NTE5539 & NTE5540
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
55 Amps
Features:
DHigh Voltage Capability
DHigh Surge Capability
DGlass Passivated Chip
Electrical Characteristics: (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
Repetitive Peak Off–State Forward & Reverse Voltage, VDRM, VRRM
NTE5539 400V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 800V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS On–State Current, IT(RMS) 55A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On–State Current, IT(AV) 35A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DC Gate Trigger Current (V D = 12V, RL = 30Ω), IGT
Minimum 5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum 40mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak Off–State Forward & Reverse Current (At rated VDRM, VRRM), IDRM, IRRM
(TC = +25°C)
NTE5539 10µA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 20µA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +100°C)
NTE5539 1.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 1.5mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C)
NTE5539 2.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 3.0mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak On–State Voltage (IT(RMS) = 55A, TC = +25°C), VTM 1.8V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Gate Trigger Voltage (TC = +25°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT 1.5V. . . . . . . . . . . . . .
Minimum DC Gate Trigger Voltage (TC = +125°C, VD = 12V, RL = 30Ω), VGT 0.2V. . . . . . . . . . . . . .
Maximum DC Holding Current (Gate Open, Initial On–State Current = 400mA(DC)), IH60mA. . . .
Peak Gate Current (Pulse Width ≤ 10µs), IGM 4A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power Dissipation (Pulse Width ≤ 10µs), PGM 40W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, PG(AV) 800mW. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One Cycle Surge Forward Current, ITSM
50Hz 550A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60Hz 650A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Minimum Critical Rate–of–Applied Forward Voltage, dv/dt
(TC = +100°C)
NTE5539 650V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 500V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
(TC = +125°C)
NTE5539 550V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5540 475V/µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristi cs ( C ont’d): (TA = +25°C, 60Hz, Resistive load unless otherwise specified)
RMS Surge (Non–Repetitive) On–State Current for Fusing (8.3ms), I2t 1750A2sec. . . . . . . . . . . . . .
Maximum Rate–of–Change of On–State Current (IGT = 150mA, tr = 0.1µs), di/dt 175A/µs. . . . . . .
Gate Controlled Turn–On Time (Gate Pulse = 150mA, Min Width = 15µs, tr ≤ 0.1µs), tgt 2.5µs. . .
Circuit Commutated Turn–Off Time (Note 1), tq35µs. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, TJ–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg –40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL+230°C. . . . . . . . . . . . . . . . .
Note 1. iT = 2A, Pulse Duration = 50µs, dv/dt = 20V/µs, di/dt = –30A/µs, IGT = 200mA at Turn–On
KAG
A
.060 (1.52)
.173 (4.4)
.215 (5.45)
.055 (1.4) .015 (0.39)
.500
(12.7)
Min
.430
(10.92)
.550
(13.97)
.156
(3.96)
Dia.
NOTE: Dotted line indicates
that case may have square
corners.
.600 (15.24)
