1
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
. . . designed for use in general purpose amplifier and switching applications.
•Collector–Emitter Saturation Voltage —
VCE = 1.2 Vdc (Max) @ IC = 3.0 Adc
•Collector–Emitter Sustaining Voltage —
VCEO(sus) = 80 Vdc (Min.) BD242B
VCEO(sus) = 100 Vdc (Min.) BD241C, BD242C
•High Current Gain — Bandwidth Product
fT = 3.0 MHz (Min) @ IC = 500 mAdc
•Compact TO–220 AB Package
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD242B
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
BD241C
BD242C
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter V oltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCES
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
90
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
115
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current — Continuous
Peak
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
3.0
5.0
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
Adc
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation @ TC = 25
_
C
Derate above 25
_
C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
Watts
W/
_
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
_
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Ambient
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
RθJA
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
62.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
_
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
3.125
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
_
C/W
40
30
20
10
00 20 40 60 80 100 120 140 160
Figure 1. Power Derating
TC, CASE TEMPERATURE (
°
C)
PD, POWER DISSIPATION (W ATTS)
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA Order this document
by BD241C/D
Motorola, Inc. 1998
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
80, 100 VOLTS
40 WATTS
*Motorola Preferred Device
CASE 221A–09
TO–220AB
2 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25
_
C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min.
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max.
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining V oltage 1
(IC = 30 mAdc, IB = 0) BD242B
BD241C, BD242C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
80
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) BD241C, BD242B, BD242C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
0.3
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 80 Vdc, VEB = 0) BD242B
(VCE = 100 Vdc, VEB = 0) BD241C, BD242C
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ICES
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
200
200
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current
(VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS1
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 1.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
25
10
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation V oltage
(IC = 3.0 Adc, IB = 600 Adc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
1.2
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 3.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.8
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Current Gain – Bandwidth Product2
(IC = 500 mAdc, VCE = 10 Vdc, ftest = 1 MHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
fT
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
MHz
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain
(IC = 0.5 Adc, VCE = 10 Vdc, f = 1 kHz)
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
20
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎ
Î
ÎÎÎ
1Pulse Test: Pulse Width
v
300 µs, Duty Cycle
v
2.0%.
2fT = |hfe| • ftest.
2.0
0.03 IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME ( s)
µ
1.0
0.7
0.5
0.3
0.1
0.07
0.02 0.05 0.1 0.3 0.5 0.7 1.0 3.0
td @ VBE(off) = 2.0 V
IC/IB = 10
TJ = 25
°
C
tr @ VCC = 30 V
tr @ VCC = 10 V
0.07
0.03
0.05
Figure 2. Switching Time Equivalent Circuit Figure 3. Turn–On Time
APPROX
+ 11 V
TURN-ON PULSE
Vin 0
t1
VEB(off)
APPROX – 9.0 V
TURN-OFF PULSE
Vin
t3
t2
APPROX
+ 11 V
VCC
SCOPE
RK
Cjd
%
Ceb
– 4.0 V
t1
v
7.0 ns
100
t
t2
t
500
µ
s
t3
t
15 ns
DUTY CYCLE
[
2.0%
Vin
RL
3
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Figure 4. Thermal Response
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.07
0.05
0.03
0.02
0.02 0.05 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1.0 k500
Z
θ
JC (t) = r(t) R
θ
JC
R
θ
JC = 3.125
°
C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) – TC = P(pk) Z
θ
JC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.02
0.01 SINGLE PULSE
0.1
r(t), TRANSIENT THERMAL RESIST ANCE
(NORMALIZED)
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOL TS)
SECOND BREAKDOWN
LIMITED @ TJ
v
150
°
C
THERMAL LIMITATION @ TC = 25
°
C
BONDING WIRE LIMITED
CURVES APPLY BELOW
RATED VCEO
10
5.0
Figure 5. Active Region Safe Operating Area
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
5.0
1.0
0.1 10 20 50 100
BD242B
BD241C, BD242C
5.0 ms 100
µ
s
1.0 ms
0.2
2.0
0.5
There are two limitations on the power handling ability of a
transistor: average junction temperature and second break-
down. Safe operating area curves indicate IC – VCE limits of
the transistor that must be observed for reliable operation,
i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-
tion than the curves indicate.
The data of Figure 5 is based on TJ(pk) = 150
_
C; TC is
variable depending on conditions. Second breakdown pulse
limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
v
150
_
C, TJ(pk) may be calculated from the data in Fig-
ure 4. At high case temperatures, thermal limitations will
reduce the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
3.0
0.03
Figure 6. Turn–Off Time
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
tf @ VCC = 30 V
t, TIME ( s)
µ
2.0
1.0
0.5
0.3
0.2
0.1
0.05
0.03 0.05 0.07 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0
tf @ VCC = 10 V
IB1 = IB2
IC/IB = 10
ts
′
= ts – 1/8 tf
TJ = 25
°
C
ts
′
0.3 0.7
0.07
0.7
300
0.1
Figure 7. Capacitance
VR, REVERSE VOLTAGE (VOL TS)
30 1.0 2.0 3.0 5.0 20 30 40100.2 0.3 0.5
CAPACITANCE (pF)
200
100
70
50
TJ = + 25
°
C
Ceb
Ccb
4 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOL TS)
500
0.03
5.0 0.05 0.07 0.1 0.3 0.5 1.0 3.0
100
50
30
10
300
70
TJ = 150
°
C
25
°
C
–55
°
C
VCE = 2.0 V
0.7
7.0
Figure 8. DC Current Gain
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
0.003
Figure 9. Collector Saturation Region
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
0.01 0.020.03 0.1 0.2 0.5 1.0 2.0 3.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
TJ = 25
°
C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
Figure 10. “On” Voltages
IB, BASE CURRENT (mA)
02.0 5.0 10 20 50 100 200 500 1000
1.6
1.2
0.8
0.4
IC = 0.3 A
TJ = 25
°
C
1.0 A 3.0 A
hFE, DC CURRENT GAIN
+2.5
0.003
Figure 11. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 0.3 1.0 2.0 3.0
V, TEMPERATURE COEFFICIENTS (mV/ C)
°θ
+2.0
+1.5
+0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
θ
VB FOR VBE
*
θ
VC FOR VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB
≤
5.0
TJ = – 65
°
C TO + 150
°
C
103
–0.4
Figure 12. Collector Cut–Off Region
VBE, BASE–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
102
101
100
10–1
, COLLECTOR CURRENT ( A)
µ
IC
10–2
10–3 –0.3 –0.2 –0.1 0 +0.1 +0.2 +0.3 +0.4 +0.5 +0.6
VCE = 30 V
TJ = 150
°
C
100
°
C
25
°
C
REVERSE FORWARD
ICES
107
Figure 13. Effects of Base–Emitter Resistance
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (
°
C)
20 40 60 80 100 120 140 160
106
105
104
103
102
RBE, EXTERNAL BASE–EMITTER RESISTANCE (OHMS)
VCE = 30 V
IC = 10 x ICES
IC
≈
ICES
(TYPICAL ICES VALUES
OBTAINED FROM FIGURE 12)
0.005 0.30.05
1.2
1.0
VBE @ VCE = 2.0 V
+1.0
0.50.005
IC = 2 x ICES
5
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–09
TO–220AB
ISSUE Z
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.570 0.620 14.48 15.75
B0.380 0.405 9.66 10.28
C0.160 0.190 4.07 4.82
D0.025 0.035 0.64 0.88
F0.142 0.147 3.61 3.73
G0.095 0.105 2.42 2.66
H0.110 0.155 2.80 3.93
J0.018 0.025 0.46 0.64
K0.500 0.562 12.70 14.27
L0.045 0.060 1.15 1.52
N0.190 0.210 4.83 5.33
Q0.100 0.120 2.54 3.04
R0.080 0.110 2.04 2.79
S0.045 0.055 1.15 1.39
T0.235 0.255 5.97 6.47
U0.000 0.050 0.00 1.27
V0.045 ––– 1.15 –––
Z––– 0.080 ––– 2.04
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
123
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
6 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
Motorola reserves the right to make changes without further notice to any products herein. Motorola makes no warranty, representation or guarantee regarding
the suitability of its products for any particular purpose, nor does Motorola assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and
specifically disclaims any and all liability, including without limitation consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in Motorola
data sheets and/or specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals”
must be validated for each customer application by customer’s technical experts. Motorola does not convey any license under its patent rights nor the rights of
others. Motorola products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other
applications intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the Motorola product could create a situation where personal injury
or death may occur. Should Buyer purchase or use Motorola products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold Motorola
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
Motorola was negligent regarding the design or manufacture of the part. Motorola and are registered trademarks of Motorola, Inc. Motorola, Inc. is an Equal
Opportunity/Af firmative Action Employer.
Mfax is a trademark of Motorola, Inc.
How to reach us:
USA/EUROPE/Locations Not Listed: Motorola Literature Distribution; JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; SPD, Strategic Planning Office, 141,
P.O. Box 5405, Denver, Colorado 80217. 1–303–675–2140 or 1–800–441–2447 4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan. 81–3–5487–8488
Customer Focus Center: 1–800–521–6274
Mfax: RMFAX0@email.sps.mot.com – TOUCHTONE 1–602–244–6609 ASIA/PACIFIC: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park,
Motorola Fax Ba ck Sys tem – US & Canada ONLY 1–800–774–1848 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298
– http://sps.motorola.com/mfax/
HOME PAGE: http://motorola.com/sps/
BD241C/D
◊
