NTE5567, NTE5568, NTE5569, & NTE5571
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
for Phase Control Applications
Maximum Ratings and Electrical Characteristics: (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Forward and Reverse Voltage, VDRM, VRRM
NTE5567 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, VDSM
NTE5567 200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5568 600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5569 1200V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1600V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 63A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 45A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS On–State Current, IT(RMS) 100A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous On–State Current, IT100A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak One–Cycle Surge (10ms Duration, 60% VRRM Reapplied), ITSM(1)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1000A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 750A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive On–State Current (10ms Duration, 60% VR ≤ 10V), ITSM(2)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 1150A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 863A. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Permissible Surge Energy (3ms Duration, 60% VR ≤ 10V), I2t
NTE5567, NTE5568, NTE5569 4860A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 2770A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Permissible Surge Energy (10ms Duration, 60% VR ≤ 10V), I2t (2)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 6613A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 3720A2sec. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM 5A. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM 25V. . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltge, VRGM 5V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, PG1W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100µs Pulse Width), PGM 20W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open–Circuit), dv/dt 200V/µs. . . . . . . . . . .
Maximum Ratings and Electrical Characteristics (Cont’d): (TJ = +125°C unless otherwise specified)
Rate of Rise of Repetitive On–State Current, di/dt (1)
(TVJ = +125°C, IG = 3 x IGT, dIG/dt = 1A/µs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM) 200A/µs. . . . . . . .
Rate of Rise of Non–Repetitive On–State Current, di/dt (2)
(TVJ = +125°C, IG = 3 x IGT, dIG/dt = 1A/µs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM) 400A/µs. . . . . . . .
Peak On–State Voltage, VTM
NTE5567, NTE5568, NTE5569 (ITM = 195A) 2.1V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 (ITM = 140A) 2.22V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Threshold Voltage, VO
NTE5567, NTE5568, NTE5569 0.89V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 1.1V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Slope Resistance, r
NTE5567, NTE5568, NTE5569 6.1mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 7.9mΩ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM 10mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Current (At VDRM), IRRM 10mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Current (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25°C), IGT 100mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25°C), VGT 3V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (VA = 6V, IA = 500mA, TJ = +25°C), IH160mA. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, V GD 0.25V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, TC–40° to +125°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, Tstg –40° to +150°C. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max, DC and 180° Sine Wave), Rth(J–C)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 0.35°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 0.45°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max, 120° Rectangular Wave), Rth(J–C)
NTE5567, NTE5568, NTE5569 0.40°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5571 0.52°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, Case–to–Heatsink, Rth(C–HS) 0.1°C/W. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
.667
(16.95)
Dia Max
.675 (17.15)
Across Flats
Anode
1/4–28 UNF–2A
Cathode
.136 (3.47) Dia
Gate
.067 (1.72) Dia
.250 (6.35)
.120 (3.04)
.200 (5.08)
Max
.450
(11.43)
Max
.565
(14.37)
Max
1.218
(30.94)
Max
.875
(22.22)
Max
