BC 264 FIELD EFFECT TRANSISTOR, SILICON, N CHANNEL TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP, SILICIUM, CANAL N - LF amplification Amplification BF Ipss 2....12 mA a Vgg = 0 in 4 groups en 4 groupes F 2dB max a Vag = 0 f =1kHz Plastic case F 139 B See outline drawing CB-76 on last pages . i . Boltier plastique Voir dessin cot CB-76 dernires pages Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (mw) 0 ee IN s 200 \ NX 100 Weight Bottom view Masse U9 Vue de dessous 0 50 100 150 Tampb (C) ABSOLUTE RATINGS ( LIMITING VALUES } ( unless otherwise stated } = Q VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION Tamb= + 25 C / scut indication contraire } Gate drain voltage Vep -30 Vv Tension grille drain Drain source voltage Vos 30 Vv Tension drain source Gate current I A Courant de grille G 10 m Power dissipation _ * Tanea = 25C P. WwW Puissance dissipe case tot 300 m Storage temperature min. T 55 c Temprature de stockage max. stg +150 C * Derate at 2,4 mW per C up to 150 C * Rduire de 2,4 mW par C jusqua 150 C af 75-47 15 THOMSON-CSF (OMESON SEMICONDUCTEURS. SeSSsem BagBC 264 STATIC CHARACTERISTICS Tamb = 28C ( unless otherwise stated } CARACTERISTIQUES STATIQUES am ( sauf indication contraire } Test conditions | Conditions de mesure Min. Typ. Max. Gate source breakdown voltage Vos = 0 7 _ Tension de claquage grille source lg = -1pA (BRIGSS 30 v Vong = 0 os ! _ A Veg = -20V Gss 0 " Total gate leakage current Courant de fuite total de grille Vps = 9 Ves = 20V less -1 uA Tamb = 100C Drain current (1) Vos = 15 V Inet 2 2 Courant de drain (1) Ves = 0 bss 1 mA Gate source voltage Vos = 15V Vv Tension grille source Ip = 200HA GS 0,4 v Gate source cut-off voltage Vos = 15 V Vv 4 _ Tension grille-source de blocage Ip = 10nA GSoff 0.5 8 Vv DYNAMIC CHARACTERISTICS ( for small signals ) T =25C CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux } amb ~ Forward transfer admittance Vps = 15V Admittance de transfert direct Ves =0 | 2isl 2,5 3,5 mS f = 1 kHz R sf Vos = 18V everse transfer capacitance Vee =-1V c 1,2 F Capacit de transfert inverse Gs = 1MHe 12ss . p * Pulsed tp< 300 ps * impulsion 2/5 850 6<2%BC 264 DYNAMIC CHARACTERISTICS ( for small signals ) Tamb = 25C ( unless otherwise stated ) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux } am ( sauf indication contraire ) Test conditions . Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voge = 15 V input capacitance DS Cc Capacit dentre Ves =71V 118s 4 pF f = 1 MHz Vic = 18 V Output capacitance DS Cc Capacit de sortie Ves =-1V 22ss 16 pF = 1MHz Noise figure Vos = 15V Facteur de bruit Ves = F 05 2 dB Rg =1MQ f = 1kHz Equivalent reverse voltage vos ~ . Vv 40 nv Tension quivalente de bruit Gs = en VTi f = 10Hz He (1) Four Ipsg classes are available on request (1) Quatre classes de 1 pss sont livrables sur demande * : Fora I Vae a Vpnc = 15 V 21s Group DSS Gs DS Vps=15V Ves =0 Groupe Vos = 18 V. Veg = 9 (nr) min. max. min. t= 1kHz A 2 a 4,5mA 1 0,2V -1,2V 2,5 mS B 3,5 4 65mA 1,5 -0,4V -14V 3 ms c a 8 mA 2,5 -0,5V -1,5V 3,5 mS D 7 a 12mA 3,5 0,6V -1,6V 4 ms * Pulsed tp <300 ys 622% * Impulsion 3/5BC 264 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 'b (ma}| BC 264 A 0 5 10 18 Vg (v) (mA) | BC 264 oO 5 10 15 Vag tv) (mA) (mA) BC 264D 4/5 852BC 264 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES 0 1 2 3 ~ Veg v) DYNAMIC CHARACTERISTICS { for small signals ) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES ( pour petits signaux } 49! pry 10 TT Vpg = 15 V f | =1MHz] Se 10 10! ly Ves (Vv) 5/5 853