BAV19WS ... BAV21WS BAV19WS ... BAV21WS IFAV = 200 mA VF1 < 1 V Tjmax = 150C SMD Small Signal Switching Diodes SMD Kleinsignal Schalt-Dioden VRRM = 120...250 V IFSM1 = 2.5 A trr < 50 ns Version 2019-02-26 Typical Applications Signal processing, High-speed switching, Rectifying Commercial grade Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1) 0.1 2.50.2 Features High reverse voltage Superfast Recovery Low junction capacity Low leakage current Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) RoHS Pb EE WE Type Code 1.25 0.3 0.1 10.1 1.70.1 Mechanical Data 1) Type Code = WO Besonderheiten Hohe Sperrspannung Superschneller Sperrverzug Niedrige Sperrschichtkapazitat Niedriger Sperrstrom Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanische Daten 1) Taped and reeled Dimensions - Mae [mm] EL V ~ SOD-323 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schnelles Schalten, Gleichrichten Standardausfuhrung Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1) Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1) 3000 / 7" Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.01 g Solder & assembly conditions 260C/10s Gewicht ca. Lot- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BAV19WS BAV20WS Power dissipation - Verlustleistung Ptot 200 mW 3) Max. average forward current - Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 3) Repetitive peak forward current - Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 3) Non repetitive peak forward surge current Stostrom in Fluss-Richtung IFSM 0.5 A 2.5 A tp 1 s tp 1 s Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Reverse voltage Sperrspannung DC BAV21WS/-AQ VRRM 120 V 200 V 250 V VR 100 V 150 V 200 V Junction temperature - Sperrschichttemperatur Tj +150 C Storage temperature - Lagerungstemperatur TS - 55...+150 C 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25C unless otherwise specified - TA = 25C wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss (c) Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAV19WS ... BAV21WS Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25 C IF = 100 mA ) IF = 200 mA 1) VF <1V < 1.25 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25 C VR = VR DC 1) IR < 100 nA CT < 5 pF trr < 50 ns Typical thermal resistance junction to ambient Typischer Warmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 625 K/W 2) Typical thermal resistance junction-terminal Typischer Warmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthT 450 K/W Max. junction capacitance Max. Sperrschichtkapazitat 1 VR = 0 V, f = 1 MHz Reverse recovery time Sperrverzug IF = 30 mA uber/ through IR = 30 mA bis / to IR = 1 mA 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 T j = 125C 60 -2 10 Tj = -40C 40 Tj = 25C 10 -3 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 10-4 [C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.2) 2 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 s, duty cycles 2 % gemessen mit Impulsen tp = 300 s, Schaltverhaltnis 2 % Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lotpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ (c) Diotec Semiconductor AG