Bridge Diode
22 (J534)
特長
S1NBB80
デュアルインライン型
Dual In-Line Package
800V 1A
•小型D
IP パッケージ
• 端子間 3.4mm
•Small-DIP
•Pin-distance3.4mmforisolation
Package:1NA
Package:1NA
外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照
下さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。
'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOTSFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS
4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOHSFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH
5FSNJOBM$POOFDUJPOu
Unit:mm
Weight:0.29g(typ.)
Unit:mm
Weight:0.29g(typ.)
S1NBB80 単位
Unit
℃
℃
V
A
A
A2s
V
μA
℃/W
●絶対最大定格Absolute Maximum Ratings(指定のない場合Tl= 25℃/unlessotherwisespeci
項 目
Item
記号
Symbol 条 件
Conditions
品 名
TypeNo.
保存温度
Storage Temperature
接合部温度
Operation Junction Temperature
せん頭逆電圧
Maximum Reverse Voltage
出力電流
Average Rectified Forward Current
せん頭サージ順電流
Peak Surge Forward Current
順電圧
Forward Voltage
逆電流
Reverse Current
熱抵抗
Thermal Resistance
Tstg
Tj
VRM
Ta=26℃*1
IO
IFSM
VF
IR
θjl
θja
50Hz正弦波,非繰り返し1サイクルせん頭値,Tj = 25℃
50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃
50Hz正弦波,抵抗負荷
50Hz sine wave,
Resistance load
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
パルス測定,1素子当たりの規格値
Pulse measurement, per diode
IF=0.5A,
VR=VRM,
接合部・リード間
Junction to Lead
接合部・周囲間
Junction to Ambient
●電気的・熱的特性 Electrical Characteristics(指定のない場合Tl= 25℃/unlessotherwisespeci
MAX1.05
MAX10
MAX15
*1MAX68
*2MAX84
−40〜150
150
800
1
0.84
50
6
電流二乗時間積
Current Squared Time 1ms≦t<10ms,Tj=25℃,
I2t
*1:プリント基板実装,銅箔パターン324
mm
2
On glass-epoxy substrate, copper soldering pad area 324
mm
2
*2:プリント基板実装,銅箔パターン101
mm
2
On glass-epoxy substrate, copper soldering pad area 101
mm
2
Ta=25℃*2
1素子当たりの規格値
per diode
)
)
■定格表 RATINGS
■外観図 OUTLINE
2.6
6.8
S1NBB
8000
③②
④④− ①+
③〜 ②〜
①
10
ロット記号(例)
Datecode
品名略号
TypeNo.
級表示(例)
Class
6.8
④④− ①+
③〜 ②〜
③②
①
SINBB
8000
2.5
4.4
6.5
ロット記号(例)
Datecode
品名略号
TypeNo.
級表示(例)
Class
Feature