1N5817 ... 1N5819 1N5817 ... 1N5819 IFAV = 1 A VF1 < 0.75 V Tjmax = 150C Schottky Barrier Rectifier Diodes Schottky-Gleichrichterdioden VRRM = 20...40 V IFSM = 40/44 A Version 2016-11-23 0.05 0.1 6.3 Type 62.5 -4.5 O 0.80.05 Features Low forward voltage drop Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen Ausgangsgleichrichtung in Gleichstromwandlern, Verpolschutz, Freilaufdioden Standardausfuhrung 1) RoHS Pb EE WE +0.5 O3 Typical Applications Output Rectification in DC/DC Converters, Polarity Protection, Free-wheeling diodes Commercial grade 1) EL V ~DO-15 / ~DO-204AC Besonderheiten Niedrige Fluss-Spannung Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Mechanical Data 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehausematerial Solder & assembly conditions 260C/10s Lot- und Einbaubedingungen Dimensions - Mae [mm] MSL N/A Maximum ratings 2) Type Typ Grenzwerte 2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stospitzensperrspannung VRSM [V] 1N5817 20 20 1N5818 30 30 1N5819 40 40 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 75C IFAV 1 A 3) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 10 A 3) 50 Hz (10 ms) 60 Hz (8.3 ms) IFSM 40 A 44 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms i2t 8 A2s Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur Tj TS -50...+150C -50...+175C Peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung 1 2 3 Half sine-wave Sinus-Halbwelle Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 1N5817 ... 1N5819 Characteristics Kennwerte Type Typ Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] Junction capacitance Sperrschichtkapazitat @ IF [A] @ Tj Cj [pF] @ VR [V] 1N5817 < 0.75 3.0 25C typ. 80 4 1N5818 < 0.875 3.0 25C typ. 80 4 1N5819 < 0.90 3.0 25C typ. 80 4 Leakage current Sperrstrom Tj = 25C Tj = 100C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 1 mA < 10 mA Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to lead Warmewiderstand Sperrschicht - Anschlussdraht RthL < 15 K/W 120 2 10 [%] [A] 100 10 1N5817 80 1N5818 1 60 40 1N5819 -1 10 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [C] T j = 25C 0 VF 0.4 0.6 [V] 1.0 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gultig, wenn die Anschlussdrahte in 10 mm Abstand vom Gehause auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG