Semiconductor Group 1 1998-08-27
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Neu: in SMT und als Reverse Gullwing
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
New: in SMT and as Reverse Gullwing
BPW 34 FA
BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified
GEO06643
4.0
3.7 4.3
4.5
5.4
4.9
0.6
0.4
0.6
0.4
1.2
0.7
0.3
0.5
0.8
0.6
Cathode marking
0.6
0.8
1.9
2.2
3.0
3.5
0.6
0.4
Chip position
0.4
0.6
0.35
0.2
0 ... 5˚
5.08 mm
spacing
Approx. weight 0.1 g
1.4
Photosensitive area
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
feo06075
BPW 34 FA
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für den Wellenlängen-
bereich von 830 nm bis 880 nm
●Kurze Schaltzeit (typ. 20 ns)
●DIL-Plastikbauform mit hoher
Packungsdichte
●BPW 34 FAS/(E9087): geeignet für
Vapor-Phase Löten und IR-Reflow Löten
Anwendungen
●IR-Fernsteuerung von Fernseh- und
Rundfunkgeräten, Videorecordern,
Gerätefernsteuerung
●Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
Features
●Especially suitable for the wavelength range
of 830 nm to 880 nm
●Short switching time (typ. 20 ns)
●DIL plastic package with high packing
density
●BPW 34 FAS/(E9087): Suitable for
vapor-phase and IR-reflow soldering
Applications
●IR-remote control of hi-fi and TV sets, video
tape recorders, remote controls of various
equipment
●Photointerrupters
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Semiconductor Group 2 1998-08-27
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
BPW 34 FA Q62702-P1129
BPW 34 FAS Q62702-P463
BPW 34 FAS (E9087) Q62702-P1829
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06863
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
±0.2
feo06861
BPW 34 FAS
4.5
4.3
4.0
3.7 1.5
1.7
0.9
0.7
Photosensitive area Cathode lead
GEO06916
0.3
6.7
6.2
1.2
1.1
0...0.1
Chip position
0...5˚
0.2
0.1
1.1
0.9
2.65 mm x 2.65 mm
1.8
±0.2
feo06916
BPW 34 FAS (E9087)
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Semiconductor Group 3 1998-08-27
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 40 ... + 85 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR32 V
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 150 mW
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Ee = 1 mW/cm2
S50 (≥ 40) µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 880 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ730 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A7.00 mm2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
2.65 ×2.65 mm ×mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 10 V
Dark current IR2 (≤ 30) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity Sλ0.65 A/W
Quantenausbeute
Quantum yield η0.93 Electrons
Photon
Leerlaufspannung, Ee = 0.5 mW/cm2
Open-circuit voltage VO320 (≥ 250) mV
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Semiconductor Group 4 1998-08-27
Kurzschlußstrom, Ee = 0.5 mW/cm2
Short-circuit current ISC 23 µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 5 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf20 ns
Durchlaßspannung, IF= 100 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C072 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
TCI0.03 %/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V
NEP 3.9 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 10 V,
Detection limit D* 6.8 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 870 nm)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
BPW 34 FA, BPW 34 FAS
BPW 34 FAS (E9087)
Semiconductor Group 5 1998-08-27
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
OHF01402
90
80
70
60
50
40 30 20 10
20 40 60 80 100 1200.40.60.81.0
ϕ
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
100 0
0
0
Relative spectral sensitivity
Srel =f (λ)
Dark current
IR=f (VR), E = 0
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
Capacitance
C=f (VR), f = 1 MHz, E = 0
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Dark current
IR=f (TA), VR= 10 V, E = 0
λ
OHF01430
400
rel
S
0600 800 1000 nm 1200
10
20
30
40
50
60
70
80
%
100
0
OHF00080
Ι
R
R
V
0 5 10 15 V 20
1000
2000
3000
4000
pA
E
OHF01428
e
0
10
P
Ι
-1
10 10
1
10
2
10
4
10
0
10
1
10
2
10
34
10
3
10
2
10
1
10
10
0
V
O
µ
AmV
Ι
P
V
O
2
W/cm
µ
V
OHF00081
R
-2
10
C
0
-1
10
0
10
1
10
2
10V
10
20
30
40
50
60
70
80
pF
100
T
OHF00958
A
0
tot
P
020 40 60 80 ˚C 100
mW
20
40
60
80
100
120
140
160
T
OHF00082
A
-1
10 0
R
Ι
10
0
10
1
10
2
10
3
nA
20 40 60 80 ˚C 100
