DIODES RAPIDES FAIBLE CHUTE DE TENSION fast recovery diodes low drop voltage | og VRWM IFSM ve@ | In @ VR Boiti TYPES \ { = \ ie =1 t t iter F 0 VRRM FRM toms | tf = lo case rr cose = 126C (A) (A) VR (V) (A) (A) (Vv) 25C (mA) (ns) Ip=TA VR =30V. 40 A / tease = 75C t(vj) =125'C bpp = 0,5 IRM G di/gt = 50 A/ys waxy! SR 1040, (R) 50 40 100 150 500 0,9 10 50 bos wBry| SR 1540, (R) 50 40 150 150 500 09 10 50 mary mizy DIODES SCHOTTKY DE PUISSANCE power schottky (hot carrier) VRWM In @ Va VRRM VFM tase = Boitier TYPES G Vrsm lo lFSM @tem lem 100C Case vi (v) (a) (a) 7) (a) (ma) BOA / tease = 75C tiyj) = 125C I? t = 2.500 A?s RS 52B 20 26 50 700 06 40 150 DO 5 RS 53 B 30 36 50 700 06 40 150 DOs DIODES DE REDRESSEMENT A AVALANCHE CONTROLEE controlled avalanche rectifier diodes vRwM @ vRA P lFsm VE IR = IR = 100 pA RSM a TYPES VRRM = @ Boitier Ve (v) 10 ps1. lo lERM 10ms | @ig =I9 VA Case R (v) min max (kW) (A) (A) (A) (Vv) (mA) tamb | tamb 150mA / 400mA_ / =25C t(yj) = 150C = {= tamb (vj) Looc 128C M4 HZ ou FR 70 400 450 750 3,5 0,4 1,25 3 1 0,15 | M6 HZ ou FR 71 600 720 1000 25 0,4 1,25 3 1 0,15 | DO7 M8 HZ ou FR 72 800 950 1400 1,5 0,4 1,25 3 1 .15 | verre M10HZ 1000 1200 1700 0.5 04 1,25 3 1 0,02 glass M 15 HZ 1500 1600 2200 03 0,15 05 25 2 0,02 ti = 1A / tamb=25C tiyj) = 150C 1yeeC E4 HZ 400 450 750 5 1 4 3Q 1,2 0,20 E6 HZ 600 720 1000 3 1 4 30 1,2 0,20 verte E8 HZ 800 950 1400 2 1 4 30 1,2 0,20 lass E10 HZ 1000 1200 1700 1 1 4 30 1,2 0,20