Medium-Power Plastic NPN
Silicon Transistors
...designed for driver circuits, switching, and amplifier
applications. These high–performance plastic devices feature:
•Low Saturation Voltage —
VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 Amp
•Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction —
PD = 30 W @ TC = 25C
•Excellent Safe Operating Area
•Gain Specified to IC = 1.0 Amp
•Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
*MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4921
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2N4922
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2N4923
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous (1)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
3.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
30
0.24
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating & Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS (2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
θJC
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
4.16
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) The 1.0 Amp maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements.
The 3.0 Amp maximum value is based upon actual current handling capability of the
device (see Figures 5 and 6).
(2) Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance.
*Indicates JEDEC Registered Data.
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 10 1Publication Order Number:
2N4921/D
2N4921
thru
2N4923
*ON Semiconductor Preferred Device
1 AMPERE
GENERAL–PURPOSE
POWER TRANSISTORS
40–80 VOLTS
30 WATTS
*
CASE 77–09
TO–225AA TYPE
321
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
2
40
30
20
10
025 50 75 100 125 150
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed.
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
3
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (3)
(IC = 0.1 Adc, IB = 0) 2N4921
2N4922
2N4923
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
60
80
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 20 Vdc, IB = 0) 2N4921
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) 2N4922
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) 2N4923
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.5
0.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc)
(VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEX
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = Rated VCB, IE = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (3)
(IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
30
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
150
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (3)
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.6
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage (3)
(IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (3)
(IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Cob
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
pF
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
25
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
(3) Pulse Test: PW ≈ 300 µs, Duty Cycle ≈ 2.0%.
*Indicates JEDEC Registered Data.
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit
5.0
10
Figure 3. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
VCC = 30 V
IC/IB = 20
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05 20 30 50 70 100 200 700 1000
VCC
SCOPE
RB
Cjd<<Ceb
-4.0 V
t1 ≤ 15 ns
100 < t2 ≤ 500 µs
t3 ≤15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
Vin
RC
0.07
3.0 IC/IB = 10, UNLESS NOTED
VCC = 30 V
VCC = 60 V
VBE(off) = 2.0 V
VCC = 30 V
VBE(off) = 0
300 500
tr
td
t1
VBE(off)
APPROX 9.0 V
TURN-ON PULSE
t3
t2
Vin
APPROX
+11 V
Vin
TURN-OFF PULSE
APPROX
+11 V
RB and RC varied to
obtain desired
current levels
TJ = 25°C
TJ = 150°C
VCC = 60 V
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
4
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.03
r(t), TRANSIENT THERMAL
RESISTANCE (NORMALIZED)
0.05 0.1 0.2 0.3 0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 300 1000500
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 4.16°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
0.1
SINGLE PULSE
10
1.0
Figure 5. Active–Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5.0
2.0
1.0
0.5
0.1 2.0 3.0 5.0 10 20 30 50 10070
0.2
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°Cdc
5.0 ms
7.0
PULSE CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
SECOND BREAKDOWN
LIMITED
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
7.0
3.0
0.7
0.3
1.0 ms 100 µs
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate I C – V CE
operation i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC
is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. At high case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by second breakdown.
tµ
s, STORAGE TIME (s)
′
5.0
10
Figure 6. Storage Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05 20 30 50 70 500 700 1000
0.07
100
3.0
0.7
200 300
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC/IB = 10 IC/IB = 20
5.0
10
Figure 7. Fall Time
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05 20 30 50 70 500 700 1000
0.07
100
3.0
0.7
200 300
TJ = 25°C
TJ = 150°C
IC/IB = 20
IC/IB = 10
IC/IB = 20
tµ
f, FALL TIME (s)
IB1 = IB2
ts′ = ts - 1/8 tf
VCC = 30 V
IB1 = IB2
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
RBE, EXTERNAL BASE-EMITTER RESISTANCE (OHMS)
1000
2.0
Figure 8. Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10 3.0 5.0 10 20 30 200 300 500 2000
500
200
100
70
Figure 9. Collector Saturation Region
1.0
0.2
IB, BASE CURRENT (mA)
00.3 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 200
0.8
0.6
0.4
0.2
IC = 0.1 A
TJ = 25°C
0.25 A 0.5 A 1.0 A
700
300
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ = 150°C
25°C
-55°C
VCE = 1.0 V
50
30
20
50 100 1000 3.0 30 100
108
0
Figure 10. Effects of Base–Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
30 60 90 120 150
107
105
104
103
VCE = 30 VIC = 10 x ICES
IC = 2 x ICES
IC ≈ICES
ICES VALUES
OBTAINED FROM
FIGURE 12
106
1.5
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
5.0 10 20 30 50 100 200 300 2000
1.2
0.9
0.6
0.3
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. “On” Voltage
3.0 500 1000
VBE @ VCE = 2.0 V
104
-0.2
Figure 12. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
103
102
10-1
, COLLECTOR CURRENT (A)µIC
-0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5
VCE = 30 V
TJ = 150°C
100°C
25°C
REVERSE FORWARD
IC = ICES
+2.5
2.0
Figure 13. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
3.0 5.0 10 20 30 50 100 200 2000
-55°C to +100°C
TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)°
+2.0
+1.5
+0.5
0
-0.5
-1.0
-1.5
-2.0
-2.5
θVB FOR VBE
TJ = 100°C to 150°C
*APPLIES FOR IC/IB ≤hFE@VCE 1.0V
2
+1.0
300 500 1000
101
100
10-2
*θVC FOR VCE(sat)
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
ISSUE V
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
–A– M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.055 1.15 1.39
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 --- 1.02 ---
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
7
Notes
2N4921 thru 2N4923
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty , representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
2N4921/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver , Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
