DAN601 / DAP601 (200 mW) DAN601 / DAP601 (200 mW) Small Signal Diode Arrays Diodensatze mit Allzweckdioden Version 2008-04-15 Nominal power dissipation Nenn-Verlustleistung 3.50.2 180.2 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 6.60.2 Type Typ 18 x 3.5 x 6.6 [mm] Weight approx. - Gewicht ca. 6 x 2.54 3 4 5 0.6 g Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Dimensions - Mae [mm] 2 80 V 7-pin Plastic case 7-Pin Kunststoffgehause O 0.5 3.5 1 200 mW 6 7 1 "DAN" common cathodes / gemeinsame Kathoden 2 3 4 5 6 7 "DAP" common anodes / gemeinsame Anoden Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] 1) DAN601 80 80 DAP601 80 80 Max. average forward rectified current, R-load for one diode operation only for simultaneous operation TA = 25C Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last fur eine einzelne Diode bei gleichzeitigem Betrieb beider Dioden TA = 25C Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur 1 2 IFAV IFAV 100 mA 2) 33 mA 2) IFAV IFAV 100 mA 2) 33 mA 2) IFSM 500 mA Tj TS -50...+150C -50...+150C Per diode - Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 3 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 DAN601 / DAP601 (200 mW) Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25C IF = 10 mA VF < 1.0 V 1) Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = 20 V IR < 25 nA Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA through/uber IR = 10 mA to IR = 1 mA trr < 4 ns RthC < 85 K/W 2) Thermal resistance junction to case Warmewiderstand Sperrschicht - Gehause 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125C 60 10 -2 40 Tj = 25C 10-3 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [C] 10-4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 2 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Per diode - Pro Diode Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 3 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG