2N5551 2N5551 IC = 600 mA hFE1 = 80...250 Tjmax = 150C General Purpose NPN Transistors Universal-NPN-Transistoren VCEO =160 V Ptot = 625 mW Version 2018-01-19 16 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstarken Standardausfuhrung 1) Features High voltage Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Hohe Spannungsfestigkeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb EE WE EBC Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) EL V TO-92 (10D3) 18 9 Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack (Raster 2.54) 4000 Weight approx. 2 x 2.54 Dimensions - Mae [mm] Gegurtet in Ammo-Pack (Raster 2.54) 0.18 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen MSL N/A Recommended complementary PNP transistors Empfohlene komplementare PNP-Transistoren 2N5401 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) 2N5551 Collector-Emitter-voltage - Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 160 V Collector-Base-voltage - Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 180 V Emitter-Base-voltage - Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 625 mW 3) IC 600 mA Tj TS -55...+150C -55...+150C Power dissipation - Verlustleistung Collector current - Kollektorstrom DC Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics Kennwerte Tj = 25C Min. Typ. Max. hFE 80 80 30 - - - - 250 - - - 0.15 V 0.20 V 4 DC current gain - Kollektor-Basis-Stromverhaltnis ) VCE = 5 V IC = 1 mA IC = 10 mA IC = 50 mA Collector-Emitter saturation voltage - Kollektor-Emitter-Sattigungsspg. 4) IC = 10 mA IC = 50 mA 1 2 3 4 IB = 1 mA IB = 5 mA VCEsat Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gultig wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 2N5551 Characteristics Kennwerte Tj = 25C Min. Typ. Max. VBEsat - - 1.0 V 1.0 V ICBO - - 50 nA IEBO - - 50 nA fT 100 MHz - 300 MHz CCBO - - 6 pF 1 Base-Emitter saturation voltage - Basis-Emitter-Sattigungsspannung ) IC = 10 mA IC = 50 mA IB = 1 mA IB = 5 mA Collector-Base cutoff current - Kollektor-Base-Reststrom VCB = 120 V E open Emitter-Base cutoff current - Emitter-Basis-Reststrom VEB = 4 V C open Gain-Bandwidth Product - Transitfrequenz IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance - Kollektor-Basis-Kapazitat VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient Warmewiderstand Sperrschicht - umgebung RthA < 200 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] Power dissipation versus ambient temperature 2 ) 2 Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. ) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gultig wenn die Anschlussdrahte in 2 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG