ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) Surface Mount Silicon-Zener Diodes Si-Zener-Dioden fur die Oberflachenmontage Version 2013-04-30 ZMY3.0G ... ZMY9.1G ZMY... non-planar 2.5 2.5 ZMY...G planar Nominal Z-voltage - Nominale Z-Spannung 3.0...9.1 V Glass case - Glasgehause MELF DO-213AB 0.5 Type Typ 5.0 0.4 Nominal Z-voltage - Nominale Z-Spannung 10...200 V Plastic case - Kunststoffgehause MELF DO-213AB Weight approx. - Gewicht ca. 0.5 0.4 Type Typ 5.0 ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 0.12 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehausematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Mae [mm] Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~ 5%) standard. Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request. Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausfuhrung gestuft nach der internationalen Reihe E 24 (~ 5%). Andere Toleranzen oder hohere Arbeitsspannungen auf Anfrage. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte ZMY3.0G ... ZMY9.1G Power dissipation - Verlustleistung TA = 25C Ptot 1.0 W 1) Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur TJ TS -50...+175C -50...+175C Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 150 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Warmewiderstand Sperrschicht - Anschluss RthT < 70 K/W ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 Power dissipation - Verlustleistung TA = 50C Ptot 1.3 W 1) Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms TA = 25C PZSM 40 W Junction temperature - Sperrschichttemperatur Storage temperature - Lagerungstemperatur TJ TS -50...+150C -50...+175C Thermal resistance junction to ambient air Warmewiderstand Sperrschicht - umgebende Luft RthA < 45 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Warmewiderstand Sperrschicht - Anschluss RthT < 10 K/W 23 1 2 3 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss Tested with pulses - Gemessen mit Impulsen The ZMY1 is a diode operated in forward mode. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z". (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) Maximum ratings Type Typ Grenzwerte 2 Zener voltage ) Zener-Spannung 2) IZ = IZtest Test current Mestrom Dynamic resistance Diff. Widerstand IZtest / f = 1 kHz Temp. Coeffic. of Z-voltage ...der Z-Spannung Reverse volt. Sperrspanng. IR = 1 A Z-current 1) Z-Strom 1) TA = 50C Vzmin [V] Vzmax [V] IZtest [mA] rzj [] VZ [10-4 /C] VR [V] IZmax [mA] ZMY1 ) 0.71 0.82 100 0.5 (<1) -26...-16 - 1000 ZMY3.0G 2.8 3.2 100 5 (<8) -8...+1 - 313 ZMY3.3G 3.1 3.5 100 5 (<8) -8...+1 > 0.7 / 150 A 286 ZMY3.6G 3.4 3.8 100 5 (<8) -8...+1 > 0.7 / 100 A 263 ZMY3.9G 3.7 4.1 100 4 (<7) -7...+2 > 0.7 / 100 A 244 ZMY4.3G 4.0 4.6 100 4 (<7) -7...+3 > 0.7 / 50 A 217 ZMY4.7G 4.4 5.0 100 4 (<7) -7...+4 > 0.7 / 10 A 200 ZMY5.1G 4.8 5.4 100 2 (<5) -6...+5 > 0.7 / 10 A 185 ZMY5.6G 5.2 6.0 100 1 (<2) -3...+5 > 0.5 / 3 A 167 ZMY6.2G 5.8 6.6 100 1 (<2) -1...+6 > 1.5 / 500 nA 152 ZMY6.8G 6.4 7.2 100 1 (<2) 0...+7 > 2 / 500 nA 139 ZMY7.5G 7.0 7.9 100 1 (<2) 0...+7 > 3 / 500 nA 127 ZMY8.2G 7.7 8.7 100 1 (<2) +3...+8 > 6 / 500 nA 115 ZMY9.1G 8.5 9.6 50 2 (<4) +3...+8 > 7 / 500 nA 104 ZMY10 9.4 10.6 50 2 (<4) +5...+9 >5 123 ZMY11 10.4 11.6 50 4 (<7) +5...+10 >5 112 ZMY12 11.4 12.7 50 4 (<7) +5...+10 >7 102 ZMY13 12.4 14.1 50 5 (<10) +5...+10 >7 92 ZMY15 13.8 15.6 50 5 (<10) +5...+10 > 10 83 ZMY16 15.3 17.1 25 6 (<15) +6...+11 > 10 76 ZMY18 16.8 19.1 25 6 (<15) +6...+11 > 10 68 ZMY20 18.8 21.2 25 6 (<15) +6...+11 > 10 61 ZMY22 20.8 23.3 25 6 (<15) +6...+11 > 12 56 ZMY24 22.8 25.6 25 7 (<15) +6...+11 > 12 51 ZMY27 25.1 28.9 25 7 (<15) +6...+11 > 14 45 ZMY30 28 32 25 8 (<15) +6...+11 > 14 41 ZMY33 31 35 25 8 (<15) +6...+11 > 17 37 ZMY36 34 38 10 16 (<40) +6...+11 > 17 34 ZMY39 37 41 10 20 (<40) +6...+11 > 20 32 ZMY43 40 46 10 24 (<45) +7...+12 > 20 28 ZMY47 44 50 10 24 (<45) +7...+12 > 24 26 ZMY51 48 54 10 25 (<60) +7...+12 > 24 24 ZMY56 52 60 10 25 (<60) +7...+12 > 28 22 ZMY62 58 66 10 25 (<80) +8...+13 > 28 20 ZMY68 64 72 10 25 (<80) +8...+13 > 34 18 ZMY75 70 79 10 30 (<100) +8...+13 > 34 16 ZMY82 77 88 10 30 (<100) +8...+13 > 41 15 ZMY91 85 96 5 40 (<200) +9...+13 > 41 14 ZMY100 94 106 5 60 (<200) +9...+13 > 50 12 ZMY110 104 116 5 80 (<250) +9...+13 > 50 11 ZMY120 114 127 5 80 (<250) +9...+13 > 60 10 ZMY130 124 141 5 90 (<300) +9...+13 > 60 9 ZMY150 138 156 5 100 (<300) +9...+13 > 75 8 ZMY160 153 171 5 110 (<350) +9...+13 > 75 8 ZMY180 168 191 5 120 (<350) +9...+13 > 90 7 ZMY200 188 212 5 150 (<350) +9...+13 > 90 6 3 Die ZMY1 ist eine in Durchlass betriebene Si-Diode. Bei allen Kenn- und Grenzwerten ist der Index "F" statt "Z" zu setzen 2 http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG ZMY3.0G ... ZMY9.1G (1.0 W), ZMY1, ZMY10 ... ZMY200 (1.3 W) 120 [%] 150 ZMY10...200 100 5,1 [mA] 8,2 6,8 6,2 4,7 IZ = 100 mA 100 80 5,6 9,1 7,5 4,3 60 3,9 ZMY3.0G...9.1G 3,6 50 40 IZ = 50 mA IZ 20 0 Ptot 0 3,3 3,0 0 TA 100 50 150 0 VZ 4 5 7 2 3 6 8 [V] Typical breakdown characteristic - tested with pulses Typische Abbruchspannung - gemessen mit Impulsen 10 [C] Power dissipation versus ambient temperature 1) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 102 [A] Tj = 125C 10 10 18 24 30 36 43 51 56 62 68 75 82 91 100 Tj = 25C 1 IZmax 10-1 Tj = 25C IZT IF 10-2 0.4 30a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Typical breakdown characteristic - tested with pulses Typische Abbruchspannung - gemessen mit Impulsen Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Tj = 25C f = 1.0 MHz VR = 0V [pF] ZMY3.0G...9.1G ZMY10...200 Cj VZ [V] Junction capacitance vs. zener voltage (typical) Sperrschichtkapazitat in Abh. v.d. Zenerspg. (typ.) (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3