BA157 ... BA159
BA157 ... BA159
Fast Silicon Rectifier Diodes – Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden
Version 2013-01-21
Dimensions - Maße [mm]
Nominal current
Nennstrom
1 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
400...1000 V
Plastic case
Kunststoffgehäuse
~DO-41
~DO-204AC
Weight approx.
Gewicht ca.
0.4 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings and characteristics Grenz- und Kennwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse volt.
Period. Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse volt.
Stoßspitzensperrspanng.
VRSM [V]
Typ. junction capacitance
Typ. Sperrschichtkapazität
Cj [pF] 1)
BA157 400 400 12
BA158 600 600 12
BA159 1000 1000 12
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C IFAV 1 A 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 2)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 35/40 A
Rating for fusing – Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 6 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+175°C
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Tj = 25°C IF = 1 A VF< 1.3 V
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 100 µA
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
IF = 0.5 A through/über
IR = 1 A to IR = 0.25 A
trr < 300 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 45 K/W 2)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthL < 15 K/W
1 Measured at f = 1 MHz, VR = 4 V – Gemessen bei f = 1 MHz, VR = 4 V
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Type
Ø 0.77
±0.07
Ø 2.6
0.1±
62.5
+0.5
5.1
-0.1
-4.5
BA157 ... BA159
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
I
FAV
[%]
120
100
80
60
40
20
0
[°C]
T
A
150100
50
0
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
0.4 V
F
0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8
T = 25°C
j
T = 125°C
j
35a-(1a-1.3v)
100
10
1
0.1
[µA]
I
R
Leakage current vs. junction temp. (typ. values)
Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.)
T
j
[°C]
050 100 150
10
8
6
4
2
0
C
j
Junction capacitance versus reverse voltage
Sperrschichtkapazität in Abh. von der Sperrspg.
[pF]
Typical values
Typische Werte
