TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 EasyPACKModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3DiodeundPressFIT/NTC EasyPACKmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandPressFIT/NTC VorlaufigeDaten/PreliminaryData J VCES = 650V IC nom = 150A / ICRM = 300A TypischeAnwendungen * 3-Level-Applikationen * SolarAnwendungen * USV-Systeme TypicalApplications * 3-Level-Applications * SolarApplications * UPSSystems ElektrischeEigenschaften * ErhohteSperrspannungsfestigkeitauf650V * NiederinduktivesDesign * NiedrigeSchaltverluste * NiedrigesVCEsat ElectricalFeatures * Increasedblockingvoltagecapabilityto650V * Lowinductivedesign * LowSwitchingLosses * LowVCEsat MechanischeEigenschaften * Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen Widerstand * KompaktesDesign * PressFITVerbindungstechnik * Robuste Montage durch integrierte Befestigungsklammern MechanicalFeatures * Al2O3SubstratewithLowThermalResistance * Compactdesign * PressFITContactTechnology * Rugged mounting due to integrated mounting clamps ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25C VCES 650 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 25C, Tvj max = 175C TC = 25C, Tvj max = 175C IC nom IC 150 150 PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 300 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25C, Tvj max = 175C Ptot 335 W Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sattigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 150 A, VGE = 15 V IC = 150 A, VGE = 15 V IC = 150 A, VGE = 15 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25C Gateladung Gatecharge VCE sat A A typ. max. 1,45 1,60 1,70 1,90 V V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 1,60 C InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25C RGint 2,0 Eingangskapazitat Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 9,30 nF Ruckwirkungskapazitat Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,285 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25C IGES 400 nA td on 0,085 0,10 0,11 s s s tr 0,04 0,045 0,045 s s s td off 0,30 0,33 0,34 s s s tf 0,09 0,13 0,14 s s s Einschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGon = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Abschaltverzogerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 150 A, VCE = 300 V VGE = 15 V RGoff = 3,3 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, di/dt = 2400 A/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGon = 3,3 Tvj = 150C Eon 1,20 1,75 1,95 mJ mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 150 A, VCE = 300 V, LS = 35 nH Tvj = 25C VGE = 15 V, du/dt = 3600 V/s (Tvj = 150C) Tvj = 125C RGoff = 3,3 Tvj = 150C Eoff 4,15 5,10 5,40 mJ mJ mJ Kurzschluverhalten SCdata VGE 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE *di/dt ISC 1100 750 A A Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT RthJC 0,40 0,45 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,45 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 2 tP 8 s, Tvj = 25C tP 6 s, Tvj = 150C 150 C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 650 V IF 150 A IFRM 300 A It 1700 1450 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,55 1,50 1,45 1,95 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C IRM 80,0 105 110 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Qr 6,90 11,5 13,5 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C VGE = -15 V Tvj = 150C Erec 1,40 2,50 3,00 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC 0,55 0,60 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,50 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase 3 150 V V V C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Diode,D5-D6/Diode,D5-D6 HochstzulassigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral It-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150C VRRM 650 V IF 150 A IFRM 300 A It 2450 2150 CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 1,55 1,50 1,45 1,95 As As Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V IF = 150 A, VGE = 0 V Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C VF Ruckstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C Tvj = 150C IRM 80,0 105 110 A A A Sperrverzogerungsladung Recoveredcharge IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C Tvj = 150C Qr 6,90 11,5 13,5 C C C AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 150 A, - diF/dt = 2400 A/s (Tvj=150C) Tvj = 25C VR = 300 V Tvj = 125C Tvj = 150C Erec 1,40 2,50 3,00 mJ mJ mJ proDiode/perdiode RthJC 0,50 0,55 K/W Warmewiderstand,GehausebisKuhlkorper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink Paste=1W/(m*K)/grease=1W/(m*K) RthCH 0,45 K/W TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 150 min. typ. max. R25 5,00 k R/R -5 5 % P25 20,0 mW Warmewiderstand,ChipbisGehause Thermalresistance,junctiontocase V V V C NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Nennwiderstand Ratedresistance TC = 25C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TC = 100C, R100 = 493 Verlustleistung Powerdissipation TC = 25C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K AngabengemagultigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 4 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Modul/Module Isolations-Prufspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kuhlkorper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI > 200 VISOL kV 2,5 min. typ. max. LsCE 15 nH RCC'+EE' 2,00 m Tstg -40 125 C Anpresskraft fur mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F 40 - 80 N Gewicht Weight G 39 g Modulstreuinduktivitat Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlusseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 5 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R07W2E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch) outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VCE) Tvj=150C 300 300 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 240 240 210 210 180 180 150 120 90 90 60 60 30 30 0,0 0,4 0,8 1,2 1,6 VCE [V] 2,0 2,4 0 2,8 UbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch) transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 5,0 11 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 270 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eon, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 10 9 240 8 210 7 E [mJ] 180 150 120 6 5 4 90 3 60 2 30 0 0,0 SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=15V,RGon=3.3,RGoff=3.3,VCE=300V 300 IC [A] 150 120 0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 270 IC [A] IC [A] 270 1 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 6 0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R07W2E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch) switchinglossesIGBT,Inverter(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=15V,IC=150A,VCE=300V TransienterWarmewiderstandIGBT,Wechselrichter transientthermalimpedanceIGBT,Inverter ZthJH=f(t) 18 10 Eon, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 125C Eoff, Tvj = 150C Eoff, Tvj = 150C 16 ZthJH : IGBT 14 1 ZthJH [K/W] E [mJ] 12 10 8 6 0,1 4 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,028 0,052 0,269 0,501 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 2 0 0 3 6 9 12 15 18 RG [] 21 24 27 30 0,01 0,001 33 SichererRuckwarts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter (RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=15V,RGoff=3.3,Tvj=150C 330 IC, Modul IC, Chip 300 1 10 300 Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 270 240 240 210 210 180 180 IF [A] IC [A] 0,1 t [s] DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical) IF=f(VF) 270 150 150 120 120 90 90 60 60 30 30 0 0,01 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R07W2E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3,VCE=300V SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch) switchinglossesDiode,Inverter(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=300V 5,0 4,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 4,5 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 3,5 4,0 3,0 3,5 2,5 E [mJ] E [mJ] 3,0 2,5 2,0 2,0 1,5 1,5 1,0 1,0 0,5 0,5 0,0 0 30 60 90 0,0 120 150 180 210 240 270 300 IF [A] TransienterWarmewiderstandDiode,Wechselrichter transientthermalimpedanceDiode,Inverter ZthJ3=f(t) 0 3 6 9 12 15 18 RG [] 21 24 27 30 1,6 1,8 2,0 DurchlasskennliniederDiode,D5-D6(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D5-D6(typical) IF=f(VF) 10 300 ZthJH : Diode Tvj = 25C Tvj = 125C Tvj = 150C 270 240 210 1 IF [A] ZthJH [K/W] 180 150 120 0,1 90 60 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,049 0,113 0,408 0,48 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 30 0 10 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 8 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 TechnischeInformation/TechnicalInformation F3L150R07W2E3_B11 IGBT-Module IGBT-modules VorlaufigeDaten PreliminaryData SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(IF) RGon=3.3,VCE=300V SchaltverlusteDiode,D5-D6(typisch) switchinglossesDiode,D5-D6(typical) Erec=f(RG) IF=150A,VCE=300V 5,0 4,0 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 4,5 Erec, Tvj = 125C Erec, Tvj = 150C 3,5 4,0 3,0 3,5 2,5 E [mJ] E [mJ] 3,0 2,5 2,0 2,0 1,5 1,5 1,0 1,0 0,5 0,5 0,0 0 30 60 90 0,0 120 150 180 210 240 270 300 IF [A] TransienterWarmewiderstandDiode,D5-D6 transientthermalimpedanceDiode,D5-D6 ZthJH=f(t) 0 3 6 9 12 15 18 RG [] 21 24 27 30 33 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 10 100000 ZthJH : Diode Rtyp 10000 R[] ZthJH [K/W] 1 0,1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,043 0,099 0,366 0,443 i[s]: 0,0005 0,005 0,05 0,2 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 9 0 20 40 60 80 100 TC [C] 120 140 160 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Schaltplan/circuit_diagram_headline J Gehauseabmessungen/packageoutlines In fin e o n preparedby:DK dateofpublication:2013-11-05 approvedby:MB revision:2.1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Module IGBT-modules F3L150R07W2E3_B11 VorlaufigeDaten PreliminaryData Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschlielichfurtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfurIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollstandigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfurdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,furdiewireineliefervertraglicheGewahrleistungubernehmen.Eine solcheGewahrleistungrichtetsichausschlielichnachMagabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfurdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsubernommen.DieAngabenindengultigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenotigen,dieuberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfurSiezustandigenVertriebsburoin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FurInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkonnteunserProduktgesundheitsgefahrdendeSubstanzenenthalten.BeiRuckfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfurSiezustandigenVertriebsburoinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefahrdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfurdieseFalle -diegemeinsameDurchfuhrungeinesRisiko-undQualitatsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitatssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinfuhrungvonManahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherManahmenabhangigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheAnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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