Technische Information / Technical Information
Netz Gleichri chterdiode
Rectifier Diode D 711 N 58 ... 68 T
BIP A C/SM PB /2000-02-20 S chneider/Keller Release 3 Seite/ page
N
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchst zul ässige Werte / Maximum rat ed val ues
Periodis che Spitzens perrspannung
repetiti ve peak reverse voltage tvj = -40°C ... tvj max
f = 50Hz VRRM tv
j
max = -40°C
5800
6000
6500
6800
0°C ...tv
j
max
6000
6200
6700
7000
V
V
V
V
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current IFRMSM 1660 A
Dauergrenzstrom
mean f orward current tC = 100°C, f = 50Hz
tC = 60°C, f = 50Hz IFAVM 780
1050 A
A
Stoßstrom-Grenzwert
surge forward current tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms IFSM 10,5
8,5 kA
kA
Grenzlastintegral
I2t-value tvj = 25°C, tp = 10ms
tvj = tvj max, tp = 10ms I2t500-103
360-103A2s
A2s
Charakteristische Werte / Charac t e ri stic values
Durchlaßspannung
forward voltage tvj = tvj max, iF = 1200A vFmax 1,9 V
Schleusenspannung
threshold vol tage tvj = tvj max V(TO) 0,836 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance tvj = tvj max rT0,881 mΩ
Durchlaßrechenkennlinie
On-stat e characteris tics f or calculat i on
()
VABiCi Di
FFF F
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
max. 0,7487
0,000496
-0,0406497
0,025038
Durchlaßrechenkennlinie
On-stat e characteris tics f or calculat i on
()
VABiCi Di
FFF F
=+⋅+⋅ ++⋅ln 1
tvj = tvj max A
B
C
D
typ. 0,699699
0,0004383
-0,03799278
0,023406
Sperrstrom
reverse current tvj = tvj max, vR = VRRM iR50 mA
Sperrverzögerungsladung
recovered charge tvj = tvj max
ITM = 1000A, di/dt = 10A/µs
VR = 1000 V, C = 0,25µF, R = 80
Ω
Qr5,5 mAs
Rückstromspitze
peak reverse rec o very current tvj = tvj max
ITM = 1000A, di/dt = 10A/µs
VR = 1000 V, C = 0,25µF, R = 80
Ω
IRM 200 A
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärm ewiderstand
therm al resistanc e, junction to case beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
RthJC max
max
max
0,028
0,051
0,062
°C/W
°C/W
°C/W
Übergangs-Wärmewiderstand
therm al resistanc e, case to heatsink Kühlfläche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
RthCK max
max 0,006
0,012 °C/W
°C/W
Höchst zul ässige Sperrschicht temperatur
max. junction tem perature tvj max 160 °C
Betriebstemperatur
operating temperature tc op -40...+160 °C
Lagertemperatur
storage t emperature tstg -40...+160 °C
Mechanische E i genschaften / Mechanical properti es
Gehäuse, s i ehe A nl age
case, see appendix Seite 3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure cont act 38DN65
Anpreßkraft
clamping force F 10...16 kN
Gewicht
weight Gtyp 250 g
Kriechstrecke
creepage distance 30 mm
Luftstrecke
air dist ance 20 mm
Feuchteklasse
humidity classification DIN 40040 C
Schwingfestigkeit
vibration res i stance f = 50Hz 50 m/s2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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3
Maßbild / Outline
26
+-0.5
C
A
∅
∅∅
∅
58+0.2/-0.8
∅
∅∅
∅
34
2 center holes
∅
∅∅
∅ 3.5 ×
××
×4.0
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On-State Characteristics ( v F )
typical and upper limit of scatter range
t vj = 160°
°°
°C
t vj = 25°
°°
°C
rT @ tvj = 160°C
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0 0,5 1 1,5 2 2,5
VF [V]
typ. max.
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Transient thermal impedance Z(th) JC = f (t)
Surge Current Characteristics I FSM = f ( tp )
doppelseitige
Kühlung anodenseitige
Kühlung kathodenseitige
Kühlung
r [K /W] [s] r [K/W] [s] r [K/W] [s ]
1 0,0044 0,5 0,0268 3,14 0,0378 4,4
2 0,014 0,122 0,0146 0,134 0,0146 0,134
3 0,0049 0,0406 0,0049 0,0406 0,0049 0,0406
4 0,0035 0,0094 0,0035 0,0094 0,0035 0,0094
5 0,0012 0,0019 0,0012 0,0019 0,0012 0,0019
0,028 - 0,051 - 0,062 -
0
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
0,06
0,07
0,001 0,01 0,1 1 10 100
t
/
[sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
k
a
()
ZRe
thJC thn t
n
nn
=⋅−
−
=1
1
/
max
τ
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I²t value i2 dt = f ( tp )
Sine half-wave, t vj =160 ° C , v R = 0
1,E+03
1,E+04
1,E+05
0,1 1 10 100
Time / [ms]
1,E+05
1,E+06
1,E+07
−−−−−
−−−−−
−−−−−
−−−−−
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Reverse recoverd charge
Qr = f (-di/dt)
tvj = 160°C, IFM = 1000A, vR = 1000 V, C = 0,25 µF, R = 80 Ω
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
d i/dt [A/µs ]
Qr [µAs]
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Reverse recovery current
IRM = f (-di/dt)
tvj = 160°C, ITM = 1000A, vR = 1000 V, C = 0,25 µF, R = 80 Ω
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15
d i/d t [A /µ s ]
I
RM
[A]
