TIP29, A, B, C (NPN),
TIP30, A, B, C (PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching
applications. Compact TO–220 AB package.
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
TIP29
ÎÎÎÎ
TIP29A
ÎÎÎ
TIP29B
ÎÎÎ
TIP29C
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
9
TIP30
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
9
TIP30A
ÎÎÎ
ÎÎÎ
9
TIP30B
ÎÎÎ
ÎÎÎ
9C
TIP30C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter
Voltage
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base
Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
40
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎ
ÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base
Voltage
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.4
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Total Power
Dissipation
@ TC = 25C
Derate above
25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
30
0.24
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Total Power
Dissipation
@ TA = 25C
Derate above
25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
2.0
0.016
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Unclamped
Inductive Load
Energy (Note 1)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
E
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mJ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Operating and
Storage Junction
Temperature
Range
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction–to–Ambient
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎ
ÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction–to–Case
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎ
ÎÎÎ
4.167
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
1. This rating based on testing with LC = 20 mH, RBE = 100 Ω, VCC = 10 V,
IC = 1.8 A, P.R.F = 10 Hz.
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
June, 2002 – Rev. 7 1Publication Order Number:
TIP29B/D
http://onsemi.com
1 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
40, 60, 80–100 VOLTS
30 WATTS
4
TO–220AB
CASE 221A–09
STYLE 1
MARKING
DIAGRAM
123
xxx = Specific Device Code:
29, 29A, 29B, 29C,
30, 30A, 30B, 30C
A = Assembly Location
Y = Year
WW = Work Week
AYWW
TIPxxx
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
ORDERING INFORMATION
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
http://onsemi.com
2
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Unit
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (IC = 30 mAdc, IB = 0) (Note 2)
TIP29, TIP30
TIP29A, TIP30A
TIP29B, TIP30B
TIP29C, TIP30C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
40
60
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
–
–
–
–
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) TIP29, TIP29A, TIP30, TIP30A
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) TIP29B, TIP29C, TIP30B, TIP30C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
–
–
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.3
0.3
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 40 Vdc, VEB = 0) TIP29, TIP30
(VCE = 60 Vdc, VEB = 0) TIP29A, TIP30A
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) TIP29B, TIP30B
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) TIP29C, TIP30C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
–
–
–
–
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
200
200
200
200
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
mAdc
ON CHARACTERISTICS (Note 2)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (IC = 0.2 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
DC Current Gain (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
40
15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
–
75
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (IC = 1.0 Adc, IB = 125 mAdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
0.7
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.3
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Vdc
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current–Gain — Bandwidth Product (Note 3)
(IC = 200 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 0.2 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
–
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
–
2. Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
3. fT = hfe• ftest.
ORDERING INFORMATION
Device Package Shipping
TIP29
TIP29A
TIP29B
TIP29C
TO 220AB
50 Units/Rail
TIP30 TO–220AB 50 Units/Rail
TIP30A
TIP30B
TIP30C
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
http://onsemi.com
3
0.03
Figure 1. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.03
hFE, DC CURRENT GAIN
0.5
5.0
70
3.0
100
7.0
300
30
0.1 0.3
0.07 1.0
TJ = 150°C
25°C
-55°C
VCE = 2.0 V
500
10
50
3.0
t, TIME (s)µ
Figure 2. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts′ = ts - 1/8 tf
TJ = 25°C
ts′
TURN-ON PULSE
APPROX
+11 V
Vin 0
VEB(off) t1
APPROX
+11 V
Vin
t2
TURN-OFF PULSE
t3
t1 ≤ 7.0 ns
100 < t2 < 500 µs
t3 < 15 ns
DUTY CYCLE ≈ 2.0%
APPROX -9.0 V
RB and RC VARIED TO OBTAIN
DESIRED CURRENT LEVELS.
SCOPE
RC
RB
VCC
Vin
Cjd << Ceb
-4.0 V
Figure 3. Switching Time Equivalent Circuit
0.03
Figure 4. Turn–On Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.02 0.1 3.0
0.07
1.0
1.0
IC/IB = 10
TJ = 25°C
tr @ VCC = 10 V
t, TIME (s)µ
0.5
0.3
0.1
0.05
0.05 0.3 0.5
td @ VEB(off) = 2.0 V
0.03
0.7
2.0
0.07 0.7
tr @ VCC = 30 V
0.05 0.7
tf @ VCC = 10 V
tf @ VCC = 30 V
0.07
1.0
0.5
0.3
0.1
0.05
0.03
0.7
2.0
0.2
0.1 3.01.00.05 0.3 0.50.07 0.7 2.00.2
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, (VOLTS)
10
0.1 10
SECOND BREAKDOWN LIMITED
THERMALLY LIMITED @ TC = 25°C
BONDING WIRE LIMITED
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
1.0 20 10
0
40
3.0
4.0
0.1
TIP29, 30
TIP29A, 30A
TIP29B, 30B
TIP29C, 30C
TJ = 150°C
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
1 ms
dc
5 ms
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
150C. At high case temperatures, thermal limitations
will reduce the power that can be handled to values less than
the limitations imposed by second breakdown.
TIP29, A, B, C (NPN), TIP30, A, B, C (PNP)
http://onsemi.com
4
PACKAGE DIMENSIONS
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 --- 1.15 ---
Z--- 0.080 --- 2.04
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TO–220AB
CASE 221A–09
ISSUE AA
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP29B/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver , Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada