E> wv BD 433 - BD 435 Silizium-NPN-Epibasis-Leistungstransistoren Silicon NPN Epibase Power Transistors Anwendungen: NF-Endstufen Applications: AF-output stages Besondere Merkmale: @ Niedrige Betrieosspannungen speziell fiir Autoradiobetrieb @ Hohe Stromverstarkung @ Verlustleistung 36 W @ Gepaart lieferbar @ BD 433, BD 435 sind komplementar zu BD 434, BD 436 Abmessungen in mm Dimensions in mm i 28 Features: @ Low supply voltage especially for automobil radio @ High current transfer ratio @ Power dissipation 36 W @ Maiched pairs available @ BD 433, BD 435 are complementary to BD 434, BD 436 Isolierscheibe Isolating washer Unterlegscheibe Washer Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Kollektor-Basis-Sperrspannung Collector base voltage Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emitter voltage Emitter-Basis-Sperrspannung Emitter-base voltage B 2/V.2.424/0477 A2 t |; 78 ++ . | \ 13.75%] nA ZubehGr Accessories 3,2 DIN 125A Best. Nr. 119880 Ucospo UcEO VEBo Kollektor mit metallischer Montageflache verbunden Collector connected with metallic surface Normgehause Case 12 A3 DIN 41869 JEDEC TO 126 (SOT 32) Gewicht - Weight max. 0,89 BD 433 BD 435 22 32 Vv 22 32 Vv 5 Vv 61 BD 433 - BD 435 Kollektorstrom Io 4 A Collector current Kollektorspitzenstrom Collector peak current tp s 10ms Tom 7 A Basisstrom Ip 1 Base current Gesamtverlustleistung Total power dissipation case = 25C Prot 36 Ww Sperrschichttemperatur fj 150 C Junction temperature Lagerungstemperaturbereich stg 55...+150 C Storage temperature range Anzugsdrehmoment Ma) 70 Ncm Tightening torque Fot oO 50 V 50 case *" UE Warmewiderstande Min. Typ. Max. Thermal resistances Sperrschicht-Umgebung Rina 100 C/W Junction ambient ) mit M3-Schraube und Unterlagscheibe with screw M3 and washer 3,2 DIN 125A 62 BD 433 - BD 435 Sperrschicht-Gehause Junction case mit Isolierscheibe with isolating washer mit Isolierscheibe und Paste with isolating washer and paste KenngrBen Characteristics lamb = 25C, falls nicht anders angegeben Best. Nr. 119880 unless otherwise specified Kollektorreststrom Collector cut-off current Ucp = 22V Ucpg = 32V lamb = 150C, Upp = 22V Ucp = 32V BD 433 BD 435 BD 433 BD 435 Kollektor-Emitter-Durchbruchspannung Collector-emitter breakdown voltage Ig = 100 mA Ig = 100 pA Emitter-Basis-Durchbruchspannung Emitter-base breakdown voltage I E> mA Kollektor-Sattigungsspannung Collector saturation voltage Ig = 2A, Ig = 200mA Basis-Emitterspannung Base emitter voltage UcE = 1Vi Ic = 2A BD 433 BD 435 BD 433 BD 435 Kollektor-Basis-Gleichstromverhaltnis DC forward current transfer ratio UcE = 5V, Io = 10mA UcE = 1V, Io = 500mA UcgeE = 1V,Ig = 2A Far Paare gilt das Ape-Verhaltnis hee matched pair ratio Uce = 2V, Io = 500 mA?) Transitfrequenz Gain bandwidth product Ucg = 10V, Ig = 250mA, f = 1MHz t 1) 2 = 0,01, tp = 0,3ms Rihuc Rthuc Rthic Topo TcBo IcBo Topo Upryceo*) Upr)ceo*) UiBR)cEs UBryces UBRIEBO UcEsat ) Upe*) FE hee) Are) ST Min. Typ. Max. 3,5 8 4 100 100 3 3 22 32 22 32 5 0,5 ii 40 85 475 50 14 3 C/W C/W C/W pA mA mA << << MHz 63 64 BD 433 - BD 435 tamb = 25 C Ugg = 1V famb = 25 C Ue =1 v tamb = 25 C 751582