Semiconductor Group 1
SFH 325
SFH 325 FA
NPN-Silizium-Fototransistor im
SMT SIDELED-Gehäuse
Silicon NPN Phototransistor in
SMT SIDELED-Package
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 380 nm bis 1150 nm
(SFH 325) und bei 880 nm (SFH 325 FA)
●Hohe Linearität
●P-LCC-2 Gehäuse
●Gruppiert lieferbar
●nur für Reflow IR-Lötung geeignet. Bei
Schwallötung wenden Sie sich bitte an uns.
Anwendungen
●Miniaturlichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●Lochstreifenleser
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
Features
●Especially suitable for applications from
380 nm to 1150 nm (SFH 325) and of
880 nm (SFH 325 FA)
●High linearity
●P-LCC-2 package
●Available in groups
●Suitable only for reflow IR soldering. In case
of dip soldering, please contact us first.
Applications
●Miniature photointerrupters
●punched tape readers
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
SFH 325
SFH 325 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fplf6867 fpl06867
01.97
Semiconductor Group 2
SFH 325
SFH 325 FA
Grenzwerte
Maximum Ratings
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code Typ (*vorher)
Type (*formerly) Bestellnummer
Ordering Code
SFH 325 Q62702-P1638 SFH 325 FA
(*SFH 325 F) Q62702-P1639
SFH 325-3 Q62702-P1610 SFH 325 FA-3
(*SFH 325 F-3) Q62702-P1614
SFH 325-4 Q62702-P1611 SFH 325 FA-4
(*SFH 325 F-4) Q62702-P1615
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Kollektor-Emitterspannung
Collector-emitter voltage VCE 35 V
Kollektorstrom
Collector current IC15 mA
Kollektorspitzenstrom, τ < 10 µs
Collector surge current ICS 75 mA
Verlustleistung, TA = 25 °C
Total power dissipation Ptot 165 mW
Wärmewiderstand für Montage auf PC-Board
Thermal resistance for mounting on pcb RthJA 450 K/W
Semiconductor Group 3
SFH 325
SFH 325 FA
Kennwerte (TA = 25 °C, λ = 950 nm)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 325 SFH 325 FA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 860 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ380 ... 1150 730 ... 1120 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche (∅ 240 µm)
Radiant sensitive area A0.045 0.045 mm2
Abmessung der Chipfläche
Dimensions of chip area L×B
L×W0.45 ×0.45 0.45 ×0.45 mm ×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H0.5 ... 0.7 0.5 ... 0.7 mm
Halbwinkel
Half angle ϕ±60 ±60 Grad
deg.
Kapazität, VCE = 0 V, f = 1 MHz, E= 0
Capacitance CCE 5.0 5.0 pF
Dunkelstrom
Dark current
VCE = 25 V, E= 0
ICEO 1 (≤200) 1 (≤200) nA
Semiconductor Group 4
SFH 325
SFH 325 FA
Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen
Ziffern gekennzeichnet.
The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished
by arabian figures.
1) IPCEmin ist der minimale Fotostrom der jeweiligen Gruppe
1) IPCEmin is the min. photocurrent of the specified group
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH
325/FA -2 -3 -4
Fotostrom, λ = 950 nm
Photocurrent
Ee = 0.1 mW/cm2,VCE = 5 V
SFH 325:
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard
light A, VCE = 5 V
IPCE
IPCE
≥16 16 ... 32
420
25 ... 50
650
≥40
1000
µA
µA
Anstiegszeit/Abfallzeit
Rise and fall time
IC = 1 mA, VCC = 5 V, RL = 1 kΩ
tr, tf7678µs
Kollektor-Emitter-
Sättigungsspannung
Collector-emitter saturation voltage
IC = IPCEmin1) ×0.3,
Ee = 0.1 mW/cm2
VCEsat 150 150 150 150 mV
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
Semiconductor Group 5
SFH 325
SFH 325 FA
Relative spectral sensitivity,SFH 325
Srel =f (λ)
Total power dissipation
Ptot = f (TA)
Dark current
ICEO = f (TA), VCE = 5 V, E = 0
Relative spectral sensitivity,SFH 325 FA
Srel =f (λ)
Photocurrent
IPCE =f (VCE), Ee = Parameter
Capacitance
CCE =f (VCE), f = 1 MHz, E = 0
Photocurrent
IPCE =f (Ee), VCE = 5 V
Dark current
ICEO = f (VCE), E = 0
Photocurrent
IPCE/IPCE25o = f (TA), VCE = 5 V
