Bridge Diode
■外観図OUTLINE
54 J534
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下
さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
低ノイズタイプ シングルインライン型
Low Noise type Single In-line Package
D4SB60L
600V 4A
•薄型S
IP パッケージ
•ULE142422
低ノイズ
高耐圧・高 IFSM
•Thin-SIP
•ULE142422
•LowNoise
•HighVoltageLargeIFSM
Unit:mm
Weight:3.9g(typ.)
Package3S
ロット記 (例
Datecode
管理番号(例)
ControlNo.
品名
TypeNo.
①③
+
〜〜
D4SB 60L 0264
25
15
17.5
4.6
①③
θjc
θjl
θja
D4SB60L 単位
Unit
−40〜150
MAX0.95
MAX 10
MAX 10
MAX 5.5
MAX6
MAX 30
V
μA
μs
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings指定のない場合Tc=25℃/unlessotherwisespeci
項  目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
絶縁耐圧
Dielectric Strength
締め付けトルク
Mounting Torque
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
逆回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
IO
IFSM
I2t
Vdis
TOR
VF
IR
trr
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
接合部・周囲間,フィンなし
Junction to Ambient, Without heatsink
接合部・リード間,フィンなし
Junction to Lead, Without heatsink
接合部・ケース間,フィン付き
Junction to Case, With heatsink
IF=2A,
1素子当たりの規格値
per diode
1素子当たりの規格値
per diode
IF=0.1A,IR=0.1A,
VR=VRM,
●電気的・熱的特性Electrical Characteristics指定のない場合Tc=25℃/unlessotherwisespeci
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1 cycle peak value, Tj = 25℃
一括端子・ケース間,AC1分間印加
Terminals to Case, AC 1 minute
(推奨値:0.5Nm)
Recommended torque : 0.5 Nm)
フィン付き
With heatsink
フィンなし
Without heatsink
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
Tc = 111℃
Ta = 25℃
150
600
4
2.5
150
80
2
0.8
℃
℃
V
A
A
A2s
kV
N・m
2ms≦t<10ms,Tj = 25℃,
電流二乗時間積
Current Squared Time
■定格表RATINGS
Feature
特長
55
J534
■特性図CHARACTERISTIC DIAGRAMS
Sinewave 50Hz で測定しています。
)[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT
*半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。
 Typical は統計的な実力を表しています。
4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO
5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ
D4SB60L
Thin SIP UL Bridge