NPN SILICO. TRANSISTORS, DIFFUSED MESA *2N 2819 *2N 2820 TRANSISTORS NPN SILICIUM, MESA DIFFUSES * ? N 2871 * 2 N 2822 K Preferred device Dispositif recommand - LF large signal amplification Amplification BF grands signaux V oO 0 V ON oao0 . ore CEO - High current switching 150 V 2N 2821 Commutation fort courant 200 V 2N 2822 Ic 254 Prot 200 W Rth (j-c) C/W max. ha1e (15 A) 10-50 Dissipation derating Case T9-63 See outline drawing CB-70 on last pages Variation de dissipation Boitier Voir dessin cot CB-70 dernires pages 100 % } | 75 t N \ ! B- Le ; yy Top view 25 Vue de dessus E Weight : 23,5. Collector is connected to case 50 100 150 ty aga C) Masse Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 25C (Unless otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION case (Sauf indications contraires} 2N 2819 2N2820 2N 2821 2N 2822 Collector-base voltage Vv Tension collecteur-base CBO 80 190 150 200 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension coflecteur-metteur CEO 80 100 150 200 Vv Emitter-base voltage Vego 10 10 10 V Tension metteur-base 10 Collector current ! Courant collecteur c 25 25 25 25 A Base current l Courant base B 10 10 10 10 A Power dissipation t = 25C ) Dissipation de puissance case tot 200 200 200 200 Ww Junction temperature t an Temprature de jonction max } 200 200 200 200 Cc Storage temperature min t -65 -65 65 65 C Temprature de stockage max stg +200 +200 +200 +200 C 73-11 U3 THOMSON - CSF owen suaconnucrne, 253 *2N 2819, *2N 2820, *2N 2821, *2N 2822 STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES tamb = 25C {Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires) Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voge =80V 3 mA Veg = 15 V Vee =80V 2N 2819 Vee = -1.5V 20 mA toase = 150C Veg = 100V A Vee = 15 V 2 m Veg = 100 V 2N 2820 Vee =71 bV 20 mA t, = 150C Collector-emitter cut-off current case \ Courant rsiduel coflecteur-metteur CEX Vce = 150 V 2 A Vee = -15V m Voce = 150 v 2N 2821 Vee = 15 Vv 20 mA toase = 150C Vag = 200 V CE 2 Vee =18V mA Vop = 200 V 2N 2822 Vee =15V 20 mA togse = 150C Emitter-base cut-off current Veg =10V | Courant rsiduel metteur-base 1 Cc = 0 E8O 0,25 mA 2N 2819{ 80 Vv 2N 2820] 100 Vv Collector-emitter breakdown voltage le = 100mA V * Tension de claquage coliecteur-metteur ip -0 {BRIJCEO 2N 2821 | 150 Vv 2N 2822| 200 Vv Static forward current transfer ratio Voce = 3V Valeur statique du rapport de transfert 1 =15A hoy E 10 50 direct du courant Cc 7 Collector-emitter saturation volta | =I15A ge c VcE Tension de saturation coffecteur-metteur \poo= 22A CEsat 15 Vv 5 ; { =15A Base-emitter saturation vojtage c Tension de saturation base-metteur Ip =2,2A VBEsat 2,5 Vv * Pulsed ty = 300 us 5 < 2% impulsions 2/3 254 *2N 2819, *2N 2820, *2N 2821, *2N 2822 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for smail signals) (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux)} (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voce =3V Transition frequency I -=15A f Frquence de transition c T 06 MHz f = 1 MHz Turn-on time Io =15A trtt Temps total dtablissement lg =2,2A qv 3,5 us lo = 15A Fall time 1 =2,2A Temps de dcroissance Bl t 6 us Ipp =-2.2A lo = 165A Carrier storage time l =2,2A t, Retard a la dcroissance BI 5 6 HS I =2,2A B2 f THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rus: Rsistance thermique {jonction-boitier) th(j-c) 1 c/w * Pulsed t, = 300us 5 <2% impulsions p 3/3 255