NTE5576 & NTE5578 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 175 Amps, TO94 Absolute Maximum Ratings: (TJ = +125C unless otherwise specified) Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non-Repetitive Peak Off-State Voltage, VDSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V Non-Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM NTE5576 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V NTE5578 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V Average On-State Current (Half Sine Wave, TC = +90C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110A RMS On-State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A Continuous On-State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 175A Peak One-Cycle, Non-Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM 60% VRRM reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2450A VR 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2695A Maximum I2t for Fusing (VR 10V), I2t 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 36300A2sec 10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27000A2sec Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 19A Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 18V Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W Peak Gate Power (100s Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W Rate of Rise of Off-State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/s Rate of Rise of ON-State Current, di/dt (Gate Drive 20V, 20, with tr 1s, Anode Voltage 80% VDRM) Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/s Non-Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/s Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125C unless otherwise specified) Peak On-State Voltage (ITM = 377A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.57V Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.9V Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.79m Repetitive Peak Off-State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25C), IGT . . 150mA Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25C), VGT . . . . . 3V Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA Electrical Characteristics (Cont'd): (Maximum values @ TJ = +125C unless otherwise specified) Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +125C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . -40 to +150C Thermal Resistance, Junction-to-Case (VF = Max Rating), RtnJC DC and 180 Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.23C/W 120 Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.28C/W Thermal Resistance, Case-to-Heat Sink, RthC-HS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.08C/W 1.227 (31.18) Max (Across Corners) CC CC .875 (22.22) Dia (Ceramic) For No. 6 Screw Cathode .280 (7.11) Dia Max Gate (White) 7.500 Cathode (190.5) (Red) Max (Terminals 1 & 2) 6.260 (159.0) Max (Terminal 3) 2.500 (63.5) Max 1.031 (26.18) Dia Max Seating Plane .827 (27.0) Max .500 (12.7) Max) 1/2-20 UNF Anode