NPN SILICON TRANSISTORS, EPITAXIAL BASE TRANSISTORS NPN SILICIUM, BASE EPITAXIEE Compl. of BD 242, A,8,C BD 241, BD 241A BD 241B, BD 2410 PRELIMINARY DATA NOTICE PRELIMINAIRE - Complementary symetry stages amplifiers Etages amplificateur & symtrie complmentaire Vv pe v BD 24) A - Switching CEO jeov BD 2418 Commutation 100V =: BD 242 le 3A Prot 40 W Reh(j-c) 3,1 C/W max on 0,3 us typ. tote 1 ous typ. Dissipation and | derating Plastic case - See outline drawingCB-117on last pages Variation de dinate et de lop Bojtier plastique T0-220 AB Voir dessin cot CB-117 dernires pages 100% \ is LHAAL, ve a 60 L ve i} oN 25 ++ \ | Weight : 2 g. Collector is connected to case o 50 100 150 u ase!? Masse Le callectaur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) t = 26C (Uniess otherwise stated} case (Sauf indications contraires) VALEURS LIMITES ABSOLUES D'UTILISATION BD 241 BD 241A 8D 2418 BD 421C Collector-emitter voltage v Tension collecteur-6metteur CEO 45 60 80 100 v Collector-emitter voltage = Ve Tension callecteur-metteur Ree 100 22 CER 50 70 90 115 v Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 5 5 5 6 v Collector current { 3 3 3 3 A Courant collecteur c Base current | Courant base 8B 1 | 1 1 A = 2 2 2 2 Power dissipation tamb = 26C Pro t w Dissipation de puissance = tease = 25C 40 40 40 49 Junction temperature t Temprature de jonction max i 150 150 150 150 Cc Storage temperature min Tet 65 65 65 65 C Temprature de stockaye max g +150 +150 +150 +150 C 74-10 7/4 THOMSON - CSF 483 OnIBON_ BEMICONOUCTEURS BD 241, BD 241 A, BD 241 B, BD 241C STATIC CHARACTERISTICS t =25C {Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Conditions de mesure Min. Typ. Max. Collector-emitter cut-off current Veg = 30V leeo 05 mA Courant rsiduel collecteur-metteur Ip =0 c WCE ~ v BD 241 0,3 mA BE = Vac =60V yee - BD 241 A! 0,3 mA BE Collector-emitter cut-off current L _-_-| lees Courent rsiduei collecteur-6metteur Var = 80V ve - BD 241B 0,3 mA BET Vv = 100 V CE BD 241 0,3 mA Vee =? Emitter-base cut-off current Veg =5V lego 1 mA Courant rsiduel metteur-base lo = BD 241 | 45 | v = 1n BD 241A| 60 Vv Coltiector-emitter breakdown voltage lo = 100 mA Vv * Tension de claquage collecteur-metteur Ip = CEO(sus) BD 241B| 80 Vv BD 241 C/ 100 Vv VcE =4V 20 Vv | c = 1A Static forward current transfer ratio h Valeur statique du rapport de transfert 7 21 ef direct du courant Vog =4V 3 y Ig =3A Collector-emitter saturation voltage lo =3A Vac ok 12 Vv Tension de saturation collecteur-tmetteur lp =06A CEsat , Base-emitter voltage Vee =4V Tension base-metteur | cE 3A Vee 18 v ce = * Pulsed t= 300us 6 < 2% impulsions 2/4 484 BD 241, BD 241 A, BD 241 B, BD 241 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) t = 25C (Unless otherwise stated} CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux} Case (Sauf indications contraires) Test conditions ; Conditions de mesure Min. Typ. Max. Voge = 10V Forward current transfer ratio = h Rapport de trensfert direct du courent 'c 0,5 A 2te 20 f = 1 kHz Veep = 10V Transition frequency CE Frquence de transition io =O,5A 3 MHz f = 1 MHz Turn-on time lo =A Temps total dtablissemeat Igy =O0A tgtt 0,3 us t if to =1A urn-off time = t+ t 1 Temps total de coupure 'B1 0,1A sf HS Iga =-O,1A THERMAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES THERMIQUES Junction-case thermal resistance Rane: Rsistance thermique (jonction-boitier) th(j-c) 3,1 c/w Junction-ambient thermal resistance Rane. Rsistance thermique (jonction-embiante} thij-a) 62,5 C/W SWITCHING TIMES TEST CIRCUIT SCHEMA DE MESURE DES TEMPS DE COMMUTATION All resistances are non inductive Toutes les rsistances de type non inductif 82 2 Osciiloscope Oscilloscope t < 15 ns R, 2 10MQ 202 Cy <11,5 pF _ t < 15ns =20V te < 15 ns Ro = 60 2 ty = 10us b O 6 2% * Pulsed t,=300ns & 2% impuisions 3G 3/4 aor BD 241, BD 241 A, BD 241 B, BD 241C SAFE OPERATING AREA AIRE DE FONCTIONNEMENT DE SECURITE 'e (A) 5 1 0,5 BD 241B 0,1 0,05 toase = 25C Continuous (=) Continu 0,01 1 5 10 50 700 Vee!) 4l4