU&12NFH 600 400 D
CM100DU&24NFH 1200 100 D
CM150DU&24NFH 1200 150 D
CM200DU&24NFH 1200 200 D
CM300DU&24NFH 1200 300 D
CM400DU&24NFH 1200 400 D
CM600DU&24NFH 1200 600 D
Серия NFH (частота переключений до 50 кГц )
Серия А/NF
Группа компаний
«Симметрон»
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
Каталог. Апрель 2005 г.
79
MITSUBISHI
Обозначения:
VCES — напряжение питания.
IС— ток нагрузки.
IOUT — выходной ток модуля (с учетом 3&фазной ШИМ).
Р0— рекомендуемая мощность 3&фазного
электродвигателя.
РT— мощность, отдаваемая в нагрузку.
*** — значение по запросу.
IGBT модули серий U и KА
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
HT
D
IGBT модули серии H
DZH
E2ZE2Y
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM600E2Y&34H 1 700 600 E2Y
CM600DY&34H 1 700 600 DZ
CM800HA&34H 1 700 800 H
CM800DZ&34H 1 700 800 DZ
CM1200HA&34H 1 700 1 200 H
CM1800HD&34H 1 700 1 800 H
CM1200DC&34N 1 700 1 200 DZ
CM1200E4C&34N 1 700 1 200 E2Z
CM1800HC&34N 1 700 1 800 H
CM2400HC&34N 1 700 2 400 H
CM3600HC&34N 1700 3 600 H
CM400DY&50H 2 500 400 DZ
CM800HB&50H 2 500 800 H
CM1200HB&50H 2 500 1 200 H
CM400HG&66H 3 300 400 H
CM400DY&66H 3 300 400 DZ
CM800E2Z&66H 3 300 800 E2Z
CM800HB&66H 3 300 900 H
CM1200HG&66H 3 300 1 200 H
CM400HB&90H 4 500 400 H
CM600HB&90H 4 500 600 H
CM900HB&90H 4 500 900 H
CM200HG&130H 6 500 200 H
CM600HC&130H 6 500 600 H
CM400E4G&130H 6 500 400 E2Y
Высоковольтные IGBT модули особо большой мощности
Наименование Параметры Схема
Vces, В Ic, A
CM300HA&12H 600 300 H
CM400HA&12H 600 400 H
CM600HA&12H 600 600 H
CM200HA&24H 1200 200 H
CM300HA&24H 1200 300 H
CM400HA&24H 1200 400 H
CM600HA&24H 1200 600 H
CM800HA&24H 1200 800 H
CM1000HA&24H 1200 1000 H
CM1200HA&24J 1200 1200 H
CM300HA&28H 1400 300 H
CM400HA&28H 1400 400 H
CM600HA&28H 1400 600 H
CM1000HA&28H 1400 1000 H
CM50DY&12H 600 50 D
CM75DY&12H 600 75 D
CM100DY&12H 600 100 D
CM150DY&12H 600 150 D
CM200DY&12H 600 200 D
CM300DY&12H 600 300 D
CM400DY&12H 600 400 D
CM50DY&24H 1200 50 D
CM75DY&24H 1200 75 D
CM100DY&24H 1200 100 D
CM150DY&24H 1200 150 D
Наименование Параметры Схема
Vces, В Ic, A
CM200DY&24H 1200 200 D
CM300DY&24H 1200 300 D
CM50DY&28H 1400 50 D
CM75DY&28H 1400 75 D
CM100DY&28H 1400 100 D
CM150DY&28H 1400 150 D
CM200DY&28H 1400 200 D
CM300DY&28H 1400 300 D
CM15TF&12H 600 15 T
CM20TF&12H 600 20 T
CM30TF&12H 600 30 T
CM50TF&12H 600 50 T
CM75TF&12H 600 75 T
CM100TF&12H 600 100 T
CM150TF&12H 600 150 T
CM15TF&24H 1200 15 T
CM20TF&24H 1200 20 T
CM30TF&24H 1200 30 T
CM50TF&24H 1200 50 T
CM75TF&24H 1200 75 T
CM100TF&24H 1200 100 T
CM50TF&28H 1400 50 T
CM75TF&28H 1400 75 T
CM100TF&28H 1400 100 T
H
B T
D
E3
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM600HU&12H 600 600 H
CM400HU&24H 1200 400 H
CM600HU&24H 1200 600 H
CM75DU&12H 600 75 D
CM100DU&12H 600 100 D
CM150DU&12H 600 150 D
CM200DU&12H 600 200 D
CM300DU&12H 600 300 D
CM400DU&12H 600 400 D
CM800DU&12H* 600 800 D
CM50DU&24H 1200 50 D
CM75DU&24H 1200 75 D
CM100DU&24H 1200 100 D
CM150DU&24H 1200 150 D
CM200DU&24H 1200 200 D
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM300DU&24H 1200 300 D
CM400DU&24H 1200 400 D
CM75BU&12H 600 75 B
CM100BU&12H 600 100 B
CM50BU&24H* 1200 50 B
CM75TU&12H 600 75 T
CM100TU&12H 600 100 T
CM150TU&12H 600 150 T
CM200TU&12H 600 200 T
CM50TU&24H 1200 50 T
CM75TU&24H 1200 75 T
CM100TU&24H 1200 100 T
CM75E3U&12H 600 75 E3
CM100E3U&12H 600 100 E3
CM150E3U&12H 600 150 E3
Наименование Vces, В Ic, A Схема
CM200E3U&12H 600 200 E3
CM300E3U&12H 600 300 E3
CM50E3U&24H 1200 50 E3
CM75E3U&24H 1200 75 E3
CM100E3U&24H 1200 100 E3
CM150E3U&24H 1200 150 E3
CM100DU&34KA 1700 100 D
CM150DU&34KA 1700 150 D
CM200DU&34KA 1700 200 D
CM300DU&34KA 1700 300 D
CM400DU&34KA 1700 400 D
CM50TU&34KA 1700 50 T
CM75TU&34KA 1700 75 T
Группа компаний
«Симметрон»
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
Вх. напряжение Параметры Схема Корпус
Vrms, B Вх. ток (Arms), А F, кГц применения
PS51277&A 90~264 15 20 AF1 DIP IPM
PS51259&A 90~264 20 20 AF1 DIP IPM
PM52AUBW060 90~255 20 20 AF2 IPM
Особенности:
— встроенный силовой IGBT транзисторный ключ;
— встроенный драйвер IGBT&ключа;
— встроенные цепи защиты:
— от короткого замыкания;
— от перегрузки по току;
— от перегрева;
— по напряжению питания;
— исполнен в компактном изолированном корпусе.
Назначение:
Устраняет помехи и фазовое рассогласование между
напряжением и током, вносимые нагрузкой в питающую сеть.
Применение:
— промышленное электрооборудование и бытовая техника.
Активный фильтр (корректор коэффициента мощности)
AF1AF2
DIP IPM для построения ККМ
IPM являются новым этапом развития силовых ключей на базе IGBT модулей
и представляют собой функционально законченное изделие, исполненное в
компактном изолированном корпусе и включающее в себя:
— силовые IGBT транзисторные ключи;
— встроенные драйверы IGBT транзисторов;
— встроенные цепи защиты:
— от короткого замыкания;
— от перегрузки по току;
— от перегрева;
— по напряжению питания;
— логические входы управления.
C
IPM серии D, S
H
D
R
Блок&схема базового
узла IPM
IPM серии V
Применение:
— прецизионное управление
электромоторами;
— сервоприводы.
Особенности:
IGBT 5&го поколения:
Vce(sat) 1,5 В — для
приборов на 600 В;
1,9 В — для
приборов на 1200 В.
— уменьшенное ЭМИ;
— уменьшенное ЭМИ;
— термосенсор на
каждом кристалле;
— на 50% увеличена
мощность BRAKE
транзистора.
Особенности:
— IGBT 3&го поколения с низким Uкэ нас;
— диоды с быстрым восстановлением;
— улучшенная схема защиты от короткого
замыкания.
Наименование VCES,В IC, А Схема
PM800HSA060 600 800 H
PM400HSA120 1200 400 H
PM600HSA120 1200 600 H
PM800HSA120 1200 800 H
PM200DSA060 600 200 D
PM300DSA060 600 300 D
PM400DSA060 600 400 D
PM600DSA060 600 600 D
PM75DSA120 1200 75 D
PM100DSA120 1200 100 D
PM150DSA120 1200 150 D
PM150DSA120 1200 150 D
PM200DSA120 1200 200 D
PM300DSA120 1200 300 D
PM10CSJ060 600 10 C
PM15CSJ060 600 15 C
PM20CSJ060 600 20 C
PM30CSJ060 600 30 C
PM50CBS060 600 50 C
PM50CSD060 600 50 C
PM75CBS060 600 75 C
PM75CSD060 600 75 C
PM100CBS060 600 100 C
PM100CSA060 600 100 C
PM100CSD060 600 100 C
PM150CBS060 600 150 C
PM150CSA060 600 150 C
PM150CSD060 600 150 C
PM200CBS060 600 200 C
PM200CSA060 600 200 C
PM200CSD060 600 200 C
PM300CBS060 600 300 C
Наименование VCES,В IC, А Схема
PM300CSD060 600 300 C
PM10CZF120 1200 10 C
PM15CZF120 1200 15 C
PM50CSD120 1200 50 C
PM75CSA120 1200 75 C
PM75CSD120 1200 75 C
PM100CSA120 1200 100 C
PM100CSD120 1200 100 C
PM150CSD120 1200 150 C
PM30RSF060 600 30 R
PM50RSA060 600 50 R
PM50RSD060 600 50 R
PM50RSK060 600 50 R
PM75RSA060 600 75 R
PM75RSD060 600 75 R
PM75RSK060 600 75 R
PM100RSA060 600 100 R
PM100RSD060 600 100 R
PM150RSD060 600 150 R
PM200RSA060 600 200 R
PM200RSD060 600 200 R
PM300RSD060 600 300 R
PM10RSH120 1200 10 R
PM15RSH120 1200 15 R
PM25RSB120 1200 25 R
PM25RSK120 1200 25 R
PM50RSA120 1200 50 R
PM50RSD120 1200 50 R
PM75RSD120 1200 75 R
PM100RSD120 1200 100 R
PM150RSD120 1200 150 R
Наименование VCES,В IC, А Схема
PM400DVA060 600 400 D
PM600DVA060 600 600 D
PM200DVA120 1200 200 D
PM300DVA120 1200 300 D
PM100CVA060 600 100 C
PM150CVA060 600 150 C
PM200CVA060 600 200 C
PM300CVA060 600 300 C
PM75CVA120 1200 75 C
PM100CVA120 1200 100 C
PM150CVA120 1200 150 C
PM75RVA060 600 75 R
PM50RVA120 1200 50 R
Высоковольтный IPM
Наименование VCES,В IC, А Схема
PM1200HCE330&1 3300 1200 H
Интеллектуальные силовые модули (IPM)
IPM серии L
Наименование VCES,В IC, А Схема
PM50CLA060 600 50 C
PM50CLB060 600 50 C
PM75CLA060 600 75 C
PM75CLB060 600 75 C
PM100CLA060 600 100 C
PM150CLA060 600 150 C
PM200CLA060 600 200 C
PM300CLA060 600 300 C
PM25CLA120 1200 25 C
PM25CLB120 1200 25 C
PM50CLA120 1200 50 C
PM50CLB120 1200 50 C
PM75CLA120 1200 75 C
PM75CLB120 1200 75 C
PM100CLA120 1200 100 C
PM150CLA120 1200 150 C
PM50RLA060 600 50 R
PM50RLB060 600 50 R
PM75RLA060 600 75 R
PM75RLB060 600 75 R
PM100RLA060 600 100 R
PM150RLA060 600 150 R
PM200RLA060 600 200 R
PM300RLA060 600 300 R
PM25RLA120 1200 25 R
PM25RLB120 1200 25 R
PM50RLA120 1200 50 R
PM50RLB120 1200 50 R
PM75RLA120 1200 75 R
PM75RLB120 1200 75 R
PM100RLA120 1200 100 R
PM150RLA120 1200 150 R
Каталог. Апрель 2005 г.
80
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
Группа компаний
«Симметрон»
MITSUBISHI
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
Каталог. Апрель 2005 г.
81
MITSUBISHI
Применение:
— устройства промышленной автоматики,
преобразователи электроэнергии, источники
бесперебойного питания, электроинструмент,
бытовая техника, электронасосы и т. п.
Наименование Параметры Корпус
VCES, B PO, кВт частота, КГц
PS20341&G 600 0,1 5 DIP
PS20341&N 600 0,1 5 DIP
PS20351&G 600 0,1 15 DIP
PS20351&N 600 0,1 15 DIP
PS21351&N 600 0,1 15 DIP
PS21342&G 600 0,2 5 DIP
PS21342&N 600 0,2 5 DIP
PS21542&G 600 0,2 5 DIP
PS21542&N 600 0,2 5 DIP
PS21352&G 600 0,2 15 DIP
PS21352&N 600 0,2 15 DIP
PS21552&G 600 0,2 15 DIP
PS21552&N 600 0,2 15 DIP
PS21343&G 600 0,4 5 DIP
PS21343&N 600 0,4 5 DIP
PS21543&G 600 0,4 5 DIP
PS21543&N 600 0,4 5 DIP
PS21353&G 600 0,4 15 DIP
PS21353&N 600 0,4 15 DIP
PS21553&G 600 0,4 15 DIP
PS21553&N 600 0,4 15 DIP
PS21244&E 600 0,75 5 miniDIPIP
PS21444&E 600 0,75 5 miniDIPIP
PS21254&E 600 0,75 15 miniDIPIP
PS21454&E 600 0,75 15 miniDIPIP
PS21245&E 600 1,5 5 miniDIPIP
PS21445&E 600 1,5 5 miniDIPIP
PS21255&E 600 1,5 15 miniDIPIP
PS21455&E 600 1,5 15 miniDIPIP
PS21246&E 600 2 5 miniDIPIP
PS21446&E 600 2 5 miniDIPIP
PM1
PM2
PM3
PM4
IPM серии DIP и miniDIP
IPM серии AS
Предназначены для компактного, высоконадежного и экономичного регулируемого
привода трехфазных электродвигателей переменного тока промышленного (380 В)
и бытового (220 В) назначения.
Особенности:
— очень компактный корпус;
— высокий КПД;
— встроенные схемы драйверов и цепи защиты;
— широкая номенклатура изделий.
Наименование Параметры Версия Схема
VCES, В IOUT, А РO,кВт
PS11011 600 0,8 0,1 Ver.1 PM1
PS11012 600 1,5 0,2 Ver.1 PM1
PS11013 600 3 0,4 Ver.1 PM1
PS11014 600 5 0,75 Ver.1 PM1
PS11015 600 7 1,5 Ver.1 PM1
PS11016 600 11 2,2 Ver.1 PM2
PS11017 600 17 3,7 Ver.1 PM2
PS11021&A 600 1,5 0,2 Ver.2 PM4
PS11022&A 600 3 0,4 Ver.2 PM4
PS11023&A 600 5 0,75 Ver.2 PM4
PS11024&A 600 7 1,5 Ver.2 PM4
PS11025&A 600 11 2,2 Ver.2 PM4
PS12012&A 1200 1,2 0,2 Ver.1 PM2
PS12013&A 1200 1,8 0,4 Ver.1 PM2
PS12014&A 1200 3,4 0,75 Ver.1 PM2
PS12015&A 1200 4,8 1,5 Ver.1 PM2
PS12017&A 1200 7,2 3 Ver.1 PM2
PS12018&A 1200 9,2 3,7 Ver.1 PM2
PS11032 600 1,5 0,2 Ver.3 PM3
PS11033 600 3 0,4 Ver.3 PM3
PS11034 600 5 0,75 Ver.3 PM3
PS11035 600 7 1,5 Ver.3 PM3
PS11036 600 11 2,2 Ver.3 PM3
PS12032 1200 1,2 0,2 Ver.3 PM3
PS12033 1200 1,8 0,4 Ver.3 PM3
PS12034 1200 3,4 0,75 Ver.3 PM3
PS12036 1200 6 2,2 Ver.3 PM3
PS11037 600 17 3,7 Ver.3 PM4
PS12038 1200 9,2 3,7 Ver.3 PM4
Обозначения:
VCES — напряжение питания.
IС— ток нагрузки.
IOUT — выходной ток модуля (с учетом 3&фазной ШИМ).
Р0— рекомендуемая мощность 3&фазного
электродвигателя.
РT— мощность, отдаваемая в нагрузку.
*** — значение по запросу.
Наименование Параметры Корпус
VCES, B PO, кВт
PS21865 600 1,5 DIP
PS21867 600 2,2 DIP
PS21869 600 3,7 DIP
PS21562 600 0,2 miniDIPIP
PS21563 600 0,4 miniDIPIP
PS21564 600 0,75 miniDIPIP
PS21661 600 0,1 SIP
PS22052 1200 0,4 DIP
PS22053 1200 0,75 DIP
PS22054 1200 2,2 DIP
PS22056 1200 3,7 DIP
3$е поколение DIP и miniDIP IPM
(схема РМ4)
Cпециализированные (AS) интеллектуальные силовые модули (IPM)
Группа компаний
«Симметрон»
Н
аименование Параметры Рекомендуемый силовой модуль Встроенная Число Частота,
Uпит., В IOHP, А IOLP, А эл. параметры тип оптопара каналов кГц
M57915L 7~9 –1 3 5~20 A BIP + 1 2
M57916L 7~9 –1 3 5~20 A BIP + 2 2
M57917L 7~9 –1 3 5~20 A BIP + 1 2
M57925L 9~11, –3,5~–5,0 –1 3 30~50 A BIP + 1 2
M57950L 9~11, –2,5~–4,0 –1 3 30~50 A BIP + 1 2
M57951L 9~11 –0,8 4 30~50 A BIP & 3 2
M57955L 7~9 –0,3 1,3 До 50 A HB BIP + 1 2
M57160AL&01 15, –5,0 –5 5 600 B, 400 A «F» серия IGBT + 1 20
1200 B, 200 A
M57957L 15, –10 –2 2 600 B, 200 A IGBT + 1 20
1200 B, 100 A
M57958L 15, –10 –5 5 600 B, 400 A IGBT + 1 20
1200 B, 200 A
M57959AL 15, –10 –2 2 600 B, 200 A IGBT + 1 20
1200 B, 100 A
M57959L 15, –10 –2 2 600 B, 200 A IGBT + 1 20
1200 B, 100 A
M57962AL 15, –10 –5 5 600 B, 400 A IGBT + 1 20
1200 B, 200 A
M57962L 15, –10 –5 5 600 B, 400 A IGBT + 1 20
1200 B, 200 A
M57963L 15, –10 –2 2 600 B, 200 A IGBT + 1 5
1200 B, 100 A
M57919L 25 –3 2 15~50 A MOSFET + 3 ***
M57924L 25 –3 2 15~50 A MOSFET + 2 ***
M57956L 25 –3 2 15~50 A MOSFET + 1 ***
Гибридные схемы драйверов для IGBT и биполярных транзисторных модулей
Наименование Параметры Схема
VCES, В IC, А
RM300CA&9W 450 300 C
RM20CA&12F 600 20 C
RM20CA&12S 600 20 C
RM50CA&12F 600 50 C
RM50CA&12S 600 50 C
RM100CA&12F 600 100 C
RM100CA&12S 600 100 C
RM50CA&20S 1000 50 C
RM20CA&24F 1200 20 C
RM50CA&24F 1200 50 C
RM100CA&24F 1200 100 C
RM20C1A&12F 600 20 C1
RM20C1A&12S 600 20 C1
RM50C1A&12F 600 50 C1
RM50C1A&12S 600 50 C1
RM100C1A&12F 600 100 C1
RM100C1A&12S 600 100 C1
RM50C1A&16F 800 50 C1
RM100C1A&20F 1000 100 C1
RM20C1A&24F 1200 20 C1
RM50C1A&24F 1200 50 C1
RM100C1A&24F 1200 100 C1
RM20DA&12F 600 20 DA
RM20DA&12S 600 20 DA
RM50DA&12F 600 50 DA
RM50DA&12S 600 50 DA
RM50DA&16F 800 50 DA
RM20DA&24F 1200 20 DA
RM50DA&24F 1200 50 DA
RM100DA&24F 1200 100 DA
RM250HC&5H 250 250 H
RM450HC&5H 250 450 H
RM250HA&10F 500 250 H
RM250HB&10F 500 250 H
RM20HA&12F 600 20 H
RM50HA&12F 600 50 H
RM50HA&12S 600 50 H
RM50HG&12S 600 50 H
RM100HA&12F 600 100 H
RM20HA&20F 1000 20 H
RM50HA&20F 1000 50 H
RM50HA&20S 1000 50 H
RM100HA&20F 1000 100 H
RM200HA&20F 1000 200 H
RM400HA&20S 1000 400 H
RM20HA&24F 1200 20 H
RM25HG&24S 1200 25 H
RM50HA&24F 1200 50 H
RM100HA&24F 1200 100 H
RM300HA&24F 1200 300 H
RM400HA&24S 1200 400 H
RM400HA&28S 1400 400 H
RM35HG&34S 1700 35 H
RM400HA&34S 1700 400 H
RM1800HE&34S 1700 1800 H
RM60SZ&6S 300 60 S
RM100SZ&6S 300 100 S
RM1200HA&50S 2500 1200 H
RM400DY&66S 3300 400 DY
RM600DY&66S 3300 600 DY
RM1200HA&66S 3300 1200 H
RM1200DB&66S 3300 1200 D
RM900DB&90S 4500 900 D
RM600HE&90S 4500 600 H
H
C1
S
DY
T
DA, DZ
Выпрямительные диодные модули
Диодные модули
с малым временем переключения
Наименование Параметры Схема
VCES, В IC, А PO, кВт
RM30DZ&M 400 30 *** DZ
RM60DZ&M 400 60 *** DZ
RM100DZ&M 400 100 *** DZ
RM150DZ&M 400 150 *** DZ
RM250DZ&M 400 250 *** DZ
RM30DZ&H 800 30 *** DZ
RM60DZ&H 800 60 *** DZ
RM100DZ&H 800 100 *** DZ
RM150DZ&H 800 150 *** DZ
RM250DZ&H 800 250 *** DZ
RM30DZ&24 1200 30 *** DZ
RM60DZ&24 1200 60 *** DZ
RM100DZ&24 1200 100 *** DZ
RM150DZ&24 1200 150 *** DZ
RM250DZ&24 1200 250 *** DZ
RM500DZ&24 1200 500 *** DZ
RM30DZ&2H 1600 30 *** DZ
RM60DZ&2H 1600 60 *** DZ
RM100DZ&2H 1600 100 *** DZ
RM150DZ&2H 1600 150 *** DZ
RM250DZ&2H 1600 250 *** DZ
RM10TA&M 400 20 *** T
RM10TB&M 400 20 *** T
RM15TA&M 400 30 *** T
RM15TB&M 400 30 *** T
RM20TPM&M 400 40 *** T
RM30TA&M 400 60 *** T
RM30TB&M 400 60 *** T
RM30TPM&M 400 60 *** T
RM50TC&M 400 100 *** T
RM75TC&M 400 150 *** T
RM75TPM&M 400 150 *** T
RM10TA&H 800 20 1,5 T
RM10TB&H 800 20 1,5 T
C
Диодные модули
Обозначения:
VCES — напряжение
питания.
IС— ток нагрузки.
IOUT — выходной ток
модуля (с учетом
3&фазной ШИМ).
Р0— рекомендуемая
мощность 3&фазного
электродвигателя.
РT— мощность,
отдаваемая в нагрузку.
*** — значение по
запросу.
Наименование Параметры Схема
VCES, В IC, А PO, кВт
RM10TN&H 800 20 1,5 T
RM15TA&H 800 30 2,2 T
RM15TB&H 800 30 2,2 T
RM15TPM&H 800 30 2,2 T
RM20TN&H 800 40 3,7 T
RM20TPM&H 800 40 3,7 T
RM30TA&H 800 60 7,5 T
RM30TB&H 800 60 7,5 T
RM30TN&H 800 60 7,5 T
RM30TPM&H 800 60 7,5 T
RM50TC&H 800 100 11 T
RM75TC&H 800 150 15 T
RM75TPM&H 800 150 15 T
RM10TA&24 1200 20 2,2 T
RM15TA&24 1200 30 3,7 T
RM15TPM&24 1200 30 3,7 T
RM20TPM&24 1200 40 7,5 T
RM30TC&24 1200 60 11 T
RM50TC&24 1200 100 15 T
RM75TC&24 1200 150 22 T
RM75TPM&24 1200 150 22 T
RM10TA&2H 1600 20 2,2 T
RM10TN&2H 1600 20 2,2 T
RM15TA&2H 1600 30 3,7 T
RM15TPM&2H 1600 30 3,7 T
RM20TA&2H 1600 40 7,5 T
RM20TPM&2H 1600 40 7,5 T
RM25TN&2H 1600 50 11 T
RM30TC&2H 1600 60 11 T
RM50TC&2H 1600 100 15 T
RM75TC&2H 1600 150 22 T
RM75TPM&2H 1600 150 22 T
RM15TC&40 2000 30 5,5 T
RM30TC&40 2000 60 11 T
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
Каталог. Апрель 2005 г.
82
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
Группа компаний
«Симметрон»
MITSUBISHI
(812) 4494000, 4494005, 4494006 npo@symmetron.ru www.symmetron.ru
Каталог. Апрель 2005 г.
83
MITSUBISHI
СИЛОВЫЕ ПРИБОРЫ
Параметры
Наименование входное DC выходное DC Тип изоляции
напряжение, В напряжение, В
M57120L01 113∼380 20 Неизолированный
M57121L05 110∼180 5 Неизолированный
M57121L12 110∼180 12 Неизолированный
M57121L15 110∼180 15 Неизолированный
M5714001 18∼22 15×4 Изолированный
M5714201 20∼30 (+5)×1, (±15)×1 Изолированный
M57145L01 12∼18 +15/–8,2 Изолированный
M57993L 113∼380 15 Изолированный
M57994 8∼32 (+15)×4, Изолированный
(–10)×4, (±15)×1
M57182N 140∼380 15 Неизолированный
M57184N 140∼380 +15, +5 Неизолированный
Гибридные ИС источников питания драйверов IGBT модулей
ВЧ УСИЛИТЕЛИ МОЩНОСТИ И ТРАНЗИСТОРЫ
С апреля 2003 фирма MITSUBISHI прекращает выпуск
всех ВЧ модулей семейств М57ххх, М67ххх, М68ххх.
На замену им приходят новые модули на MOS
транзисторах серии RАxxxxxx.
Мощные ВЧ полевые транзисторы
ВЧ усилители мощности серии RA
Наименование Частота, F MГц Напр. питания, В Вых. мощность, Вт КПД, % Gp dB Вх. мощность, мВт Корпус
RD00HHF1 30 12,5 0,3 55 18,7 0,004 SOT89
RD06HHF1 30 12,5 6 55 16 0,15 TO220
RD16HHF1 30 12,5 16 55 16 0,4 TO220
RD70HHF1 30 12,5 70 55 13 3,5 T40S
RD100HHF1 30 12,5 100 55 11,5 7 T40S
RD00HVS1 175 12,5 0,5 50 20 0,005 SOT89
RD01MUS1 520 7,2 0,8 50 14,3 0,03 SOT89
RD02MUS1 175 520 7,2 2 2 55 50 16 0,05 0,05 SLP
RD07MVS1 175 520 7,2 7 7 55 50 13,7 10,0 0,3 0,7 SLP
RD15HVF1 175 520 12,5 15 15 55 50 14,0 7,0 0,6 3,0 TO220
RD30HVF1 175 12,5 30 55 14,8 1 T31S
RD30HUF1 520 12,5 30 50 10 3 T31S
RD70HVF1 175 520 12,5 70 50 55 50 10,7 7,0 6 10 T40S
RD60HUF1 520 12,5 60 50 7,8 10 T40S
RD20HMF1 900 12,5 20 50 8,2 3 T31S
RD45HMF1 900 12,5 45 45 4,8 15 T40S
Наименование Частота, F MГц Напр. питания, В Вых. мощность, Вт КПД, % Gp dB Вх. мощность, мВт Корпус
RA07H0608M 66–88 12,5 7 38 23,7 30 H46S
RA30H0608M 66–88 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA07M1317M 135–175 7,2 6,5 45 25,1 20 H46S
RA08N1317M 135–175 9,6 8 50 26 20 H46S
RA08H1317M 135–175 12,5 8 40 26 20 H46S
RA13H1317M 135–175 12,5 13 40 24,1 50 H2S
RA30H1317M 135–175 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA60H1317M 135–175 12,5 60 40 30,8 50 H2S
RA35H1516M 154–162 12,5 40 50 29 50 H2S
RA07M2127M 215–270 7,2 7 45 25,4 20 H46S
RA30H2127M 210–270 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA07M3340M 330–400 7,2 7 40 21,5 50 H46S
RA07M3843M 378–430 7,2 7 40 21,5 50 H46S
RA07M4047M 400–470 7,2 7 40 21,5 50 H46S
RA07M4452M 440–520 7,2 7 40 21,5 50 H46S
RA07N3340M 330–400 9,6 7,5 43 25,7 20 H46S
RA07N4047M 400–470 9,6 7,5 43 25,7 20 H46S
RA07N4452M 440–520 9,6 7,5 43 25,7 20 H46S
RA07H3340M 330–400 12,5 7 40 25,4 20 H46S
RA07H4047M 400–470 12,5 7 40 25,4 20 H46S
RA07H4452M 440–520 12,5 7 40 25,4 20 H46S
RA13H3340M 330–400 12,5 13 40 24,1 50 H2S
RA13H4047M 400–470 12,5 13 40 24,1 50 H2S
RA13H4452M 440–520 12,5 13 40 24,1 50 H2S
RA30H3340M 330–400 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA30H4047M 400–470 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA30H4452M 440–520 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA45H4047M 400–470 12,5 45 35 29,5 50 H2S
RA45H4452M 440–520 12,5 45 35 29,5 50 H2S
RA30H4045MR 400–450 12,5 30 40 27,8 50 H2S
RA45H4045MR 400–450 12,5 30 35 29,5 50 H2S
RA03M8087M 806–870 7,2 3,6 32 18,6 50 H46S
RA03M8894M 889–941 7,2 3,6 32 18,6 50 H46S
RA20H8087M 806–870 12,5 20 25 26 50 H2S
RA20H8994M 896–941 12,5 20 25 26 50 H2S
RA45H8087M 806–825 12,8 45 40 30 29.5 50 H2S
851–870 29.0
RA06H8285M 820–851 12,5 6 35 37,8 1 H11S
RA13H8891MA 889–915 12,5 13 30 18,1 200 H2S
RA13H8891MB 880–915 12,5 13 35 41,1 1 H11S
RA18H1213G 1240–1300 12,5 18 20 19,5 200 H2S
Типовое
использование
драйверов питания
IPM&модулей
Группа компаний
«Симметрон»