N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
T 551N
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller 1/9
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
Tvj = -40°C... Tvj max V
DRM,VRRM 6000
7000
6500 V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM 1260 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
TC = 85 °C
TC = 60 °C
ITAVM 600
800
A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
ITSM 13500
13000
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
Tvj = 25 °C, tP = 10 ms
Tvj = Tvj max, tP = 10 ms
I²t 910
845
10³ A²s
10³ A²s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs (diT/dt)cr 300 A/µs
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Tvj = Tvj max, vD = 0,67 VDRM
5.Kennbuchstabe / 5th letter H
(dvD/dt)cr 2000 V/µs
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Tvj = Tvj max , iT = 1000A
vT
typ.
max.
2,55
2,65
V
V
Schleusenspannung
threshold voltage
Tvj = Tvj max V
(TO) typ.
max.
1,25
1,3
V
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
Tvj = Tvj max r
T typ.
max.
1,3
1,35
mΩ
mΩ
A -0,0927
B 0,000967
C 0,1815
typ.
D 0,01334
A -0,0921
B 0,001
C 0,1841
Durchlaßkennlinie 100A ≤ iF ≤ 1200A
on-state characteristic
Tvj = Tvj max
max.
D 0,0149
Zündstrom
gate trigger current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IGT max.
350 mA
Zündspannung
gate trigger voltage
Tvj = 25°C, vD = 12 V VGT max.
2,5 V
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Tvj = Tvj max , vD = 12 V
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM
IGD max.
max.
20
10
mA
mA
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Tvj = Tvj max , vD = 0,5 VDRM V
GD max. 0,4 V
Haltestrom
holding current
Tvj = 25°C, vD = 12 V IH max. 350 mA
Einraststrom
latching current
Tvj = 25°C, vD = 12 V, RGK ≥ 10 Ω
iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs, tg = 20 µs
IL max. 3 A
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
Tvj = Tvj max
vD = VDRM, vR = VRRM
iD, iR max. 200 mA
Zündverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 60747-6
Tvj = 25 °C,iGM = 3 A, diG/dt = 6 A/µs
tgd max. 2 µs
prepared by: C. Schneider date of publication: 2006-05-04
approved by: J. Przybilla revision: 9
T
TTT iD)1i(LnCiBAv ⋅++⋅+⋅+=
N
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Phase Control Thyristor
Datenblatt / Data sheet
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Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
Tvj = Tvj max, iTM = ITAVM
vRM = 100 V, vDM = 0,67 VDRM
dvD/dt = 20 V/µs, -diT/dt = 10 A/µs
4.Kennbuchstabe / 4th letter O
tq typ. 600 µs
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
Qr max. 7,2 mAs
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
Tvj = Tvj max
iTM = ITAVM, -diT/dt = 10 A/µs
VR = 0,5VRRM, VRM = 0,8VRRM
IRM max. 210 A
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided, θ = 180°sin
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode / cathode, DC
RthJC
max.
max.
max.
max.
0,0205
0,019
0,0305
0,05
°C/W
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
RthCH
max.
max.
0,005
0,01
°C/W
°C/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max 125 °C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op -40...+125 °C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg -40...+150 °C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anpresskraft
clamping force
F 15...24 kN
Steueranschlüsse
control terminals
DIN 46244 Gate
Kathode /Cathode
A 2,8x0,8
A 4,8x0,8
Gewicht
weight
G typ. 650 g
Kriechstrecke
creepage distance
25 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz 50 m/s²
N
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Phase Control Thyristor
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Maßbild
12
4 5
1: Anode/Anode
2: Kathode/Cathode
4: Gate
5: Hilfskathode/
Cathode (control terminal)
N
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R,t – Werte
R
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z thJC
Analytical elements of transient thermal impedance Z thJC
Pos. n 1 2 3 4 5 6 7
Rthn [°C/W] 0,01048 0,00243 0,00304 0,00272 0,00033
beidseitig
two-sided τn [s] 0,84 0,132 0,062 0,0134 0,0019
Rthn [°C/W] 0,01917 0,00232 0,0028 0,00366 0,00255
anodenseitig
anode-sided τn [s] 3,5 0,45 0,154 0,061 0,01
Rthn [°C/W] 0,0396 0,00106 0,00487 0,00237 0,0021
kathodenseitig
cathode-sided τn [s] 5,82 0,45 0,126 0,037 0,009
Analytische Funktion / Analytical function: Σ−
=
τ
max
n
n=1 thnthJC n
-t
e1RZ
bi
ai
ci
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t [s]
Zth JC [K/W]
Transienter innerer Wärmewiderstand für DC/ Transient thermal impedance Z thJC = f(t) for DC
a : Anodenseitige Kühlung / Anode-sided cooling
b : Beidseitige Kühlung / Two-sided cooling
c : Kathodenseitige Kühlung / Cathode-sided cooling
N
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Phase Control Thyristor
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Diagramme
Diagramme
Durchlasskennlinie
typ. max.
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
00,5 11,522,5 33,5
vT [V]
iT [A]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic iT = f(vT)
Tvj = Tvj max
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Durchlassverluste
30
20
10
5
2
1
0,5
0,2
10 1000050002000
5020 100 200 500 1000
iG [mA]
vG [V]
+125°C
+25°C
-40°C
a
b
c
Steuercharakteristik vG = f (iG) mit Zündbereichen für VD = 12 V
Gate characteristic vG = f (iG) with triggering area for VD = 12 V
Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation PGM = f (tg) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
N
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Phase Control Thyristor
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Tc beidseitig
0
2
4
6
8
10
12
14
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]
Qr [mAs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
N
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Phase Control Thyristor
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Ta bei Sinus
0
100
200
300
400
500
600
0 5 10 15 20 25 30 35
-di/dt [A/µs]
IRM [A]
Rückstromspitze / Peak reverse recovery current IRM = f(-di/dt)
Tvj=Tvjmax, vR=0,5 VRRM, VRM=0,8 VRRM
N
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller 9/9
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