Darlington Complementary
Silicon Power Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low frequency
switching applications.
High DC Current Gain —
Min hFE = 1000 @ IC
= 5 A, VCE = 4 V
Collector–Emitter Sustaining Voltage — @ 30 mA
VCEO(sus) = 60 Vdc (Min) — TIP140, TIP145
80 Vdc (Min) — TIP141, TIP146
100 Vdc (Min) — TIP142, TIP147
Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistor
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
TIP140
TIP145
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TIP141
TIP146
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TIP142
TIP147
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
100
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current Continuous
Peak (1)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
10
15
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current — Continuous
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
0.5
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Device Dissipation
@ TC = 25C
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
125
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
–65 to +150
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJC
1.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Case to Ambient
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
RθJA
35.7
ÎÎÎ
ÎÎÎ
C/W
(1) 5 ms, 10% Duty Cycle. DARLINGTON SCHEMATICS
BASE
EMITTER
COLLECTOR
8.0 k 40
BASE
EMITTER
COLLECTOR
8.0 k 40
NPN
TIP140
TIP141
TIP142
PNP
TIP145
TIP146
TIP147
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
January, 2002 – Rev. 4 1Publication Order Number:
TIP140/D
TIP140
TIP141
TIP142
TIP145
TIP146
TIP147
10 AMPERE
DARLINGTON
COMPLEMENTARY SILICON
POWER TRANSISTORS
60–100 VOLTS
125 WATTS
*ON Semiconductor Preferred Device
*
NPN
PNP *
*
*
CASE 340D–02
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
2
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Min
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Typ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Sustaining Voltage (1)
(IC = 30 mA, IB = 0) TIP140, TIP145
TIP141, TIP146
TIP142, TIP147
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCEO(sus)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
60
80
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 30 Vdc, IB = 0) TIP140, TIP145
(VCE = 40 Vdc, IB = 0) TIP141, TIP146
(VCE = 50 Vdc, IB = 0) TIP142, TIP147
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
2.0
2.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCB = 60 V, IE = 0) TIP140, TIP145
(VCB = 80 V, IE = 0) TIP141, TIP146
(VCB = 100 V, IE = 0) TIP142, TIP147
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1.0
1.0
1.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 V)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
2 0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
mA
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS (1)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain
(IC = 5.0 A, VCE = 4.0 V)
(IC = 10 A, VCE = 4.0 V)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
1000
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage
(IC = 5.0 A, IB = 10 mA)
(IC = 10 A, IB = 40 mA)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.0
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter Saturation Voltage
(IC = 10 A, IB = 40 mA)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(sat)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.5
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage
(IC = 10 A, VCE = 4.0 Vdc)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
SWITCHING CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Resistive Load (See Figure 1)
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Delay Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
td
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.15
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Rise Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
(VCC = 30 V, IC = 5.0 A,
IB= 20 mA Duty Cycle 20%
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tr
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
0.55
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Storage Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB = 20 mA, Duty Cycle 2.0%,
IB1 = IB2, RC & RB Varied, TJ = 25C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ts
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Fall Time
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
IB1
IB2,
RC
&
RB
Varied,
TJ
25 C)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
tf
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
2.5
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎ
µs
(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
Figure 1. Switching Times Test Circuit
10
0.2
Figure 2. Switching Times
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
5.0
2.0
0.5
0.1
0.5 1.0 3.0 5.0 10 20
0.2
PNP
NPN
tf
tr
ts
td @ VBE(off) = 0
V2
approx
+12 V
V1
appox.
-8.0 V
tr, tf 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
25 µs
0
RB
51 D1
+4.0 V
VCC
-30 V
RC
TUT
8.0 k 40
SCOPE
for td and tr, D1 is disconnected
and V2 = 0
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, eg:
1N5825 USED ABOVE IB 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB 100 mA
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
For NPN test circuit reverse diode and voltage polarities.
1.0
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
3
VCE(SAT), COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VBE, BASE-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
5000
0.5
Figure 3. DC Current Gain versus Collector Current
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
300
1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 10
500
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 4.0 V
4.0
NPN
TIP140, TIP141, TIP142 PNP
TIP145, TIP146, TIP147
Figure 4. Collector–Emitter Saturation Voltage
5.0
-75
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
0.5
IC = 10 A, IB = 4.0 mA
2.0
3.0
4.0
-75
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
-25 25 75 175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
Figure 5. Base–Emitter Voltage
2000
1000
TJ = 150°C
25°C
-55°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
hFE, DC CURRENT GAIN
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
TJ, JUNCTION TEMPERATURE (°C)
125
20,000
1000
2000
3000
5000
10,000
7000
1.0
0.7
0.5
VCE(SAT), COLLECTOR-EMITTER SATURATION VOLTAGE (VOLTS)
0.5 1.0 2.0 3.0 5.0 7.0 104.00.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
5.0
-75
2.0
3.0
1.0
0.7
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150 175
2.0
1.6
1.2
4.0
-75 -25 25 75 175
3.6
3.2
2.8
2.4
0.8
125
2.0
1.6
1.2
100°C
TJ = 150°C
100°C
25°C
-55°C
VCE = 4.0 V
IC = 5.0 A, IB = 10 mA
IC = 1.0 A, IB = 2.0 mA
IC = 10 A, IB = 4.0 mA
IC = 5.0 A, IB = 10 mA
IC = 1.0 A, IB = 2.0 mA
VCE = 4.0 V
IC = 10 A
5.0 A
1.0 A
VCE = 4.0 V
IC = 10 A
5.0 A
1.0 A
TYPICAL CHARACTERISTICS
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
4
ACTIVE–REGION SAFE OPERATING AREA
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figure 6 is based on TJ(pk) = 150C; TC is
variable depending on conditions. At high case
temperatures, thermal limitations will reduce the power that
can be handled to values less than the limitations imposed by
second breakdown.
SECONDARY BREAKDOWN LIMIT
BONDING WIRE LIMIT
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
Figure 6. Active–Region Safe Operating Area
dc
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP) (mA)
10
10
0.2
5.0
20
1.0
20
TJ = 150°C
5030
TIP140, 145
3.0
7.0
15 70 100
TIP141, 146
TIP142, 147
IC, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
15
10
1.0
2.0
5.0
7.0
Figure 7. Unclamped Inductive Load
L, UNCLAMPED INDUCTIVE LOAD (mH)
0.5 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100
100 mJ
INPUT
MPS-U52
50
50
RBB1
1.5k
RBB2
= 100
VBB2 = 0
VBB1 = 10 V
TUT
VCE MONITOR
100 mH
VCC = 20 V
IC
MONITOR
RS = 0.1
TEST CIRCUIT
NOTE 1: Input pulse width is increased until ICM = 1.42 A.
NOTE 2: For NPN test circuit reverse polarities.
INPUT
VOLTAGE
COLLECTOR
CURRENT
1.42 A
VCE(sat)
-20 V
COLLECTOR
VOLTAGE
V(BR)CER
w 7.0 ms (SEE NOTE 1)
5.0 V
0
100 ms
0
VOLTAGE AND CURRENT WAVEFORMS
Figure 8. Inductive Load
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
5
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
PNP
NPN
Figure 9. Magnitude of Common Emitter
Small–Signal Short–Circuit Forward
Current Transfer Ratio
f, FREQUENCY (MHz)
2.0
1.0
10
5.0
100
1.0 3.0 5.0
7.0
2.0 7.0 10
VCE = 10 V
IC = 1.0 A
TJ = 25°C
5.0
4.0
0
1.0
2.0
3.0
Figure 10. Free–Air Temperature
Power Derating
TA, FREE-AIR TEMPERATURE (°C)
0 40 80 120 160 200
hfe , SMALL-SIGNAL FORWARD CURRENT
TRANSFER RATIO
20
50
70
PNP
NPN
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 340D–02
ISSUE E
STYLE 1:
PIN 1. BASE
2. COLLECTOR
3. EMITTER
4. COLLECTOR
A
D
VG
K
SL
U
BQ
123
4
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.
EC
J
H
DIM MIN MAX MIN MAX
INCHESMILLIMETERS
A--- 20.35 --- 0.801
B14.70 15.20 0.579 0.598
C4.70 4.90 0.185 0.193
D1.10 1.30 0.043 0.051
E1.17 1.37 0.046 0.054
G5.40 5.55 0.213 0.219
H2.00 3.00 0.079 0.118
J0.50 0.78 0.020 0.031
K31.00 REF 1.220 REF
L--- 16.20 --- 0.638
Q4.00 4.10 0.158 0.161
S17.80 18.20 0.701 0.717
U4.00 REF 0.157 REF
V1.75 REF 0.069
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
7
Notes
TIP140 TIP141 TIP142 TIP145 TIP146 TIP147
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make changes
without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any particular
purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all liability,
including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or
death may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold
SCILLC and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable
attorney fees arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim
alleges that SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
TIP140/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada