SPL PL90_x
Microstack Impuls-Laserdiode im Plastikgehäuse 32 ... 50 W Spitzenleistung
Pulsed Microstack Laser Diode in Plastic Package 32 ... 50 W Peak Power
Vorläufige Daten / Preliminary Data
2001-01-31 1
Besondere Merkmale
• Kostengünstiges Plastikgehäuse
• Zuverlässiges InGaAs/GaAs kompressiv
verspanntes Halbleiter-Material
• Hochleistungslaser mit „Large-Optical-Cavity“
(LOC) Struktur für ein schmales Fernfeld
• MicrostackLasertechnologie beinhaltet
mehrere epitaktisch integrierte Emitter
• Laterale Austrittsöffnung 200
m
m
Anwendungen
• Entfernungsmessung
• Sicherheit, Überwachung
• Beleuchtung, Zündung
• Test- und Messsysteme
Sicherheitshinweise
Je nach Betriebsart emittieren diese Bauteile
hochkonzentrierte, nicht sichtbare Infrarot-
Strahlung, die gefährlich für das menschliche
Auge sein kann. Produkte, die diese Bauteile
enthalten, müssen gemäß den Sicherheits-
richtlinien der IEC-Norm 60825-1 behandelt
werden.
Features
• Low cost plastic package
• Reliable strained InGaAs/GaAs material
• High power large-optical-cavity structure
• Microstack laser technology including multiple
epitaxially stacked emitters
• Lateral laser aperture 200
m
m
Applications
• Range finding
• Security, surveillance
• Illumination, ignition
• Test and measurement systems
Safety Advices
Depending on the mode of operation, these
devices emit highly concentrated non visible
infrared light which can be hazardous to the
human eye. Products which incorporate these
devices have to follow the safety precautions
given in IEC 60825-1 “Safety of laser products”.
2001-01-31 2
SPL PL90_x
Typ
Type
Emitter
Emitters
Opt. Spitzenaus-
gangsleistung
Opt. Peak Power
Wellenlänge1)
Wavelength1)
1) Andere Wellenlängen im Bereich von 780 nm …980 nm sind auf Anfrage erhältlich.
Other wavelengths in the range of 780 nm …980nmareavailableonrequest.
Bestellnummer
Ordering Code
SPL PL90_2 2 32 W 905 nm Q62702-P5247
SPL PL90_3 3 50 W 905 nm Q62702-P5353
Grenzwerte (TA=25
°
C)
Maximum Ratings
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. max.
Spitzenausgangsleistung SPL PL90_2
Peak output power SPL PL90_3 Ppeak –
–32
50 W
Spitzendurchlaßstrom
Forward current IF–22A
Pulsbreite (Halbwertsbreite)
Pulse width (FWHM) tp– 100 ns
Tastverhältnis
Duty cycle d.c. –0.1%
Sperrspannung
Reverse voltage VR–3V
Betriebstemperatur
Operating temperature Top -40 +85
°
C
Lagertemperatur
Storage temperature Tstg - 40 + 100
°
C
Löttemperatur
(tmax = 10 s, 2 mm von Gehäuseunterseite)
Soldering temperature
(tmax = 10 s, 2 mm from bottom edge of case)
Ts– + 260
°
C
SPL PL90_x
2001-01-31 3
Optische Kennwerte (TA=25
°
C)
Optical Characteristics
Parameter
Parameter Symbol
Symbol Werte
Values Einheit
Unit
min. typ. max.
Zentrale Emissionswellenlänge1)
Emission wavelength1)
l
peak 895 905 915 nm
Spektralbreite (Halbwertsbreite)1)
Spectral width (FWHM)1)
Dl
–5–nm
Betriebsstrom1)
Operating current1) Iop –18–A
Schwellstrom
Threshold current Ith –1–A
Betriebsspannung1) SPL PL90_2
Operating voltage1) SPL PL90_3 VF–
–12
18 16
24 V
Anstiegs- und Abfallzeit (10% … 90%)
Rise and fall time (10% … 90%) tr,tr21020ns
Austrittsöffnung SPL PL90_2
Aperture size SPL PL90_3 w
´
h–
–200
´
5
200
´
10 –
m
m2
Strahldivergenz (Halbwertsbreite)
Beam divergence (FWHM)
q
||
´q
^
–6°
´
34° – Grad
deg.
Temperaturkoeffizient der Wellenlänge2)
Temperature coefficient of wavelength2)
¶l
/
T–0.3–nm/K
Temperaturkoeffizient der opt.
Ausgangsleistung
Temperature coefficient of optical power
Pop/Pop
T– 0.5 – %/K
Thermischer Widerstand
Thermal resistance Rth JA – 160 – K/W
1) Standardbetriebsbedingungen beziehen sich auf Pulse von 90 ns bei einer Frequenz von 10 kHz mit 32/50 W
Spitzenleistung in NA = 0.5 bei TA=25°C.
Standard operating conditions refer to pulses of 90 ns at 10 kHz rate with 32/50 W peak power into NA = 0.5 at
TA=25°C.
2) Abhängig von der Emissionswellenlänge.
Depending on emission wavelength.
SPL PL90_x
2001-01-31 4
Optische Kennwerte (TA=25
°
C)
Optical Characteristics
Optical Output Power Popt vs.
Forward Current IF
SPL PL90_2
Far-field distribution parallel to junction
Irel vs.
q
||, SPL PL90_2
Optical Output Power Popt vs.
Forward Current IF
SPL PL90_3
Far-field distribution perpendicular to
junction Irel vs.
q
^
, SPL PL90_2
OHW01245
00
opt
P
F
I
A
W
5 10 15 20 25
5
10
15
20
25
30
35
40
45
0.5
0
-40
0.25
20-20 0 40
degree
Θ
Il
0.75
Ι
rel
1.0
OHW01247
OHW01246
00
opt
P
F
I
A
W
5 10 15 20 25
10
20
30
40
50
60
70
0.25
40
0
-40 -20 200 Θ
degree
0.75
rel
Ι
0.5
1.0
OHW01249
SPL PL90_x
2001-01-31 5
Maßzeichnung
Package Outlines
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch) / Dimensions are specified as follows: mm (inch).
0.1 (0.004) ... 0.7 (0.028)
ø4.8 (0.189)
ø5.1 (0.201)
4.2 (0.165)
5.0 (0.197)
3.85 (0.152)
3.35 (0.132)
27.0 (1.063)
29.0 (1.142)
1.8 (0.071)
1.2 (0.047)
spacing
2.54 (0.100) mm
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
0.8 (0.031)
0.4 (0.016)
Cathode Chip position
Area not flat
5.5 (0.217)
5.9 (0.232)
Bottom view
0.4 (0.016)
0.6 (0.024)
Chip position
GEOY6066