Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Features: Volle Sperrfahigkeit bei 125 mit 50 Hz Full blocking capability at 125C with 50 Hz Hohe Stostrome und niedriger Warmewidererstande durch NTV-Verbindung zwischen Silizium und Mo-Tragerscheibe. High surge currents and low thermal resistance by using low temperature-connection NTV between silicon wafer and molybdenum. Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Hochstzulassige Werte / Maximum rated values Periodische Vorwarts - und Ruckwarts - Spitzensperrspannung repetitive peak forward off-state and reverse voltage f = 50 Hz Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS forward current VDRM, VRRM tvj min = -40C tvj min = 0C 7000 7200 V 7500 7700 V 8000 8200 V ITRMSM 4400 A 2100 A 2800 A Dauergrenzstrom mean forward current tC = 85C, f = 50Hz tC = 60C, f = 50Hz ITAVM Stostrom-Grenzwert surge forward current tvj = 25C, tp = 10ms, VR = 0 tvj = tvj max, tp = 10ms, VR = 0 ITSM Grenzlastintegral I2t-value tvj = 25C, tp = 10ms tvj = tvj max, tp = 10ms I2t Kritische Stromsteilheit critical rate of rise of on-state current DIN IEC 747-6 f = 50Hz, vD = 0,67 VDRM iGM = 3A, diG/dt = 6A/s (di/dt)cr 300 A/s Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state current tvj = tvj max, vD = 0,67 VDRM 5. Kennbuchstabe / 5 th letter H (dv/dt)cr 2000 V/s BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 45 kA 40 kA 10,1*106 A2s 2 8,0*106 A s Seite/page 1 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaspannung on-state voltage tvj = tvj max, iT = 4kA vT typ 2,8 Max 3,0 V Schleusenspannung / threshold voltage Ersatzwiderstand / slope resistance tvj = tvj max V(TO) rT typ 1,2 0,4 Max 1,24 0,44 V m Durchlarechenkennlinien 500 A iT 5000 A On - state characteristics for calculation tvj = tvj max A B C D typ 0,616 0,000219 0,0342 0,0161 max -0,0864 0,000343 0,2021 0,000614 Zundstrom gate trigger current tvj = 25C, vD = 6V IGT 350 mA Zundspannung gate trigger voltage tvj = 25C, vD = 6V VGT 2,5 V Nicht zundender Steuerstrom gate non-trigger current tvj = tvj max, vD = 6V tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM IGD 20 mA 10 mA nicht zundende Steuerspannung gate non-trigger voltage tvj = tvj max, vD = 0,5 VDRM VGD 0,4 V Haltestrom holding current tvj = 25C, vD = 12V, RA = 4,7 IH 350 mA Einraststrom latching current tvj = 25C, vD = 12V, RGK 10 iGM = 3A, diG/dt= 6 A/s, tg = 20s IL 3 A Vorwarts- und Ruckwarts-Sperrstrom forward off-state and reverse currents tvj = tvj max vD = VDRM, vR = VRRM iD, iR 500 mA Zundverzug gate controlled delay time DIN IEC 747-6 tvj = 25C, iGM = 3A, diG/dt = 6A/s tgd 2,5 s Freiwerdezeit circuit commutated turn-off time tvj = tvj max, iTM = ITAVM vRM = 100V, vDM = 0,67 VDRM dvD/dt = 20V/s, -diT/dt = 10A/s 4. Kennbuchstabe / 4 th letter O tq VT = A + B iT + C ln(iT + 1) + D iT Sperrverzogerungsladung recovered charge tvj = tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM Ruckstromspitze peak reverse recovery current tvj = tvj max ITM = 2,5 kA, di/dt = 10 A/s VR = 0,5 VRRM, VRM = 0,8 VRRM BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Qr IRM typ 550 s 15 mAs 350 A Seite/page 2 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Warmewiderstand thermal resistance, junction to case beidseitig / two-sided, = 180sin beidseitig / two-sided , DC Anode / anode DC Kathode / cathode DC RthJC 0,0054 0,005 0,0092 0,011 C/W C/W C/W C/W Ubergangs-Warmewiderstand thermal resistance, case to heatsink beidseitig / two-sided einseitig / single-sided RthCK 0,0015 C/W 0,003 C/W Hochstzulassige Sperrschichttemperatur max. junction temperature tvj max 125 C Betriebstemperatur operating temperature tc op -40...+125 C Lagertemperatur storage temperature tstg -40...+150 C Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehause, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 Si-Element mit Druckkontakt, Amplifying-Gate Si-pellet with pressure contact, amplifying gate 101TN80 Anprekraft clampig force F Gewicht weight G Kriechstrecke creepage distance 63...91 KN typ 3200 g 49 mm Feuchteklasse humidity classification DIN 40040 Schwingfestigkeit vibration resistance f = 50Hz C 50 m/s2 Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehorigen technischen Erlauterungen. This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 3 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Mabild / Outline BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 4 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Durchlakennlinie iT = f ( vT ) Limiting and typical on-state characteristic tvj = 125 C 5500 5000 4500 4000 3500 typ max IT (A) 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 1 2 3 4 V T [V] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 5 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Steuerkreischarakteristik mit Zundbereichen Gate characteristic with triggering areas vG = f (iG), VD = 6V Parameter Steuerimpulsdauer / trigger pulse duration tg(ms) Hochstzulassige Spitzensteuerverlustleistung Max. rated peak power dissipation PGM (W) a 10 b 1 c 0,5 20 40 60 30 20 10 c b 5 a -4 0 C 2 + 2 5 C + 1 2 5 C 1 0 ,5 0 ,2 10 20 50 100 200 500 1000 2000 5000 10000 iG [ m A ] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 6 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Transienter innerer Warmewiderstand Transient thermal impedance Z(th)JC = f (t) 1 2 3 4 5 doppelseitige Kuhlung r [K/W ] [s] 0,00158 1,97 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,005 - Z thJC = n m ax n =1 anodenseitige Kuhlung r [K/W ] [s] 0,00578 7,2 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,0092 - kathodenseitige Kuhlung r [K/W ] [s] 0,00758 9,4 0,00216 0,25 0,00042 0,09 0,00055 0,0195 0,00029 0,0055 0,011 - R thn (1 - e - t / n ) 0,012 k 0,011 0,01 a 0,009 180 sin add. 0,0004 C/W 120 r add. 0,0006 C/W 60 r add. 0,0009 C/W 30 r add. 0,0011 C/W 0,007 d 0,006 0,005 0,004 0,003 0,002 0,001 0,001 0,01 0,1 1 10 0 100 t / [sec.] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 7 Z (th) JC / [K/W ] 0,008 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Sperrzogerungsladung Qr = f ( - di/dt ) recovered charge tvj = 125C, ITM = 2500A,vR = 0,5 VRRM, vRM = 0,8 VRRM 50 40 30 20 m ax 10 Qrr [mAs] 9 8 7 6 5 4 3 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 20 30 -d i/d t [A / s ] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 8 Technische Information / Technical Information Netz Thyristor Phase Control Thyristor T 1901N 70...80TOH N . Ruckstromspitze / reverse recovery current (typische Abhangigkeit / typical dependence) IRM = f (di/dt) tvj = 125C, ITM = 2500A, vR = 0,5VRRM, vRM = 0,8VRRM 600 550 500 450 400 IRM [A] 350 300 250 200 150 100 50 0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 di / dt [A/ s] BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller Release 4 Seite/page 9