ES2A ... ES2J
ES2A ... ES2J
Superfast Efficient SMD Rectifier Diodes
Superschnelle SMD-Gleichrichter für hohen Wirkungsgrad
IFAV = 2 A
VF1 < 0.90 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 50 ...600 V
IFSM = 50 A
trr < 20...35 ns
Version 2015-10-26
~ SMB / ~ DO-214AA
Dimensions - Maße [mm]
Typical Applications
Rectification of higher frequencies
High efficient switching stages
Commercial grade 1)
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Wandlerstufen mit hohem Wirkungsgrad
Standardausführung 1)
Features
Extremely low reverse recovery time
Low forward voltage drop
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Extrem niedrige Sperrverzugszeit
Niedrige Fluss-Spannung
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 13“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.1 g Gewicht ca.
Case material UL 94V-0 Gehäusematerial
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
ES2A 50 50
ES2B 100 100
ES2C 150 150
ES2D 200 200
ES2F 300 300
ES2G 400 400
ES2J 600 600
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TT = 100°C IFAV 2 A
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz IFRM 10 A 3)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C IFSM 50 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C i2t 12.5 A2s
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+150°C
-50...+150°C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Max. temperature of the terminals TT = 100°C – Max. Temperatur der Anschlüsse TT = 100°C
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
1.1
2.2
± 0.2
Type
Typ
2.1
± 0.1
3.7
± 0.3
2
4.6
± 0.5
5.4
± 0.5
0.15
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
ES2A ... ES2J
Characteristics Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
trr [ns] 1)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
VF [V] at / bei IF [A]
ES2A...ES2D < 20 < 0.90 2
ES2F...ES2G < 25 < 1.3 2
ES2J < 35 < 1.7 2
Leakage current
Sperrstrom
Tj = 25°C
Tj = 100°C
VR = VRRM
VR = VRRM
IR
IR
< 5 µA
< 350 µA
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
VR = 4 V Cj15 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA < 50 K/W 2)
Thermal resistance junction to terminal
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss
RthL < 15 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
2 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Rated forward current vs. temp. of the terminals
in Abh. v. d. Temp. der TerminalsZul. Richtstrom
120
100
80
60
40
20
0
I
FAV
[%]
[°C]
T
T
150100
50
0
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
[V]V
F
10
1
0.1
10
10
-2
-3
ES2A...D
T = 25°C
j
ES2F...G
ES2J
