SFH 213
SFH 213 FA
Semiconductor Group 1
Neu: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
New: Silicon PIN Photodiode with Very Short
Switching Time
Typ
Type Bestellnummer
Ordering Code
SFH 213 Q62702-P930
SFH 213 FA Q62702-P1671
SFH 213
SFH 213 FA
Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
fexf6626 fex06626
Wesentliche Merkmale
●Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm
(SFH 213) und bei 880 nm (SFH 213 FA)
●Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
●5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
●Auch gegurtet lieferbar
Anwendungen
●Industrieelektronik
●“Messen/Steuern/Regeln”
●Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
●LWL
Features
●Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 213) and of
880 nm (SFH 213 FA)
●Short switching time (typ. 5 ns)
●5 mm LED plastic package
●Also available on tape
Applications
●Industrial electronics
●For control and drive circuits
●Photointerrupters
●Fiber optic transmission systems
03.96
SFH 213
SFH 213 FA
Semiconductor Group 2
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range Top;Tstg – 55 ... + 100 °C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit t≤ 3 s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (t≤ 3 s)
TS300 °C
Sperrspannung
Reverse voltage VR50 V
Verlustleistung
Total power dissipation Ptot 100 mW
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 213 SFH 213 FA
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
VR = 5 V, Normlicht/standard light A,
T = 2856 K,
VR = 5 V,λ= 870 nm, Ee = 1 mW/cm2
S
S
135 (≥ 100)
–
–
90 (≥ 65)
nA/Ix
µA
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity λS max 850 900 nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S = 10 % von Smax
Spectral range of sensitivity
S = 10 % of Smax
λ400 ...1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area A11 mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L×B
L×W
1×11×1mm×mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H5.1 ... 5.7 5.1 ... 5.7 mm
SFH 213
SFH 213 FA
Semiconductor Group 3
Halbwinkel
Half angle ϕ±10 ±10 Grad
deg.
Dunkelstrom, VR = 20 V
Dark current IR1 (≤ 5) 1 (≤ 5) nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit, λ = 850 nm
Spectral sensitivity Sλ0.62 0.59 A/W
Quantenausbeute, λ = 850 nm
Quantum yield η0.89 0.86 Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
VO
VO
430 (≥ 350)
–
–
380 (≥ 300)
mV
mV
Kurzschlußstrom
Short-circuit current
Ev = 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T= 2856 K
Ee = 0.5 mW/cm2,λ = 870 nm
ISC
ISC
125
–
–
42
µA
µA
Anstiegs- und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
RL = 50 Ω; VR= 20 V; λ = 850 nm; Ip = 800 µA
tr,tf55 ns
Durchlaßspannung, IF= 80 mA, E = 0
Forward voltage VF1.3 1.3 V
Kapazität, VR= 0 V, f= 1 MHz, E = 0
Capacitance C011 11 pF
Temperaturkoeffizient von VO
Temperature coefficient of VO
TCV– 2.6 – 2.6 mV/K
Temperaturkoeffizient von ISC
Temperature coefficient of ISC
Normlicht/standard light A
λ = 870 nm
TCI
0.18
––
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
VR= 10 V, λ = 850 nm
NEP 2.9 ×10– 14 2.9 ×10– 14 W
√Hz
Nachweisgrenze, VR= 20 V, λ = 850 nm
Detection limit D* 3.5 ×1012 3.5 ×1012 cm · √Hz
W
Kennwerte (TA = 25 °C)
Characteristics (cont’d)
Bezeichnung
Description Symbol
Symbol Wert
Value Einheit
Unit
SFH 213 SFH 213 FA
SFH 213
SFH 213 FA
Semiconductor Group 4
Relative spectral sensitivity SFH 213
Srel =f (λ)
Photocurrent IP=f (Ee), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ee)
SFH 213 FA
Relative spectral sensitivity SFH 213 FA
Srel =f (λ)
Total power dissipation
Ptot =f (TA)
Photocurrent IP=f (Ev), VR = 5 V
Open-circuit voltage VO=f (Ev)
SFH 213
Dark current
IR = f (VR), E = 0
Directional characteristics Srel =f (ϕ)
