> DO4 (CB 33) Fast recovery silicon rectifier diodes tr, 200 ns Diodes de redressement rapides au silicium trp 200 ns Ve / te | in/VRAM Tiwi) lesm (v) {A) | (mA) lr Case Vern | (C) Ig (A) (Al 25 0c Tyj) 100C | Ins) DRT 76 Type Boitier (Vv) max Tease 100C | th 10 ms max max max Page 1N 3879 boO4 50 150 6 75 1,4 6 1 200 185 1N 3880 B04 100 150 6 75 1,4 6 1 200 185 1N 3881 bo4 200 150 6 715 1,4 6 1 200 185 1N 3882 po4 300 150 6 76 1,4 6 1 200 185 1N 3883 DdoO4 400 150 & 75 1,4 6 1 200 185 1N 3889 bo4 50 150 12 150 1,4 12 3 200 195 1N 3890 bo4 100 150 12 150 1,4 12 3 200 195 1N 3891 004 200 150 12 150 1,4 12 3 200 195 1N 3892 DbO4 300 150 12 150 1,4 12 3 200 195 1N 3893 oo4 400 150 12 150 1,4 12 3 200 195 BY X 62-600 004 600 150 12 150 1,4 12,3 200 205 1N 3899 DOS 50 150 20 225 1,4 20 6 200 205 1N 3900 DOs 100 150 20 225 1,4 20 6 200 205 1N 3901 bO5 200 150 20 225 1,4 20 6 200 205 1N 3902 005 300 150 20 225 1.4 20 6 200 205 1N 3903 DO Ss 400 150 20 225 1,4 20 6 200 205 BY X 63-600 005 600 150 20 225 1,4 20 6 200 205 1N 3909 005 50 150 30 300 1,4 30 6 200 215 1N 3910 bos 100 150 30 300 1,4 30 6 200 215 1N 3911 005 200 150 30 300 1,4 30 6 200 215 IN 3912 005 300 150 30 300 1,4 30. 6 200 215 IN 3913 DO 5s 400 150 30 300 1,4 30 6 200 215 BY X 64-600 DOS 600 150 30 300 1,4 30 6 200 215 ESM 244-50 DOs 50 165 60 800 1,3 60 6 200 309 ESM 244-100 DOS 100 165 60 800 1,3 60 6 200 309 ESM 244-200 DOS 200 165 60 800 1,3 60 6 200 309 ESM 244-300 DOS 300 165 60 sco 1,3 60 6 200 309 ESM 244-400 0O5 400 165 60 8co 1,3 60 6 200 309 ESM 244-500 DOS 500 165 60 800 1,3 60 6 200 309 ESM 244-600 DO5 600 165 60 8co 1,3 60 6 200 309 ' JEDEC method IR 1A,V 4) 25 0 1 Mthode JEDEC R30 V, dip / dt IS A/ us, Tiyj) 25 9C 105