汕头华汕电子器件有限公司
PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R
HSBD140 对应国外型号
BD140
█ 主要用途 █ 外形图及引脚排列
中功率线性开关
1―发射极，E
2―集电极，C
3―基 极，B
█ 极限值（Ta=25℃）
█ 电参数（TC=25℃）
Tstg——贮存温度………………………………… -55~150℃
Tj——结温…………………………………………… 150℃
PC——集电极功率耗散（Tc=25℃）…………………… 12.5W
PC——集电极功率耗散（TA=25℃）………………………1.25W
VCBO——集电极—基极电压……………………………… -80
V
VCEO——集电极—发射极电压…………………………… -80V
VEBO——发射极—基极电压…………………………………-5V
IC——集电极电流(Pulse)…………………………………… -3A
IC——集电极电流(DC)…………………………………… -1.5A
IB——基极电流…………………………………………… -0.5A
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
ICBO 集电极—基极截止电流 -0.1 μA VCB= -30V, IE=0
IEBO 发射极—基极截止电流 -10 μA VEB= -5V, IC=0
*hFE(1) 直流电流增益(1) 25
VCE= -2V, IC= -5mA
*hFE(2) 直流电流增益(2) 25
VCE= -2V, IC= -0.5A
*hFE(3) 直流电流增益(3) 40 250
VCE= -2V, IC= -150mA
*VCE(sat) 集电极—发射极饱和压降 -0.5 V Ic= -500mA, IB= -50mA
*VBE(ON) 基极—发射极电压 -1.0 V Ic= -0.5A, VCE= -2V
*VCEO(SUS) 集电极—发射极维持电压 -80 V Ic= -30mA,IB=0
*Pulse Test: PW=350μS,Duty Cycle=2% Pulsed
█hFE(3)分档及其标志
Cassification 6 10 16
hFE(3) 40~100 63~160 100~250
