GBU12A ... GBU12M
GBU12A ... GBU12M
Silicon-Bridge-Rectifiers
Silizium-Brückengleichrichter
Version 2012-10-08
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
12 A
Alternating input voltage
Eingangswechselspannung
35...700 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
21.5 x 18.2 x 3.4 [mm]
Weight approx. – Gewicht ca. 3.8 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging bulk
Standard Lieferform lose im Karton
Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067
Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067
Maximum ratings Grenzwerte
Type
Typ
Max. alternating input voltage
Max. Eingangswechselspannung
VVRMS [V]
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V] 1)
GBU12A 35 50
GBU12B 70 100
GBU12D 140 200
GBU12G 280 400
GBU12J 420 600
GBU12K 560 800
GBU12M 700 1000
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 60 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 270/300 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 375 A2s
Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
Admissible torque for mounting
Zulässiges Anzugsdrehmoment
M3 9 ± 10% lb.in.
1 ± 10% Nm
1 Valid per diode – Gültig pro Diode
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
21.5
±0.7
3.6
±0.2
5.08
1.1
+0.2
1.7
±0.1
5.6
0.5
+0.1
2.2
3.4
±0.1
5.3
18.2
±0.2
GBU ... +
–~~
1.8
- 0.1
GBU12A ... GBU12M
Characteristics Kennwerte
Max. rectified current without cooling fin
Dauergrenzstrom ohne Kühlblech
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
8.4 A 1)
7.4 A 1)
Max. rectified current with cooling fin 300 cm²
Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm2
TA = 50°C R-load
C-load
IFAV
IFAV
12.0 A
9.6 A
Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12 A VF< 1.0 V 2)
Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR< 5 µA
Thermal resistance junction to case
Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse
RthC < 2.7 K/W
Type
Typ
Max. admissible load capacitor
Max. zulässiger Ladekondensator
CL [µF]
Min. required protective resistor
Min. erforderl. Schutzwiderstand
Rt [Ω]
GBU12A 20000 0.2
GBU12B 10000 0.4
GBU12D 5000 0.8
GBU12G 2500 1.6
GBU12J 1500 2.4
GBU12K 1000 3.2
GBU12M 800 4.0
1 Valid, if leads are kept at ambient temperature TA = 50°C at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur TA = 50°C gehalten werden
2 Valid per diode – Gültig pro Diode
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
10
1
10
3
2
-1
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
270a-(12a-1v)
