DO4 DO5 CB 170 CB 150 (CB 33) (CB 34) (TO 126) Fast recovery silicon rectifier diodes try 100 ns Diodes de redressement rapides au silicium try 100 ns Ve te 7 IR/VRRM Twi) lesm wv) (A) | {may tr! DRT 76 Case Vrarm | (C) Ig {A} (A) 25C Tiyj) 100C | (ns) Page Type Boitier (Vv) max Tease 100 C to 10 ms max max max BY X 61-50 DO4 50 150 12 150 1,5 12. 3 100 239 BYX 61-100 004 100 150 12 150 1,5 12, (3 100 239 BYX 61-200 004 200 150 12 150 1,5 12.3 100 239 BYX 61-300 004 300 150 12 150 1,5 12. 3 100 239 BYX 61-400 DO4 400 150 12 150 15 12,003 100 BY X 6550 DOs 50 150 30 300 1,5 30 10 100 249 BYX65100 DOS 100 150 30 300 1,5 30.010 100 249 BYX 65-200 DO5 200 150 30 300 1,5 30.10 100 249 BYX 65-300 DO5 300 150 30 300 1,5 30 10 100 249 BYX65400 DOS 400 150 30 300 15 3010 100 249 ESM 243-50 DO5 50 165 60 800 1,3 60 10 100 299 ESM 243-100 DO5 100 165 60 800 13 60 10 100 299 ESM 243-200 DOS5 200 165 60 800 1,3 60 10 100 299 ESM 243-300 DOS 300 165 60 800 1,3 6010 100 299 ESM 243-400 DO5 400 165 60 800 1,3 6010 100 299 ' JEDEC method | Mthode sepec (F 1 VR30V, dip /dt 15 A f us, Tyyj) 25 C Fast recovery silicon rectifier diodes ty, 150 ns Diodes de redressement rapides au silicium trp 150 ns ve / te |in/Varm Tiwi) lesm (vy) (A) } (mA) tre Case Ver | (C) 19 (A) (a) 25C Tiyj) 125C | (ns) DRT 76 Type Boitier (Vv) max tp 10 ms max max max Page 1N 4942 CB 170 200 178 1 Tamb 55C 30 13 1 0,13 1501 225 1N 4944 CB 170 400 175 1Tamb 55C 30 1,3 1 01 1s0' 225 1N 4946 ce 170 600 1756 1 Tamb 55C 30 1,3 1 01> 150 7 225 1N 4947 CB 170 800 178 1 Tamb 55C 30 13 1 o1 250! 225 1N 4948 CB 170 1000 175 1Tamb 55C 30 1,3 1 01? 500 ! 225 ESM 255-50 R CB 150 50 130 6 Tease 85C 80 1,4 6 0,5 1507329 ESM 255-100 R_ CB 150 100 130 6 Tease 85C 80 1.4 6 0,5 1507 329 ESM 255-200 R CB 150 200 130 6 Tcase 85C 80 1,4 6 05 1507-329 ESM 255-300 R CB 150 300 130 6 Tease 85C 80 14 6 05 1507 329 ESM 255-400 R_ CB 150 400 130 6 Tcase 85C 80 14 6 0,5 150? 329 ' Typical values. See data sheet for test conditions 1 Vateurs typiques. Voir notice pour les conditions de test 2 JEDEC method 2 Mthode JEDEC 3 Tyjp 100 C Ip 1A, VR 30 V, dip / dt 15.4 /us, Tyyj) 25 C 104