BAS31, BAS35 BAS31, BAS35 Surface Mount Small Signal Dual Diodes Kleinsignal-Doppel-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2011-10-11 1.1 2.9 0.1 0.4 1.3 2.5 0.1 max 3 Type Code 2 1 Power dissipation - Verlustleistung 350 mW Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 120 V Plastic case Kunststoffgehause SOT-23 (TO-236) Weight approx. - Gewicht ca. 0.01 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert 1.9 Dimensions - Mae [mm] Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Maximum ratings (TA = 25C) Grenzwerte (TA = 25C) per diode / pro Diode BAS31, BAS35 Power dissipation - Verlustleistung 1) Ptot 350 mW 2) Max. average forward current (dc) Dauergrenzstrom IFAV 200 mA 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom IFRM 600 mA 2) IFSM IFSM 1A 2A VRRM 120 V Tj TS -55...+150C -55...+150C Non repetitive peak forward surge current Stostrom-Grenzwert tp 1 s tp 1 s Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) 3 Forward voltage ) Durchlass-Spannung 3) Leakage current Sperrstrom 1 2 3 IF IF IF IF IF = = = = = 10 mA 50 mA 100 mA 200 mA 400 mA VF VF VF VF VF < 750 mV < 840 mV < 900 mV < 1.00 V < 1.25 V Tj = 25C VR = 90 V IR < 100 nA Tj = 150C VR = 90 V IR < 100 A Total power dissipation of both diodes - Summe der Verlustleistungen beider Dioden Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss Tested with pulses tp = 300 s, duty cycle 2% - Gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2% (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS31, BAS35 Characteristics (Tj = 25C) Kennwerte (Tj = 25C) Max. junction capacitance - Max. Sperrschichtkapazitat VR = 0 V, f = 1 MHz CT 35 pF Reverse recovery time - Sperrverzug IF = 10 mA uber/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr < 50 ns RthA < 400 K/W 1) Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft Outline - Gehause Pinning - Anschlussbelegung 3 1 Marking - Stempelung Dual diode, series connection Doppeldiode, Reihenschaltung 1 = A1 2 2 = K2 BAS31 = L21 3 = K1/A2 3 Dual diode, common anode Doppeldiode, gemeinsame Anode 1 1 = K1 2 120 2 = K2 BAS35 = L22 3 = A1/A2 10 [%] [A] 100 1 80 Tj = 125C 60 -1 10 40 Tj = 25C 10-2 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 [C] 10-3 1 Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG