2N5551
2N5551
General Purpose NPN Transistors
Universal-NPN-Transistoren
IC= 600 mA
hFE1 = 80...250
Tjmax = 150°C
VCEO =160 V
Ptot = 625 mW
Version 2018-01-19
TO-92
(10D3)
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
Standardausführung 1)
Features
High voltage
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Spannungsfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped in ammo pack
(Raster 2.54)
4000 Gegurtet in Ammo-Pack
(Raster 2.54)
Weight approx. 0.18 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly
conditions
260°C/10s Löt- und
Einbaubedingungen
MSL N/A
Recommended complementary PNP transistors
Empfohlene komplementäre PNP-Transistoren 2N5401
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
2N5551
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 160 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 180 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6 V
Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 3)
Collector current – Kollektorstrom DC IC600 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis 4)
VCE = 5 V IC = 1 mA
IC = 10 mA
IC = 50 mA
hFE
80
80
30
–
–
–
–
250
–
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 4)
IC = 10 mA IB = 1 mA
IC = 50 mA IB = 5 mA VCEsat
– – 0.15 V
0.20 V
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
4 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
16
18
9
2 x 2.54
EB C
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
2N5551
Characteristics Kennwerte
Tj = 25°C Min. Typ. Max.
Base-Emitter saturation voltage – Basis-Emitter-Sättigungsspannung 1)
IC = 10 mA IB = 1 mA
IC = 50 mA IB = 5 mA VBEsat – – 1.0 V
1.0 V
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Base-Reststrom
VCB = 120 V E open ICBO – – 50 nA
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 4 V C open IEBO – – 50 nA
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
IC = 10 mA, VCE = 10 V, f = 100 MHz fT100 MHz – 300 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE = ie = 0, f = 1 MHz CCBO – – 6 pF
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebung RthA < 200 K/W 2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case
Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
[%]
P
tot
120
100
80
60
40
20
0
[°C]T
A
150100500
Power dissipation versus ambient temperature )
2
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp. )
2
