Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 161) (ISOPACK) NB6
Elektrische Ei
g
enschaften / Electrical
p
ro
p
ertie
s
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VDRM, VRRM 1600 V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = - 40°C...Tvj max VDSM 1600 V
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung Tvj = + 25°C...Tvj max VRSM 1700 V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) ITRMSM 120 A
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom TC = 85°C Id165 A
output current TC = 70°C 208 A
TA = 45°C, KM 11 52 A
TA = 45°C, KM 33 72 A
TA = 35°C, KM 14 (VL = 45l/s) 135 A
TA = 35°C, KM 33 (VL = 90l/s) 160 A
Stoßstrom-Grenzwert Tvj = 25°C, tp = 10ms ITSM 1250 A
surge current Tvj = Tvj max, tp = 10ms 1050 A
Grenzlastintegral Tvj = 25°C, tp = 10ms I²t 7800 A²s
I²t-value Tvj = Tvj max, tp = 10ms 5500 A²s
Kritische Stromsteilheit DIN IEC 747-6 (di/dt)cr 120 A/µs
critical rate of rise of on-state current f = 50Hz, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Kritische Spannungssteilheit Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM (dv/dt)cr
critical rate of rise of off-state voltage 8. Kennbuchstabe / 8th letter F 1000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung Tvj = Tvj max, iT = 200A vTmax. 1,87 V
on-state voltage
Schleusenspannung Tvj = Tvj max V(TO) 0,95 V
threshold voltage
Ersatzwiderstand Tvj =Tvj max rT3,2 mΩ
slope resistance
Zündstrom Tvj = 25°C, vD = 6V IGT max. 150 mA
gate trigger current
Zündspannung Tvj = 25°C, vD = 6V VGT max. 2,5 V
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom Tvj = Tvj max, vD = 6V IGD max. 5,0 mA
gate non-trigger current Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM max. 2,5 mA
Nicht zündende Steuerspannung Tvj = Tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD max. 0,2 V
gate non-trigger voltage
Haltestrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RA = 5ΩIHmax. 200 mA
holding current
Einraststrom Tvj = 25°C, vD = 6V, RGK ≥ 20ΩILmax. 600 mA
latching current iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs, tg = 10µs
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom Tvj = Tvj max iD, iRmax. 10 mA
forward off-state and reverse currents vD = VDRM, vR = VRRM
1) gilt auch für / also valid for TD B6HK 165 N 16
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 A 18/05 Seite/page 1(6)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 16 (ISOPACK) NB6
Elektrische Ei
g
enschaften / Electrical
p
ro
p
ertie
s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Zündverzug DIN IEC 747-6 tgd max. 1,2 µs
gate controlled delay time Tvj = 25°C, iGM = 0,6A, diG/dt = 0,6A/µs
Freiwerdezeit Tvj = Tvj max, iTM = 50A tq
circuit commutated turn-off time vRM = 100V, VDM = 0,67 VDRM
dVD/dt = 20V/µs, -diT/dt = 10A/µs
7. Kennbuchstabe / 7th letter O typ. 190 µs
Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min VISOL 3,0 kV
insulation test voltage RMS, f = 50Hz, t = 1sec 3,6 kV
Thermische Ei
g
enschaften / Thermal
p
ro
p
ertie
s
Innerer Wärmewiderstand pro Modul / per module, Θ = 120°rect RthJC max. 0,082 °C/W
thermal resistance, junction to case pro Element / per chip, Θ = 120°rect max. 0,490 °C/W
pro Modul / per module, DC max. 0,065 °C/W
pro Element / per chip, DC max. 0,390 °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand pro Modul / per module RthCK max. 0,033 °C/W
thermal resistance, case to heatsink pro Element / per chip max. 0,200 °C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur Tvj max 125 °C
max. junction temperature
Betriebstemperatur Tc op - 40...+125 °C
operating temperature
Lagertemperatur Tstg - 40...+130 °C
storage temperature
Mechanische Ei
g
enschaften / Mechanical
p
ro
p
ertie
s
Gehäuse, siehe Anlage Seite 3
case, see appendix page 3
Si-Elemente mit Lötkontakt, glaspassiviert
Si-pellets with soldered contact, glass-passivated
Innere Isolation Al2O3
internal insulation
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung Toleranz / tolerance ±15% M1 6 Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse Toleranz / tolerance +5% / -10% M2 6 Nm
terminal connection torque
Gewicht G typ. 300 g
weight
Kriechstrecke 12,5 mm
creepage distance
Schwingfestigkeit f = 50Hz 50 m/s²
vibration resistance
Kühlkörper / heatsinks : KM 11; KM 14; KM 17; KM 33
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 2(6)
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 16 (ISOPACK) NB6
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 3(6)
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Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 16 (ISOPACK) NB6
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z
thJC für DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC for DC
Pos. n 1 2 34567
0,15200 0,21100 0,02960
0,31800 0,03870 0,00109
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 4(6)
[]
RCW
thn
°/
[]
τ
n
s
Analytische Funktion Z R e
thJC thn
t
n
n
n
:
max
=−
−
=
∑
1
1
τ
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 16 (ISOPACK) NB6
Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm
Z
thJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction an
g
leΘ
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 5(6)
120° rect
DC
0,00
0,10
0,20
0,30
0,40
0,50
0,60
0,001 0,01 0,1 1 10
t [s]
ZthJC [°C/W]
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Phase Control Thyristor Module TT B6C 165 N 16 (ISOPACK) NB6
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T c = f(Id)
BIP PPE4 rev. 2 21. Okt 05 Seite/page 6(6)
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 200 220
Id [A]
TC [°C]
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