汕头华汕电子器件有限公司
Silicon Controlle
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Rectifie
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HCP20C60 对应国外型号
BT152-600
█ 主要用途
单向可控硅, 用于过压保护、马达控制、限流电路、加热控制。
█ 极限值（Tj=25℃） █ 外形图及引脚排列
Tstg ——贮存温度 ………………………………………………… -40~150℃
Tj ——结温 …………………………………………………………-40~125℃
VDRM ——重复峰值断态电压 …………………………………………600V
IT（RMS）——RMS 通态电流（均方值）………………………………20A
IT(AV) ——平均通态电流（半正弦波，TC=102℃）…………………… 13A
ITSM ——浪涌通态电流(1/2 周期,60HZ, 正弦波,不重复) …………… 220A
VRGM —反向峰值门极电压 ………………………………………………5V
IFGM ——正向峰值门极电流 …………………………………………5.0
A
PGM——峰值门极功耗……………………………………………………20W
█ 电参数（Tc=25℃）
参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单 位 测 试 条 件
IDRM 重复峰值断态电流
10
200 uA VAK=VDRM 或VRRM,
Tc=25℃
Tc=125℃
VTM 峰值通态电压(1) 1.6 V ITM=40A，tp=380us
IGT 门极触发电流(2) 15 mA VAK =6V（DC）, RL=10 ohm
Tc=25℃
VGT 门极触发电压(2) 1.5 V VAK =6V（DC）, RL=10 ohm
Tc=25℃
VGD 门极不触发电压(1) 0.2 V VAK =12V, RL=100 ohm
Tc=125℃
IH 维持电流
20
mA IT=100mA, 栅极开路
Tc=25℃
(dv/dt)c
最低电压上升率 200 V/us 线性倾斜上升至 VD=VDRM
67%, 栅极开路,Tj=125℃
Rth(j-c) 热阻 1.1 ℃/W 结到外壳
Rth(j-a) 热阻 60 ℃/W 结到环境
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HCP20C60 对应国外型号
BT152-600
█ 特性曲线
图一、栅极特性 图二、最大外壳温度
最大允许外壳温
度
(°c)
栅极电压
(V)
栅极电流(mA) 平均通态电流(A)
图三、典型正向压降 图四、热 响 应
瞬
态
热
阻（°c/W
）
通态电流（A）
通态电压（V） 时间（sec）
图五、典型栅极触发电压----结温 图六、典型栅极触发电流----结温
产
结 温（℃） 结 温（℃）
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█ 特性曲线
图七、典型维持电流 图八、功 耗
最大平均功耗（W）
结 温（℃） 平均通态电流(A)
注：
1、 脉冲宽度等于 1.0ms, 占空因数小于等于 1%
2、 测量时不包括 RGK 电流
