Transistors PNP silicium Planar epitaxiaux PNP silicon transistors Epitaxial planar Planepox 2N 5365 2N 5366 - Amplification BF LF amplification - Commutation moyenne vitesse Medium speed switching - Usage gnral et applications industrielles General use and industrial applications Dissipation de puissance maximale Maximum power dissipation %K Dispositif recommand Prefered device Donnes principales Principal features VcEo 40 Vv ho4 (50 mA) 40-120 2N 5365 100 - 300 2N 5366 fy 250 MHz typ. Prot tw) met : Boitier plastique TO-98 036 Plastic case N 024 N \ \ \ on} f 8 ' \ c oO 4 0 25 100-200 tamb(C) Valeurs limites absolues d'utilisation 4 tamh= 25C Absolute ratings (limiting values} Tension collecteur-base V, Collector-base voltage cBO 40 v Tension collecteur-metteur Vv Collector-emitter voltage CEO ~40 Vv Tension metteur-base Emitter-base voltage VeBo ~4 Vv Courant collecteur 1 oS Collector current c 300 mA Courant collecteur de pointe t, = 10 us, =2% { Peak collector current p p B cM 500 mA Dissipation de puissance Prot 0.36 w Power dissipation Temprature de jonction t Junetion temperature } 125 C T 65 emprature de stockage t Storage temperature stg c +150 1970 - 07 V3 Sesosenyr2N 5365 2N 5366 Caractristiques gnrales a tamh = 25C . General charadteristies (Sant indications contraires) (Unless otherwise specified) Caractristiques statiques Static characteristics Te] Typ. | Max. Tra. |. Max. ~100 | nA Courant rsiduel collecteur-base logo Collector-base cut-off current te =0 Vep=40 V 10 BA tamp= 100C Courant rsiduel collecteur-metteur Vpe79 Ices 100 | nA Collector-em itter cut-off current Vog=40 Vv ; I~. =0 Courant rsiduel metteur-base Cc _ Emitter-base cut-off current Vepe4 Vv EBO 10 KA Tension de claquage collecteur-metteur Iq =10mA Vip R)CEO| 40 Vv Collector-emitter breakdown voltage Ip =0 ( lo = 2mA 2N 5365 32 Vv = -10V 2N 5366 -80 ce - hoe Valeur statique du rapport du transfert lq = 50mA | 2N 5365 40 120 jirect du courant = 0 Static forward current transfer ratio Voe iv 2N 5366 100 301 lo = 300 mA/ 2N 5365 hn. 20 Vee =-5V 2N 5366 21E 40 ; I =~-2mA Tension base-metteur Cc Base-emitter voltage Voge = -10V VBE 0,5 0,8 Vv i = bOmA Cc Vv 0,25 Ip = -2,5mA CEsat Tension de saturation collecteur-metteur Vv Collector-emitter saturation voltage lc = 300 mA 7] 1 lg = 30mA VcEsat* { = 5OmA 1,1 Cc Vv , Ip = -2,5mA BEsat Tension de saturation base-metteur Vv 8ase-emitter saturation voltage | = 300 mA c lp = 30mA VBEsat* 2 *Impulsions t= 300us Puised Pp 5 < 2% 2/32N 5365 2N 5366 Caractristiques gnrales & tamb = 25C General characteristics Caractristiques dynamiques (pour petits signaux) Dynamic characteristics (for small signats) Parambtre Conditions deasure| | Min. | Tye.-| Max. Parameter Weateonditions = = | Mino Typ: | Max. fos VkHz 2N 5365 32 180 Rapport de transfert direct du courant le = 2mA Hote _ Forward current transfer ratio Vv 10V - CE = 2N 5366 80 450 le = 2 mA f Frquence de transition Vee = -10V T 250 MHz Transition frequency ; = 100 MHz Capacit de sortie Veg = 10V Output capacitance le =0 Cony 8 pF f = 1MHz Capacit dentre Ves = 05 c input capacitance lp = 0 11b 35 pF f = 1MHz 3/3