A. Br 72 (CB 6) (CB 4) N channel field effect transistors (metal case) ; ' . Tamb = 25C Transistors 4 effet de champ, canal N (boitier mtallique } 'gss ViaryGss |(nA) | Ipss Y2is VGsoft Criss | C1258 | "DSon | F /'s Case |(V) (pA) | (mA) (ms) (v) (pF) | (pF) | 2 (dB) (Hz) |TSi 76 Type Boitier | min max min max | min max | min max | max max max max (MHz)" Page 2N 3821 TO72 50 O01 Of 25 15 m 2N 3822 TO72 50 O12 10 3 m 2N 3823 TO 72 30 05 4 20. 3,5 nH 2N 3824 TO72 650 0,1 oO 775 *2N 3966 T7072 30 0,1 2 779 #2N 4091 TO18 40 02.30 |. 785 #2N 4091A TO18 50 25* 30 785 2N 4092 TO18 40 02 15 785 *2N 4092A TO18 S50 25" 15 785 #2N 4093. TO18 40 a2. 8 785 #2N4093A TO18 50 25* 8 =a <5 16 2N 4117. TO 72 40 10* 0,03 0,09 0,07 0,21 06 1,8 3 2N4117A TO72 40 0,03 0,09 0,07 0,21 06 1,8 3 2N 4118 | _TO72 40 10* 0,08 0,24 0,08 026 -1 ~3 3 15 783 2N4118A TO72 40 1* 0,08 0,24 0,08 025 ~1 ~3 3 1,5 793 2N 4119 TO72 40 10* O02 O06 061 033 -2 ~6 3 15 793 N4119A TO72 30 * O02 O6 01 033 -2 -6 3 15 993 2N 4220 TO72 30 01 OF #3 1 4 4 6 2 799 2N 4220A TO72 30 01 Of 3 1 4 -4 6 2 2,5 100 799 2N 4221 TO72 30 1 2 6 2 56 -6 6 2 799 #2N 4221 TO72 30 1 2 6 2 &S -66 #2 25 100 799 *2N4222 TO72_ -30 __ ; ; ; _. . 2N 4222A TO72 30 01 5 16 25 6 -8 6 2 25 100 799 #2N 4391 =~ TO1B 40 01 50 150 -4 -10 14 4 30 803 #2N 4392. TO18 40 01 2 7 | -2 -5 14 4 co 803 #2N 4393. TO18 -40 O41. 5 30 -05-3 14 4 100 B03 *2N 4416 TO72 30 1 5 15 45) (7,5 -6 4 2 4 400" 811 *2N 4417 TO72 35 01 5 15 45 75 -25-6 4 2 4 400* Bit 2N 4446 TO18 25 3-100 2 10 50 25 10 : Big ESM 4446. TO18 25 0,2 100 3 -10 50 2 8 889 2N 4448 TO18 20 3 100 2 10 50 25 12 819 ESM 4448. TO18 25 0.2 50 1 -5 50 25 12 889 2N 4977 TO18 30 05 50 4 10 35 8 15 827 2N 4978 TO18 30 05 15 -2 -8 35 8 20 827 2N 4979 TO18 30 O5 7,5 -05-5 35 8 40 827 *2N6432. TOI -26 O2 150 4 10 30 6 5 841 2N 5433. TOW 25 0,2. 100 -3 -9 30 15 7 841 2n 5424 -TO18 26 02 30 1 4 30 15 10 841 Preferred device Dispositif recommand 57