NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL PLANAR TRANSISTORS NPN SILICIUM, PLANAR EPITAXIAUX Compl. of BSV 15, BSV 16 BSX 45 BSX 46 - LF amplification Amplification BF 40V BSX 45 - Low speed switching VcEO 60 V BSX 46 Commutation lente 40 - 100 cl 6 100 - 250 cl 16 fr 50 MHz min. Maximum power dissipation se Dissipation de puissance maximale Boitier Prot (wy 4 0 o 50 100 150 200 TA {C) Masse Weight : 0,95 g. oF Case TO-39 See outline drawing CB-7 on last pages Voir dessin cot CB-7 dernidras pages Collector is connected to case Le collecteur est reli au boftier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) T,_4,= +25 C VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION ami (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) BSX 45 BSX 46 Vcro 40 60 Vv Collector-emitter voltage Tensit He -metter ension collecteur-metteur Vee = Vers 80 100 Vv Emitter-base voltage Vv Tension metteur-bese EBO 7 7 V Collector current I 1 1 A Courent collecteur Cc Base current ! A Courant base B 0,2 0,2 Vege <6V 5 Ww Power dissipation Toase = 25C Prot Dissipation de puissance Voe <7V 5 Ww Junction temperature T; Temprature de jonction max j 175 175 c Storage temperature min T.. 65 65 C Temprature de stockage max stg +175 +175 C 75-09 1/6 THOMSON Ce 713BSX 45, BSX 46 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Min. Typ. Max. Conditions de mesure Vee= 60V Vere 0 1 30 nA Voge 60V Collector-emitter cut-off current - Courant rsiduel collecteur-metteur VeE= 9 Ces 1 10 BA Tamb= 150C Voges 60V Vee= 0,2V loex 50 BA Tomb= 100C Emitter-base cut-off current = 1 Courant rsidue!l metteur-base VeB SV EBO 10 nA I. = 50mMmA BSX 45 40 Ic 20 VipRiceo* B BSX 46 60 Coliector-emitter breakdown voltage Tension de claquage collecteur-6metteur le = 100 uA Vv BSX 45 80 Vv = (BR)CES Vee 9 BSx 46 | 100 Emitter-base breakdown voltage le = 100 nA Vv Tension de claquage metteur-base lo =0 (BR)EBO 7 Vv (cl 6) 28 Vera 1V lo = 0,1 mA hore (el 10) 40 (cl 16) 90 {cl 6) 40 100 Vee=1V oe 100 mA (cl 10) | 63 160 c= Static forward current transfer ratio (el 16) 100 250 Valeur statique du rapport de transfert direct du courant (cl 6) 25 Vee=1Vv * ; CET OBA hoie (cl 10) 35 c =u: (cl 16) 60 (cl 6) 15 Vece cE x (cl 10) 20 c= {cl 16) 30 * Pulsed t 6 <2% imputsions = 300 js 2/6 714BSX 45, BSX 46 STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb~ (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. . Vee=1V Base-emitter voltage CE Vv Tension base-metteur Io = 1A BE 132 Vv Collector-emitter saturation voltage Ig =A Vv 07 #1 Vv Tension de saturation collecteur-metteur lp =01A CEsat , DYNAMIC CHARACTERISTICS T = 25C CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES amb Transition f lo = 50 mA ransition frequency f. Frquence de transition VcE= 10V T 50 MHz = 20 MHz Vep= 10V BSX 45 25 pF Output capacitance | =-0 Coan Capacit de sortie = f =1MHz BSX 46 20 pF Vep= 0.5 V Input capacitance _ Cc 80 F Capacit dentre Io = 11b Pp f =1MHz le = 100 pA Vce= 10V Noise figure ; f =1kHz F 35 dB Facteur de bruit At = 200Hz Rg = 1kQ SWITCHING CHARACTERISTICS Tamb = 25C CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Turn-on time Ig = 100mA ty +t 200 ns Temps total dtablissement Ipy~lgo~ 5mA d r Turn-off time Ig = 100mA t+ ty 850 ns Temps total de coupure tei = 'po* 5mA 3/6 716BSX 45, BSX 46 SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION Oscilloscope 1kQ ~~ Oscilloscope t< 15 ns 7 =502 t, < 15 ns - Zz =800 502 1kQ 200 2 1N 916 + BV = 20V ah LIMITING VALUES VALEURS LIMITES ABSOLUES BSX 45 BSX 46 Prot ) Voe <6V 0 50 100 1580 Tease C) 0 50 100 150 Toayy (C) 4/6 716BSX 45, BSX 46 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Classe 6 IgtA) 08 0,6 0,4 0,2 0 1 2 VogtV) Classe 10 Classe 16 10 10 10! 10? Igima) 5/6 717BSX 45, BSX 46 TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES Vercat'! Vegeat(W) BEsat CEsat T rd \ t \ Cc c 1,4 > =20 f 1,4 jo =20 'p ! ' 1,2 a 1,2 1 Af} 1 a Tamb = 80 C (typ) Let | W [ 0,8 t+ wn 0,8 7 Lert LL 4 y 25C (max. bP eof i 0,6 }25C typ. )pe pete 7 0,6 7 25C trnin ma 4 0,4 |-1~150C (typ.) mee] 0,4 4 Tamb=25 C {max.) 7 y/ yj 02 0,2 fES02E typ.) tem te ee or yy L ' BB C ityp. ae 150 C (typ), oh 0 0 5C (min) | es 2 5 2 58 2 5 2 10 10 10! 107 igtmas 10 = 10 10" 10? ig ima) Vag (V) (MHz) 8 1,4 6 4 1,2 1 2 0,8 107 3 0,6 6 4 0,4 0,2 2 9 10! 10 10 10! 107 Ig ima) 10 10! 10? Igtma) ~ 6/6 718