© Semiconductor Components Industries, LLC, 2005
December, 2005 − Rev. 14 1Publication Order Number:
BD438/D
BD436, BD438, BD440,
BD442
Plastic Medium Power
Silicon PNP Transistor
This series of plastic, medium−power silicon PNP transistors can be
used for for amplifier and switching applications. Complementary
types are BD437 and BD441.
Features
•Pb−Free Packages are Available*
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
Rating Symbol Value Unit
Collector−Emitter Voltage BD436
BD438
BD440
BD442
VCEO 32
45
60
80
Vdc
Collector−Base Voltage BD436
BD438
BD440
BD442
VCBO 32
45
60
80
Vdc
Emitter−Base Voltage VEBO 5.0 Vdc
Collector Current IC4.0 Adc
Base Current IB1.0 Adc
Total Device Dissipation @ TC = 25°C
Derate above 25°CPD36
288 W
W/°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range TJ, Tstg –55 to +150 °C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic Symbol Max Unit
Thermal Resistance, Junction−to−Case qJC 3.5 °C/W
Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.
Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not
normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are
exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and
reliability may be affected.
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
http://onsemi.com
TO−225AA
CASE 77
STYLE 1
4.0 AMP POWER
TRANSISTORS PNP SILICON
321
BD4xx = Device Code
xx = 36, 36T, 38, 40, 42
Y = Year
WW = Work Week
G = Pb−Free Package
MARKING DIAGRAM
YWW
BD4xxG
Device Package Shipping
BD436 TO−225AA 500 Units/Box
BD438 TO−225AA 500 Units/Box
BD440 TO−225AA 500 Units/Box
BD442 TO−225AA 500 Units/Box
BD436T TO−225AA 50 Units/Rail
BD436TG TO−225AA
(Pb−Free) 50 Units/Rail
ORDERING INFORMATION
BD436G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD438G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD440G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD442G TO−225AA
(Pb−Free) 500 Units/Box
BD436, BD438, BD440, BD442
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25°C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Emitter Breakdown Voltage BD436
(IC = 100 mA, IB = 0) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
32
45
60
80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector−Base Breakdown Voltage BD436
(IC = 100 mA, IB = 0) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
32
45
60
80
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter−Base Breakdown Voltage
(IE = 100 mA, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V(BR)EBO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 32 V, IE = 0) BD436
(VCB = 45 V, IE = 0) BD438
(VCB = 60 V, IE = 0) BD440
(VCB = 80 V, IE = 0) BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.1
0.1
0.1
0.1
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VEB = 5.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD436
(IC = 10 mA, VCE = 5.0 V) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
40
30
20
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD436
(IC = 500 mA, VCE = 1.0 V) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
85
85
40
40
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
475
475
475
475
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain BD436
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
50
40
25
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Saturation Voltage
(IC = 2.0 A, IB = 0.2 A) BD436
(IC = 3.0 A, IB = 0.3 A) BD438
BD440
BD442
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
−
−
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.5
0.7
0.8
0.8
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base−Emitter On Voltage BD436/BD438
(IC = 2.0 A, VCE = 1.0 V) BD440/BD442
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VBE(ON)
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎ
ÎÎÎ
−
−
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.1
1.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current−Gain − Bandwidth Product
(VCE = 1.0 V, IC = 250 mA, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
−
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
−
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
MHz
BD436, BD438, BD440, BD442
http://onsemi.com
3
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 1. Collector Saturation Region
IB, BASE CURRENT (mA)
2.0
00.05
1.6
1.2
0.8
0.4
1.0 2.0 10 70 500
IC = 10 mA 100 mA 1.0 A
0.1 100205.0
TJ =
255C
3.0 300.07 300200507.00.2 0.3 0.5 0.7
3.0 A
Figure 2. Current Gain
200
010
80
12 53 100 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
hFE, CURRENT GAIN (NORMALIZED)
100
60
40
20
2.0
0.005
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.6
1.2
0.8
0.4
0
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
VOLTAGE (VOLTS)
Figure 3. “On” Voltage
0.020.030.05 0.1 0.2
VBE @ VCE = 2.0 V
0.01 0.3 0.5 1.02.0 3.04
.0
Figure 4. Active Region Safe Operating Area
10
VCE, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
4.0
1.0
0.1 2.0 10 20 10
0
0.5
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMP)
TJ = 150°Cdc
5 ms
1.0 5.0 50
SECONDARY BREAKDOWN
THERMAL LIMIT TC = 25°C
BONDING WIRE LIMIT
CURVES APPLY BELOW RATED VCEO
BD438
BD440
BD442
BD436, BD438, BD440, BD442
http://onsemi.com
4
PACKAGE DIMENSIONS
TO−225AA
CASE 77−09
ISSUE Z
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. 077−01 THRU −08 OBSOLETE, NEW STANDARD
077−09.
−B−
−A− M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 −−− 1.02 −−−
__
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes without further notice
to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular purpose, nor does SCILLC assume any liability
arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability, including without limitation special, consequential or incidental damages.
“Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All
operating parameters, including “Typicals” must be validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights
nor the rights of others. SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death may occur. Should
Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC and its of ficers, employees, subsidiaries, affiliates,
and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death
associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal
Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
N. American Technical Support: 800−282−9855 Toll Free
USA/Canada
Japan: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
2−9−1 Kamimeguro, Meguro−ku, Tokyo, Japan 153−0051
Phone: 81−3−5773−3850
BD438/D
LITERATURE FULFILLMENT:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 61312, Phoenix, Arizona 85082−1312 USA
Phone: 480−829−7710 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 480−829−7709 or 800−344−3867 Toll Free USA/Canada
Email: orderlit@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
Order Literature: http://www.onsemi.com/litorder
For additional information, please contact your
local Sales Representative.
