BA157 ... BA159 BA157 ... BA159 Fast Silicon Rectifier Diodes - Schnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-01-21 Nominal current Nennstrom 1A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 0.1 Plastic case Kunststoffgehause ~DO-41 ~DO-204AC -0.1 Weight approx. Gewicht ca. 5.1 Type +0.5 62.5 -4.5 O 2.6 400...1000 V 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert O 0.770.07 Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Dimensions - Mae [mm] Maximum ratings and characteristics Type Typ Grenz- und Kennwerte Repetitive peak reverse volt. Period. Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse volt. Stospitzensperrspanng. VRSM [V] Typ. junction capacitance Typ. Sperrschichtkapazitat Cj [pF] 1) BA157 400 400 12 BA158 600 600 12 BA159 1000 1000 12 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75C IFAV 1 A 2) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 2) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stostrom fur eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25C IFSM 35/40 A Rating for fusing - Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25C i2t 6 A2s Tj TS -50...+150C -50...+175C VF < 1.3 V Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25C Leakage current Sperrstrom Tj = 25C VR = VRRM Tj = 100C VR = VRRM IR IR < 5 A < 100 A Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/uber IR = 1 A to IR = 0.25 A trr < 300 ns Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 45 K/W 2) Thermal resistance junction to leads Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 15 K/W 1 2 IF = 1 A Measured at f = 1 MHz, VR = 4 V - Gemessen bei f = 1 MHz, VR = 4 V Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BA157 ... BA159 120 102 [%] [A] 100 10 80 Tj = 125C 1 60 40 Tj = 25C 10 -1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [C] 35a-(1a-1.3v) 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) VF 0.8 1.0 1.2 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 100 1.4 Typical values Typische Werte [pF] [A] 8 10 6 4 1 2 IR Cj 0.1 0 0 Tj 50 100 [C] 150 Leakage current vs. junction temp. (typ. values) Sperrstrom in Abh. v.d. Sperrschichttemp. (typ.) Junction capacitance versus reverse voltage Sperrschichtkapazitat in Abh. von der Sperrspg. Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden 2 http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG