BAV19WS ... BAV21WS
BAV19WS ... BAV21WS
SMD Small Signal Switching Diodes
SMD Kleinsignal Schalt-Dioden
IFAV = 200 mA
VF1 < 1 V
Tjmax = 150°C
VRRM = 120...250 V
IFSM1 = 2.5 A
trr < 50 ns
Version 2019-02-26
~ SOD-323
Dimensions - Maße [mm]
Type Code = WO
Typical Applications
Signal processing, High-speed
switching, Rectifying
Commercial grade
Suffix -Q: AEC-Q101 compliant 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 qualification 1)
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, Schnelles
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung
Suffix -Q: AEC-Q101 konform 1)
Suffix -AQ: in AEC-Q101 Qualifikation 1)
Features
High reverse voltage
Superfast Recovery
Low junction capacity
Low leakage current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Sperrspannung
Superschneller Sperrverzug
Niedrige Sperrschichtkapazität
Niedriger Sperrstrom
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
Mechanical Data 1) Mechanische Daten 1)
Taped and reeled 3000 / 7“ Gegurtet auf Rolle
Weight approx. 0.01 g Gewicht ca.
Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
Maximum ratings 2) Grenzwerte 2)
BAV19WS BAV20WS BAV21WS/-AQ
Power dissipation − Verlustleistung Ptot 200 mW 3)
Max. average forward current – Dauergrenzstrom (dc) IFAV 200 mA 3)
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom IFRM 625 mA 3)
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom in Fluss-Richtung
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 µs IFSM
0.5 A
2.5 A
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung VRRM 120 V 200 V 250 V
Reverse voltage
Sperrspannung DC VR100 V 150 V 200 V
Junction temperature – Sperrschichttemperatur Tj+150° C
Storage temperature – Lagerungstemperatur TS- 55…+150° C
1 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
2 TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben
3 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1
Pb
E
L
V
W
E
E
E
R
o
H
S
1.25
±0.1
0.3
±0.1
1
±0.1
2.5
±0.2
Type
Code
1.7
±0.1
BAV19WS ... BAV21WS
Characteristics Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung Tj = 25° C IF = 100 mA 1)
IF = 200 mA 1)VF
< 1 V
< 1.25 V
Leakage current
Sperrstrom Tj = 25° C VR = VR DC 1) IR< 100 nA
Max. junction capacitance
Max. Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT< 5 pF
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 30 mA über/ through
IR = 30 mA bis / to IR = 1 mA trr < 50 ns
Typical thermal resistance junction to ambient
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Umgebung RthA 625 K/W 2)
Typical thermal resistance junction-terminal
Typischer Wärmewiderstand Sperrschicht-Anschluss RthT 450 K/W
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycles ≤ 2 %
gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2 %
2 Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
2http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
V
F
[V] 1.41.00.80.60.40
[A]
I
F
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
T = 25°C
j
T = 125°C
j
T = -40°C
j
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
Rated forward current versus ambient temperature )
2
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
2
[°C]
T
A
150100
50
0
