NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571 Silicon Controlled Rectifier (SCR) for Phase Control Applications Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125C unless otherwise specified) Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage, VDRM, VRRM NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non-Repetitive Peak Off-State Voltage, VDSM NTE5567 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE5568 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1200V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Average On-State Current (Half Sine Wave, TC = +85C), IT(AV) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 63A NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 45A RMS On-State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A Continuous On-State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100A Peak One-Cycle Surge (10ms Duration, 60% VRRM Reapplied), ITSM(1) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 750A Non-Repetitive On-State Current (10ms Duration, 60% VR 10V), ITSM(2) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1150A NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 863A Maximum Permissible Surge Energy (3ms Duration, 60% VR 10V), I2t NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4860A2sec NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2770A2sec Maximum Permissible Surge Energy (10ms Duration, 60% VR 10V), I2t (2) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6613A2sec NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3720A2sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 5A Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 25V Peak Reverse Gate Voltge, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1W Peak Gate Power (100s Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20W Rate of Rise of Off-State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open-Circuit), dv/dt . . . . . . . . . . . 200V/s Maximum Ratings and Electrical Characteristics (Cont'd): (TJ = +125C unless otherwise specified) Rate of Rise of Repetitive On-State Current, di/dt (1) (TVJ = +125C, IG = 3 x IGT, dIG/dt = 1A/s, Anode Voltage 80% VDRM) . . . . . . . . 200A/s Rate of Rise of Non-Repetitive On-State Current, di/dt (2) (TVJ = +125C, IG = 3 x IGT, dIG/dt = 1A/s, Anode Voltage 80% VDRM) . . . . . . . . 400A/s Peak On-State Voltage, VTM NTE5567, NTE5568, NTE5569 (ITM = 195A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1V NTE5571 (ITM = 140A) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.22V Forward Conduction Threshold Voltage, VO NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.89V NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1V Forward Conduction Slope Resistance, r NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.1m NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7.9m Repetitive Peak Off-State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Repetitive Peak Reverse Current (At VDRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 10mA Maximum Gate Current (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25C), IGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100mA Maximum Gate Voltage (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25C), VGT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3V Maximum Holding Current (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 160mA Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +150C Thermal Resistance, Junction-to-Case (VF = Max, DC and 180 Sine Wave), Rth(J-C) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.35C/W NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.45C/W Thermal Resistance, Junction-to-Case (VF = Max, 120 Rectangular Wave), Rth(J-C) NTE5567, NTE5568, NTE5569 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.40C/W NTE5571 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.52C/W Thermal Resistance, Case-to-Heatsink, Rth(C-HS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.1C/W Gate .067 (1.72) Dia .250 (6.35) Cathode .120 (3.04) .136 (3.47) Dia 1.218 (30.94) Max .565 (14.37) Max .667 (16.95) Dia Max .875 (22.22) Max .200 (5.08) Max .450 (11.43) Max Anode 1/4-28 UNF-2A .675 (17.15) Across Flats