FF23MR12W1M1_B11 EasyDUALModulmitCoolSiCTMTrenchMOSFETundPressFIT/NTC EasyDUALmodulewithCoolSiCTMTrenchMOSFETandPressFIT/NTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData VDSS = 1200V ID nom = 50A / IDRM = 100A PotentielleAnwendungen * AnwendungenmithohenSchaltfrequenzen * DC/DCWandler * SolarAnwendungen * USV-Systeme PotentialApplications * HighFrequencySwitchingapplication * DC/DCconverter * Solarapplications * UPSsystems ElektrischeEigenschaften * HoheStromdichte * NiederinduktivesDesign * NiedrigeSchaltverluste ElectricalFeatures * Highcurrentdensity * Lowinductivedesign * Lowswitchinglosses MechanischeEigenschaften * IntegrierterNTCTemperaturSensor * PressFITVerbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * IntegratedNTCtemperaturesensor * PressFITcontacttechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V2.2 2018-07-02 FF23MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData MOSFET/MOSFET HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Drain-Source-Spannung Drain-sourcevoltage Drain-Gleichstrom DCdraincurrent GepulsterDrainstrom Pulseddraincurrent Gate-SourceSpannung Gate-sourcevoltage Tvj = 175C, VGS = 15 V 1200 V ID nom 50 A ID pulse 100 A -10 / 20 V Tvj = 25C VDSS TH = 75C verifiziertdurchDesign,tplimitiertdurchTvjmax verifiedbydesign,tplimitedbyTvjmax VGSS CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. Einschaltwiderstand Drain-sourceonresistance ID = 50 A VGS = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage GesamtGateladung Totalgatecharge InternerGatewiderstand Internalgateresistor Eingangskapazitat Inputcapacitance Ausgangskapazitat Outputcapacitance Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance COSSSpeicherenergie COSSstoredenergy Drain-Source-Reststrom Zerogatevoltagedraincurrent Gate-Source-Reststrom Gate-sourceleakagecurrent Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnondelaytime,inductiveload ID=20,0mA,VDS=VGS,Tvj=25C (testedafter1mspulseatVGS=+20V) Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turnoffdelaytime,inductiveload Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse Kurzschluverhalten SCdata Warmewiderstand,ChipbisKuhlkorper Thermalresistance,junctiontoheatsink Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C RDS on VGS(th) 3,45 typ. 22,5 29,5 33,0 max. 4,50 5,55 m V VGS = -5 V / 15 V, VDS = 800 V QG 0,124 C Tvj = 25C RGint 2,0 Ciss 3,68 nF Coss 0,22 nF Crss 0,028 nF Eoss 88,0 J IDSS 0,20 f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV f = 1 MHz, Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = 0 V, VAC = 25 mV Tvj = 25C VDS = 800 V, VGS = -5 V / 15 V VDS = 1200 V, VGS = -5 V Tvj = 25C VDS = 0 V Tvj = 25C ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGon = 1,00 ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 ID = 50 A, VDS = 600 V VGS = -5 V / 15 V RGoff = 1,00 ID = 50 A, VDS = 600 V, L = 35 nH di/dt = 11,0 kA/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGon = 1,00 ID = 50 A, VDS = 600 V, L = 35 nH du/dt = 53,0 kV/s (Tvj = 150C) VGS = -5 V / 15 V, RGoff = 1,00 VGS = 20 V VGS = -10 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VGS = -5 V / 15 V, VDD = 800 V VDSmax = VDSS -LsDS *di/dt RG = 10,0 tP 2 s, Tvj = 25C tP 2 s, Tvj = 150C proMOSFET/perMOSFET TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions 210 400 IGSS 12,0 11,3 8,90 10,0 9,60 9,20 43,5 43,5 43,5 12,0 12,0 12,0 0,49 0,535 0,559 0,094 0,094 0,091 td on tr td off tf Eon Eoff A nA ns ns ns ns mJ mJ ISC 420 410 A A RthJH 0,800 K/W Tvj op -40 150 C BodyDiode/Bodydiode HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues BodyDiode-Gleichstrom DCbodydiodeforwardcurrent Tvj = 175C, VGS = -5 V TH = 75C ISD CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Durchlassspannung Forwardvoltage Datasheet min. ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V ISD = 50 A, VGS = -5 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 2 VSD A 16 typ. 4,60 4,35 4,30 max. 5,65 V V2.2 2018-07-02 FF23MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 5,00 R/R -5 P25 k 5 % 20,0 mW AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VISOL VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI kV 3,0 min. Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule LsCE Lagertemperatur Storagetemperature Tstg -40 Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 20 Gewicht Weight G typ. max. 9,0 24 nH 125 C 50 N g The current under continuous operation is limited to 25 A rms per connector pin. Important note: The selection of positive and negative gate-source voltages impacts the long-term behavior of the device. The design guidelines described in Application Note AN 2018-09 must be considered to ensure sound operation of the device over the planned lifetime. Datasheet 3 V2.2 2018-07-02 FF23MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData SichererRuckwarts-ArbeitsbereichMOSFET(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaMOSFET(RBSOA) ID=f(VDS) VGS=-5V/15V,Tvj=150C,RG=1 TransienterWarmewiderstandMOSFET transientthermalimpedanceMOSFET ZthJH=f(t) 110 10 Zth: MOSFET 100 ID, Modul ID, Chip 90 80 1 ZthJH [K/W] ID [A] 70 60 50 40 0,1 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,047 0,189 0,421 0,143 i[s]: 0,000497 0,00874 0,0923 0,459 10 0 0 200 400 600 800 VDS [V] 1000 1200 0,01 0,001 1400 AusgangskennlinieMOSFET(typisch) outputcharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VDS) VGS=15V 1 10 100 Tvj = 25 C Tvj = 125 C Tvj = 150 C 90 Tvj = 25C 90 80 80 70 70 60 60 ID [A] ID [A] 0,1 t [s] UbertragungscharakteristikMOSFET(typisch) transfercharacteristicMOSFET(typical) ID=f(VGS) VDS=20V 100 50 50 40 40 30 30 20 20 10 10 0 0,01 0,0 Datasheet 0,5 1,0 1,5 2,0 VDS [V] 2,5 3,0 3,5 0 4,0 4 3 4 5 6 7 8 VGS [V] 9 10 11 12 V2.2 2018-07-02 FF23MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(ID),Eoff=f(ID) VGS=-5V/15V,RGon=1,0,RGoff=1,0,VDS=600V SchaltverlusteMOSFET(typisch) switchinglossesMOSFET(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGS=-5V/15V,ID=50A,VDS=600V 0,8 1,4 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C; Eoff, Tvj = 150C Eon, Tvj = 150C 0,7 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C; Eoff, Tvj = 150C Eon, Tvj = 150C 1,3 1,2 1,1 0,6 1,0 0,9 0,5 E [mJ] E [mJ] 0,8 0,4 0,7 0,6 0,3 0,5 0,4 0,2 0,3 0,2 0,1 0,1 0,0 0 10 20 30 40 50 60 ID [A] 70 80 90 100 0,0 0 1 2 3 4 5 6 RG [] 7 8 9 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [C] 120 140 160 5 V2.2 2018-07-02 FF23MR12W1M1_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/Circuitdiagram Gehauseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 6 V2.2 2018-07-02 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2018-07-02 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726Munchen,Germany (c)2018InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:erratum@infineon.com WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfurdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes ("Beschaffenheitsgarantie")dar.FurBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewahrleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschlielich,ohnehieraufbeschranktzusein,dieGewahrdafur,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensamtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfurdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfurdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benotigen,wendenSiesichbitteandasnachsteVertriebsburovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnenProduktegesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnachstenVertriebsburovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrucklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,durfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernunftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenfuhren. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics ("Beschaffenheitsgarantie").Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer'scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer'sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer'sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer'stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies'productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.