1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
1N4148, 1N4150, 1N4151, 1N4448
Ultrafast Switching Si-Planar Diodes
Ultraschnelle Si-Planar-Dioden
Version 2012-07-03
Dimensions - Maße [mm]
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
500 mW
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
50...100 V
Glass case
Glasgehäuse
~ DO-35
~ (SOD-27)
Weight approx.
Gewicht ca.
0.13 g
Equivalent SMD-version
Äquvalente SMD-Ausführung
LL4148, LL4150
LL4151, LL4148
Standard packaging taped in ammo pack
Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack
Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V] 1)
1N4148 75 100
1N4150 50 50
1N4151 50 75
1N4448 75 100
Type
Typ
1N4148
1N4448 1N4150 1N4151
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
IFAV 150 mA 2) 300 mA 2) 200 mA 2)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
IFRM 500 mA 2) 600 mA 2) 500 mA 2)
Non-repetitive peak forward current
Stoßstrom-Grenzwert
tp = 1 µs
Tj = 25°C
IFSM 2000 mA 4000 mA 2000 mA
Max. power dissipation
Max. Verlustleistung
Ptot 500 mW 2)
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
Tj
TS
-50...+200°C
-50...+200°C
1 Tested with pulses IR = 100 µA, tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen IR = 100 µA, tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 5 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 5 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Ø 1.9
±0.1
Ø max 0.5
62.5
±3
3.9
±0.4